문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,전극간 절연막의 일부가, 막 두께가 30㎚ 이하인 hfxal1-xoy막이용하여형성되어있음과 함께, 이 hfxal1-xoy막 내의 hf 농도는 80% 이상인 반도체 장치.
[청구항 3]
제1항에 있어서,전극간 절연막이 실리콘 질화막과 hfxal1-xoy막의적층막에의해형성되어 있는반도체 장치.
[청구항 4]
제1항에 있어서,전극간 절연막이 hfxal1-xoy막과 이 hfxal1-xoy막보다도 배리어하이트가 높은 실리콘 산화막과의적층막에의해형성되어 있는반도체 장치.
[청구항 5]
제1항에 있어서,전극간 절연막이 실리콘 질화막, hfxal1-xoy막, 및 이 hfxal1-xoy막보다도 배리어하이트가 높은실리콘 산화막의적층막에의해형성되어 있는반도체 장치.
[청구항 6]
제1항에 있어서,터널 절연막-이 터널 절연막은 상기 각 부유 게이트 전극의 하측에 설치되어 있음과 함께, 상기 터널 절연막의 비유전률은 상기 각 전극간 절연막의 비유전률보다도 작음더 구비하는반도체 장치.
[청구항 7]
제1항에 있어서,터널 절연막-이 터널 절연막은 상기 각 부유 게이트 전극의 하측에 설치되어 있음과 함께, 상기 터널 절연막의 비유전률은 7 이하더 구비하는반도체 장치.
[청구항 8]
제1항에 있어서,전극간 절연막에포함되는결정 입자의 평균 입경이 10㎚ 이상인 반도체 장치.
[청구항 11]
제9항에 있어서,하부 전극및 상기 각 상부 전극의 적어도 한쪽과 상기 각 hfxal1-xoy막의 사이에 실리콘 질화막더 형성되어 있는반도체 장치.
[청구항 12]
제9항에 있어서,하부 전극및 상기 각 상부 전극의 적어도 한쪽과 상기 각 hfxal1-xoy막의 사이에 상기 각 hfxal1-xoy막보다도 배리어하이트가 높은 실리콘 산화막더 형성되어 있는반도체 장치.
[청구항 13]
제9항에 있어서,하부 전극및 상기 각 상부 전극의 적어도 한쪽과 상기 각 hfxal1-xoy막의 사이에 실리콘 질화막 및 상기 각 hfxal1-xoy막보다도 배리어하이트가 높은 실리콘 산화막더 형성되어 있는반도체 장치.
[청구항 14]
제9항에 있어서,터널 절연막- 이 터널 절연막은 상기 각 하부 전극의 하측에 설치되어 있음과 함께, 상기 터널 절연막의 비유전률은 상기 각 캐패시터 절연막의 비유전률보다도 작음 - 을더 구비하는반도체 장치.
[청구항 15]
제9항에 있어서,터널 절연막- 이 터널 절연막은 상기 각 부유 게이트 전극의 하측에 설치되어 있음과 함께, 상기 터널 절연막의 비유전률은 7 이하임 - 을더 구비하는반도체 장치.
[청구항 16]
제9항에 있어서,막에포함되는결정 입자의 평균 입경이 10㎚ 이상인 반도체 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
제1항의 반도체 장치에서 전극간 절연막이 실리콘 질화막, hfxal1-xoy막, 및 실리콘 산화막의 적층막으로 구성될 경우, 이때 사용되는 실리콘 산화막은 hfxal1-xoy막과 비교하여 어떠한 특성을 갖는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation전극간 절연막이 실리콘 질화막, hfxal1-xoy막, 실리콘 산화막의 적층막으로 구성될 때, 실리콘 산화막이 hfxal1-xoy막 대비 갖는 특성을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 5에서 실리콘 질화막, hfxal1-xoy막, 실리콘 산화막의 적층막 구성을 확인하고, 실리콘 산화막에 대한 설명을 추출한다.
- 실리콘 질화막, hfxal1-xoy막, 및 이 hfxal1-xoy막보다도 배리어하이트가 높은실리콘 산화막의적층막
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3근거 선택
evidence_selection실리콘 산화막의 특성을 직접적으로 언급한 'hfxal1-xoy막보다도 배리어하이트가 높은' 구절을 선택한다.
- hfxal1-xoy막보다도 배리어하이트가 높은 실리콘 산화막
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4논리 통합
logical_integration청구항 5의 구성 요소 간 관계를 분석하여 실리콘 산화막이 hfxal1-xoy막보다 배리어하이트가 높다는 사실을 도출한다.
- hfxal1-xoy막보다도 배리어하이트가 높은 실리콘 산화막
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 실리콘 산화막은 hfxal1-xoy막보다 배리어하이트가 높다는 결론을 내린다.
- hfxal1-xoy막보다도 배리어하이트가 높은 실리콘 산화막
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- hfxal1-xoy막보다도 배리어하이트가 높은 실리콘 산화막
최종 답변 (final_answer)
hfxal1-xoy막보다도 배리어하이트가 높다.
핵심 해석 (core_interpretation)
전극간 절연막 구성 시, 실리콘 산화막을 hfxal1-xoy막보다 배리어하이트가 높은 층으로 배치하여 절연 특성을 제어하는 기술이다.