문맥 (context)
[청구항 3]
제2항에 있어서,상기 제2영역의 양측벽을 덮는 보호막더 포함하는반도체소자.
[청구항 4]
제3항에 있어서,상기 보호막은 질화막포함하는반도체소자.
[청구항 5]
제2항에 있어서,상기 실리콘전극은 폴리실리콘막을 포함하고, 상기 금속전극은 텅스텐막포함하는반도체소자.
[청구항 6]
제2항에 있어서,상기 확산배리어막은 티타늄막과 텅스텐질화막의 적층막, 또는 티타늄막,티타늄질화막및텅스텐질화막의적층막중선택된하나인반도체소자.
[청구항 8]
제7항에 있어서,상기 금속전극의 상부를 덮는 게이트하드마스크막; 및 상기 확산배리어막의 측벽을 덮는 보호막더 포함하는반도체소자.
[청구항 9]
제8항에 있어서,상기 게이트하드마스크막은 질화막이고, 상기 보호막은 폴리실리콘막포함하는반도체소자.
[청구항 10]
제7항에 있어서,상기 금속전극은 상기 확산배리어막에 의해 측벽이 덮히는 제1영역과 상기 제1영역 상에서 측벽이 외부에 노출된 제2영역포함하는반도체소자.
[청구항 11]
제10항에 있어서,상기 제2영역의 상부를 덮는 게이트하드마스크막; 상기 제2영역의 측벽을 덮는 제1보호막; 및상기 확산배리어막의 측벽을 덮는 제2보호막더 포함하는반도체소자.
[청구항 12]
제11항에 있어서,상기 게이트하드마스크막과 제1보호막은 질화막이고, 상기 제2보호막은 폴리실리콘막포함하는반도체소자.
[청구항 13]
제7항에 있어서,상기 금속전극은 텅스텐막포함하는반도체소자.
[청구항 14]
제7항에 있어서,상기 확산배리어막은 티타늄막과 텅스텐질화막의 적층막, 또는 티타늄막,티타늄질화막및텅스텐질화막의적층막중선택된하나인반도체소자.
[청구항 15]
제2항 또는 제7항에 있어서,상기 기판은 채널길이 증가를 위한 리세스패턴 또는 벌브형리세스패턴구비된반도체소자.
지시문 (instruction)
주어진 특허 청구항을 읽고 발명의 구성요소와 구성을 파악하여 질문에 답하라. 문맥에 제시된 표현을 중심으로 답하라.
질문 (question)
제11항의 반도체소자에서 제2영역의 상부와 측벽을 각각 덮고 있는 막의 재질은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제11항의 반도체소자 구성 요소 중 제2영역의 상부와 측벽을 각각 덮고 있는 막의 재질을 찾는 과업이다.
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2정보 추출
information_extraction제11항에서 제2영역의 상부를 덮는 막은 '게이트하드마스크막'이고, 측벽을 덮는 막은 '제1보호막'임을 확인한다.
- 상기 제2영역의 상부를 덮는 게이트하드마스크막; 상기 제2영역의 측벽을 덮는 제1보호막
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3근거 선택
evidence_selection제11항의 구성을 구체화하는 종속항인 제12항에서 해당 막들의 재질을 확인한다.
- 제12항에 있어서,상기 게이트하드마스크막과 제1보호막은 질화막
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4논리 통합
logical_integration제11항의 게이트하드마스크막(상부)과 제1보호막(측벽)은 제12항에 의해 모두 질화막임이 통합된다.
- 상기 게이트하드마스크막과 제1보호막은 질화막
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5결론 도출
conclusion_formulation따라서 제2영역의 상부와 측벽을 덮는 막의 재질은 질화막이다.
- 상기 게이트하드마스크막과 제1보호막은 질화막
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6답변 생성
answer_generation질문에 대한 직접적인 답변으로 '질화막'을 도출한다.
- 질화막
최종 답변 (final_answer)
질화막
핵심 해석 (core_interpretation)
제11항의 반도체소자에서 제2영역의 상부 보호를 위한 게이트하드마스크막과 측벽 보호를 위한 제1보호막이 모두 질화막으로 구성됨을 명시하고 있다.