후방 광학 센서를 갖춘 마스크 에칭 플라즈마 반응기 및에칭 분포의 다중 주파수 제어 document_id 1020070072659

[청구항 1] 제품을 프로세싱하는 플라즈마 반응기로서, 반응기 챔버 및 상기 챔버내의 제품 지지체 - 상기 챔버는 상기 제품 지지체를 면하는 실링을 가짐 - 상기 실링 위에 놓인 유도적으로 결합된 플라즈마 소스 전력 애플리케이터, 및 상기 유도적으로 결합된 소스 전력 애플리케이터 와 결합된 rf 전력 발생기 (a) 상기 실링, (b) 상기 제품 지지체 중 하나에서 소스 전력 전극을 포함하는 용량성 결합된 플라즈마 소스 전력 애플리케이터 상기 제품 지지 페데스탈을 통해 그의 하부로부터 연장되며 상기 제품 지지체의 지지 표면에 개구부들의 어레이를 형성하는 통로들의 어레이 각각이 상기 통로들 각각의 하나를 통해 연장되며 (a) 상기 지지 표면에서 상기 개구부에 대한 시야각을 갖는 시야 단부, 및 (b) 상기 챔버 외측의 출력 단부를 가지는 광섬유들의 어레이 상기 광섬유들의 출력 단부에 결합되는 광학 센서들; 및 상기 유도적으로 결합된 플라즈마 소스 전력 애플리케이터와 상기 용량성 결합된 플라즈마 소스 전력 애플리케이터에 의해 상기 챔버에서 플라즈마와 동시적으로 결합되는 상대적인 전력 양들을 조절하도록 상기 광학 센서들에 응답하는 제어기 를 포함하는 플라즈마 반응기 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 광학 센서들로부터의 신호들은 제품 표면에 대한 에칭 깊이 분포의 순간적 이미지를 나타내며, 상기 제어기는 상기 에칭 깊이 분포의 균일성을 강화시키기 위해 상기 상대적인 전력 양들을 조절하도록프로그램되는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 3] 제품을 프로세싱하는 플라즈마 반응기로서, 반응기 챔버 및 상기 챔버 내의 제품 지지체 - 상기 챔버는 상기 제품 지지체를 면하는 실링을 포함함 - (a) 상기 실링, (b) 상기 제품 지지체 중 하나에서 소스 전력 전극을 포함하는 용량성 결합된 플라즈마 소스 전력 애플리케이터 상기 용량성 결합된 소스 전력 애플리케이터 와 결합된 상이한 고정 주파수의 다수의 vhf 전력 발생기 상기 제품 지지 페데스탈을 통해 그의 하부로부터 연장되며 상기 제품 지지체의 지지 표면에 개구부 어레이들을 형성하는 통로들의 어레이 각각이 상기 통로들 각각의 하나를 통해 연장되며 (a) 상기 지지 표면에서 상기 개구부에 대한 시야각을 갖는 시야 단부, 및 (b) 상기 챔버 외측의 출력 단부를 가지는 광섬유들의 어레이 상기 광섬유들의 출력 단부들에 결합되는 광학 센서들; 및 상기 소스 전력 전극에 인가된 유효 vhf 주파수를 제어하기 위해, 상기 다수의 vhf 발생기의 전력 출력 레벨을 독립적으로 제어하도록 상기 광학 센서들에 응답하는 제어기 를 포함하는 플라즈마 반응기 [청구항 4] 제 3 항에 있어서,상기 광학 센서들로부터의 신호들은 제품의 표면에 대한 에칭 깊이 분포의 순간적 이미지를 나타내며, 상기 제어기는 상기 에칭 깊이 분포의 균일성을 강화시키기 위해 상대적 전력 양들을 조절하도록프로그램되는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 5] 제 3 항에 있어서,상기 제품 지지체에 바이어스 전력 전극을 포함하는 플라즈마 바이어스 전력 애플리케이터;상기 플라즈마 바이어스 전력 애플리케이터에 결합된 상이한 고정 주파수의 다수의 rf 전력 발생기; 및상기 플라즈마 바이어스 전력 애플리케이터에 인가된 유효 rf 주파수를 조절하기 위해 상기 다수의 rf 발생기의 전력 출력 레벨들을 독립적으로 제어하도록 상기 광학 센서들에 응답하는제어기더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 6] 제 3 항에 있어서,상기 제품 지지체 내에 동조가능한 부재 및 상기 동조가능한 부재에 결합되는 제어 부재를 더 포함하며, 상기 제어 부재는상기광학 센서들응답하는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 7] 제품을 프로세싱하는 플라즈마 반응기로서, 측벽 및 실링을 가지는 진공 챔버 상기 실링을 면하는 지지 표면을 가지며 제품을 지지하도록 상기 챔버내에 위치되는 제품 지지 페데스탈 상기 제품 지지 페데스탈을 통해 그의 하부로부터 연장되며 상기 지지 표면에 개구부들의 2차원 어레이를 형성하는 통로들의 어레이 다수의 광섬유 - 상기 다수의 광섬유들 각각은 상기 통로들 각각의 하나를 통해 연장되며 (a) 상기 지지 표면에서 상기 개구부에 대한 시야각을 갖는 시야 단부, 및 (b) 상기 챔버 외측의 출력 단부를 가짐 - 상기 광섬유들의 상기 출력 단부에 결합된 광학적 감지 장치 상기 페데스탈 상에서 지지되는 제품 표면에 대한 2-차원 에칭 속도 분포를 변경할 수 있는 동조가능한 부재; 및 상기 광학적 