문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 서브스트레이트는, 평평한 제 1 면 및 상기 제 1 면의 반대면으로써 평평한 제 2 면을 갖고, 상기 제 1 면에 형성된 다수의 제 1 도전 패턴을 포함하며, 상기 제 1 도전 패턴에는 상기 솔더 캡이융착되는것을특징으로 하는반도체 패키지.
[청구항 3]
제 2 항에 있어서,상기 서브스트레이트는, 상기 서브스트레이트의 제 2 면에 형성되고, 도전성 비아를 통해서 상기 제 1 도전 패턴과 전기적으로 연결되는 다수의 제 2 도전 패턴 및,상기 제 1 도전 패턴과 상기 제 2 도전 패턴의 일부를 노출하도록 형성되는 제 1 솔더 마스크및제2솔더마스크더포함하여이루어지는것을특징으로 하는반도체 패키지.
[청구항 4]
제 1 항에 있어서,상기 반도체 다이는, 상기 반도체 다이의 제 1 면을 덮으며, 상기 본드 패드의 일부를 노출시키기 위한 개구부를 갖는패시베이션층더포함하여이루어지는것을특징으로 하는반도체 패키지.
[청구항 5]
제 4 항에 있어서,상기 언더 범프 메탈층은, 상기 개구부를 매립하여,상기개구부외주연인패시베이션층의표면일부형성되는것을특징으로 하는반도체 패키지.
[청구항 6]
제 1 항에 있어서,상기 도전성 필러는,동박으로이루어지는것을특징으로 하는반도체 패키지.
[청구항 7]
제 1 항에 있어서,상기 언더 범프 메탈층은, 구리(cu), 납(pb), 은(ag) 및 주석(sn) 중에 선택되는 어느하나또는이들합금으로이루어지는것을특징으로 하는반도체 패키지.
[청구항 8]
제 1 항에 있어서,상기 솔더 캡은, 주석 납 합금 및 무연 주석 중에서 선택되는하나로이루어지는것을특징으로 하는반도체 패키지.
[청구항 9]
제 1 항에 있어서,상기 언더 범프 메탈층과 상기 도전성 필러는 공융 결합(eutectic joint)또는금속간화합물결합으로이루어지는것을특징으로 하는반도체 패키지.
[청구항 10]
제 1 항에 있어서,상기 반도체 다이와 상기 서브스트레이트의 사이로서, 상기 도전성 필러의 외주연에 형성되는언더필더포함하여이루어지는것을특징으로 하는반도체 패키지.
[청구항 12]
제 11 항에 있어서,상기 리드 프레임은, 평평한 다이 패들 제 1 면과, 상기 다이 패들 제 1 면의 반대면으로써 단부에 부분 에칭부가 형성된 다이 패들 제 2 면을 갖고, 상기 반도체 다이를 안착시키는 다이 패들 및,평평한 리드 제 1 면 및 상기 리드 제 1 면과 반대면으로써 상기 다이 패들을 향하는 단부에 부분 에칭부가 형성된 리드 제 2 면을 갖고, 상기 다이 패들의 외주연에 이격되도록 형성되는다수의리드포함하여이루어지는것을특징으로 하는반도체 패키지.
[청구항 13]
제 12 항에 있어서,패들은, 상기 다이 패들의 다이 패들 제 1 면에 형성되는 접지 패드를 더 포함하며, 상기 접지 패드에는 상기 솔더 캡이융착되는것을특징으로 하는반도체 패키지.
[청구항 14]
제 12 항에 있어서,상기 리드는, 상기 리드의 리드 제 1 면에 형성된 도전 패드를 더 포함하여, 상기 도전 패드에 상기 솔더 캡이융착되는것을특징으로 하는반도체 패키지.
[청구항 15]
제 12 항에 있어서,상기인캡슐란트는, 상기 다이패들제2면및상기리드제2면을외부노출시키는것을특징으로 하는반도체 패키지.
[청구항 16]
제 11 항에 있어서,상기 반도체 다이는, 상기 반도체 다이의 제 1 면을 덮으며, 상기 본드 패드의 일부를 노출시키기 위한 개구부를 갖는패시베이션층더포함하여이루어지는것을특징으로 하는반도체 패키지.
[청구항 17]
제 16 항에 있어서,상기 언더 범프 메탈층은, 상기 개구부를 매립하여,상기개구부외주연인패시베이션층의표면일부형성되는것을특징으로 하는반도체 패키지.
[청구항 18]
제 11 항에 있어서,상기 도전성 필러는,동박으로이루어지는것을특징으로 하는반도체 패키지.
[청구항 19]
제 11 항에 있어서,상기 언더 범프 메탈층은, 구리(cu), 납(pb), 은(ag) 및 주석(sn) 중에 선택되는 어느하나또는이들합금으로이루어지는것을특징으로 하는반도체 패키지.
[청구항 20]
제 11 항에 있어서,상기 솔더 캡은, 주석 납 합금 및 무연 주석 중에서 선택된하나로이루어지는것을특징으로 하는반도체 패키지.
[청구항 21]
제 11 항에 있어서,상기 언더 범프 메탈층과 상기 도전성 필러는 공융 결합(eutectic joint)또는금속간화합물결합으로이루어지는것을특징으로 하는반도체 패키지.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
서브스트레이트의 제 2 면에 형성된 제 2 도전 패턴은 어떠한 경로를 통해 제 1 도전 패턴과 전기적으로 연결되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation서브스트레이트의 제 2 면에 형성된 제 2 도전 패턴이 제 1 도전 패턴과 전기적으로 연결되는 경로를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 3에서 제 2 도전 패턴과 제 1 도전 패턴 사이의 연결 방식에 대한 정보를 추출한다.
- 상기 서브스트레이트의 제 2 면에 형성되고, 도전성 비아를 통해서 상기 제 1 도전 패턴과 전기적으로 연결되는 다수의 제 2 도전 패턴
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3근거 선택
evidence_selection제 2 도전 패턴과 제 1 도전 패턴을 연결하는 매개체인 '도전성 비아'를 근거로 선택한다.
- 도전성 비아를 통해서 상기 제 1 도전 패턴과 전기적으로 연결되는 다수의 제 2 도전 패턴
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4논리 통합
logical_integration제 2 도전 패턴은 도전성 비아를 통과함으로써 제 1 도전 패턴과 전기적 연결을 형성함을 파악한다.
- 도전성 비아를 통해서 상기 제 1 도전 패턴과 전기적으로 연결되는
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5결론 도출
conclusion_formulation연결 경로는 '도전성 비아'를 통한 연결임을 결론짓는다.
- 도전성 비아를 통해서 상기 제 1 도전 패턴과 전기적으로 연결되는
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 추출된 정보를 바탕으로 답변을 생성한다.
- 도전성 비아를 통해서 상기 제 1 도전 패턴과 전기적으로 연결되는
최종 답변 (final_answer)
도전성 비아를 통해서 연결된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
서브스트레이트의 양면에 형성된 도전 패턴 간의 전기적 연결을 위해 도전성 비아를 사용하는 구조를 나타낸다.