저전압용 이미지 센서 및 그 센싱 방법 document_id 1020070075244

[청구항 1] 수광 소자; 다수개의 트랜스퍼 게이트를 구비하는 트랜스퍼 트랜지스터를 포함하며, 상기 수광소자에서 발생한 광전하를 전압으로 변환하여 출력하는 신호변환부; 및 한 번의 감광 주기 동안, 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 다수개의 트랜스퍼 게이트에 리셋 및/또는 트랜스퍼 신호를 2회 이상 인가하여 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 채널의 딥디플리션 상태에서 상기 수광소자의 광전하를 이동시키는 센싱제어부 를 포함하는 이미지 센서 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 센싱 제어부는,하나의 리셋 구간 동안 상기 트랜스퍼 트랜지스터에 대한리셋 신호를2회이상발하는것을특징으로 하는이미지 센서. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 리셋 신호들 중 마지막 리셋 신호의 활성화 시간이 가장 긴 것특징으로 하는이미지 센서. [청구항 4] 제2항에 있어서,상기 리셋 신호들 중 적어도 하나 이상의 신호는, 그 턴오프 전압이 접지 전압보다 낮은레벨가지는것을특징으로 하는이미지 센서. [청구항 5] 제2항에 있어서,상기 트랜스퍼 신호들 중 적어도 하나 이상의 신호에서는, 상기 수광 소자와 가장 인접한 트랜스퍼 게이트에 인가하는 턴온 전압의 레벨이 가장 높은 것특징으로 하는이미지 센서. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 센싱 제어부는,하나의 트랜스퍼 구간 동안 상기 트랜스퍼 트랜지스터에 대한트랜스퍼신호를2회이상발하는것을특징으로 하는이미지 센서. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 트랜스퍼 신호들 중 마지막 트랜스퍼 신호의 활성화 시간이 가장 긴 것특징으로 하는이미지 센서. [청구항 8] 제6항에 있어서,상기 트랜스퍼 신호들 중 적어도 하나 이상의 신호는, 그 턴오프 전압이 접지 전압보다 낮은레벨가지는것을특징으로 하는이미지 센서. [청구항 9] 제6항에 있어서,상기 트랜스퍼 신호들 중 적어도 하나 이상의 신호에서는, 상기 수광 소자와 가장 인접한 트랜스퍼 게이트에 인가하는 턴온 전압의 레벨이 가장 높은 것특징으로 하는이미지 센서. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 수광소자는,포토다이오드, 핀드 포토다이오드,포토트랜지스터또는포토게이트인것을특징으로 하는이미지 센서. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 신호 변환부는,상기 트랜스퍼 트랜지스터에 의해 상기 수광소자의 전하가 옮겨지는 확산 노드; 및상기 확산 노드를 리셋시키기 위한 리셋 트랜지스터를 더 포함하고,상기 센싱 제어부는, 상기 리셋 트랜지스터의 게이트에 인가되는 턴온/턴오프 신호발하는것을특징으로 하는이미지 센서. [청구항 12] 제10항에 있어서,상기 신호 변환부는,상기 확산 노드에 실린 감광 신호를 증폭하기 위한 드라이빙 트랜지스터; 및상기 신호 변환부와 수광 소자로 이루어지는 각 픽셀을 선택하기 위한셀렉트트랜지스터더포함하는것을특징으로 하는이미지 센서. [청구항 13] 제1항에 있어서,게이트에 인가되는 리셋 신호는,이웃한트랜스퍼트랜지스터의리셋 신호와일부시간영역중첩되는것을특징으로 하는이미지 센서. [청구항 14] 제1항에 있어서,게이트에 인가되는 트랜스퍼 신호는,이웃한트랜스퍼트랜지스터의트랜스퍼신호와일부시간영역중첩되는것을특징으로 하는이미지 센서. [청구항 21] 제17항에 있어서,상기 2개 이상의 리셋 신호들 중, 상기 수광 소자와 가장 인접한 트랜스퍼 게이트에 인가하는 턴온 전압의 레벨이 가장 높은 것특징으로 하는이미지 센서.