감지 장치로부터의 정보를 수신하고 상기 동조가능한 부재로 제어 명령들을 전송하도록 접속된 프로세스 제어기 를 포함하는, 플라즈마 반응기 [청구항 8] 제 7 항에 있어서,상기 동조가능한 부재는 상기 챔버와 연통하는 가스 주입 포트들의 어레이, 프로세스 가스 공급부 및 상기 공급부와 상기 가스 주입 포트들의 어레이중 각각의 하나 사이에 접속된 다수의 제어가능한 밸브를 포함하며, 상기 프로세스 제어기는 상기 동조가능한밸브접속되는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 9] 제 7 항에 있어서,상기 동조가능한 부재는,상기 제품 지지 페데스탈의 중공 개구부;상기 중공 개구부 내의 이동식 금속 플레이트; 및상기 지지 표면에 대한 상기 금속 플레이트의 위치를 이동시키는 액추에이터를 포함하며, 상기 프로세스 제어기는상기액추에이터결합되는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 10] 제 7 항에 있어서,상기 동조가능한 부재는,상기 실링 위에 놓이는 내부 및 외부 소스 전력 애플리케이터들 및 상기 내부 및 외부 소스 전력 애플리케이터들에 인가되는 rf 전력 레벨들의 비율을 조절하는 rf전력 제어기포함하는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 11] 적어도 파장 범위내에서 투명한 제품을 프로세싱하는 플라즈마 반응기로서, 측벽 및 실링을 가지는 진공 챔버 상기 실링을 면하는 지지 표면을 가지며 제품을 지지하도록 상기 챔버내에 위치되는 제품 지지 페데스탈 상기 제품 지지 페데스탈을 통해 그의 하부로부터 연장되며 상기 지지 표면을 통해 개구부를 형성하는 통로 상기 통로를 통해 연장되며 (a) 상기 지지 표면에서 상기 개구부에 대한 시야각을 갖는 시야 단부, 및 (b) 상기 챔버 외측의 출력 단부를 가지는 광섬유; 및 상기 파장 범위에서 응답하고 상기 광섬유의 상기 출력 단부에 결합되는 광학 센서 를 포함하는, 플라즈마 반응기 [청구항 12] 제 11 항에 있어서,적어도 상기 지지 표면 부근의 상기 통로에서 상기 지지 표면의 상기 개구부를 통해 연장되는 광학축을 가지는 렌즈를 더 포함하며, 상기 광섬유의 시야 단부는 상기 광학축에서 또는 상기 광학축 부근에서상기렌즈면하는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,상기 광섬유의 상기 시야 단부는상기광학축의상기렌즈결합되는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 14] 제 12 항에 있어서,광원; 및상기 챔버의 외측에 놓이는 하나의 단부를 가지며 상기 광원으로부터의 광을 수신하도록 결합되고 상기 렌즈에 결합되는 또 다른 단부를 가지는제2광섬유더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 15] 제 12 항에 있어서,상기 렌즈는 상기 제품 지지체 상에서 지지되는 제품 상에서 1 미크론 크기 보다 작은 주기적으로 이격된 광학 피쳐들에 생성되는 간섭 프린지를 분해하기에 충분한전력갖는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 16] 제 11 항에 있어서,상기 광학 센서에 결합되는광학신호프로세서더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 17] 제 16 항에 있어서,상기 광학 센서는 대기중의 반사된 광 레벨을 감지할 수 있고, 상기 광학 신호 프로세서는 에칭 프로세스 엔드포인트를 나타내는 대기중의 반사된 광 레벨의 큰 이동에 응답하도록프로그램되는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 18] 제 16 항에 있어서,상기 광학 센서는 개별 간섭 프린지들을 감지할 수 있고, 상기 광학 신호 프로세서는 상기 반응기에서의 에칭 프로세스 동안 상기 페데스탈 상에서 지지되는 제품 상에 생성되는간섭 프린지프로그램되는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 19] 제 16 항에 있어서,상기 광학 센서는 분광계이며, 상기 광학 신호 프로세서는,(a) 공지된 스펙트럼과 다중 파장 간섭 스펙트럼을 비교,(b) 상기 분광계에 의해 생성된 스펙트럼의 스펙트럼 피크들 간의 간격으로부터 에칭 깊이 계산,(c) 현재 프로세스의 에칭 깊이를 결정하도록 공지된 에칭 깊이의 스펙트럼과 상기 광학 센서로부터 생성된 다중 파장 간섭 스펙트럼 비교중 하나를 위해프로그램되는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 20] 제 16 항에 있어서,상기 광학 센서는 광방출 분광계이고, 상기 광학 신호 프로세서는 에칭 프로세스 및 포인트를 검출하도록 선택된 스펙트럼 라인을 추적하도록프로그램되는것을특징으로 하는플라즈마 반응기.