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박막 트랜지스터 및 그 제조방법, 이를 포함하는 표시장치 document_id 1020070081380

출원번호
1020070081380
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] 기판 상에 위치하는 보조전극 상기 보조전극을 덮는 소오스 전극 및 드레인 전극 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되며, 산화물을 포함하는 반도체층 상기 반도체층 상에 위치하는 게이트 절연막; 및 상기 게이트 절연막 상에 위치하며, 상기 반도체층의 일정 영역과 대응되는 게이트 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 [청구항 2] 제 1항에 있어서,상기 보조전극은 몰리브덴(mo), 티타늄(ti), 구리(cu), 은(ag) 또는 알루미늄인박막 트랜지스터. [청구항 3] 제 1항에 있어서,상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극은인박막 트랜지스터. [청구항 4] 제 1항에 있어서,상기 보조전극 하부에 투명도전막더 포함하는박막 트랜지스터. [청구항 5] 제 1항에 있어서,상기 반도체층은 아연산화물(zno), 인듐아연산화물(inzno), 인듐갈륨아연산화물(ingazno) 및 아연주석산화물(znsno)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상포함하는박막 트랜지스터. [청구항 10] 기판 상에 위치하는 보조전극 상기 보조전극을 덮는 소오스 전극 및 드레인 전극 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되며, 산화물을 포함하는 반도체층 상기 반도체층 상에 위치하는 게이트 절연막 상기 게이트 절연막 상에 위치하며, 상기 반도체층의 일정 영역과 대응되는 게이트 전극; 및 상기 소오스 전극 또는 드레인 전극 중 어느 하나와 전기적으로 연결되는 제 1 전극을 포함하는 표시장치
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1의 박막 트랜지스터 구성요소 중 산화물을 포함하는 반도체층과 전기적으로 연결되는 전극들은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    청구항 1에서 산화물을 포함하는 반도체층과 전기적으로 연결되는 전극 구성요소를 찾아내는 것이 과제이다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 1에서 '산화물을 포함하는 반도체층'과 '전기적으로 연결'이라는 관계를 가진 구성요소를 추출한다.

    • 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되며, 산화물을 포함하는 반도체층
  3. 3근거 선택evidence_selection

    반도체층과 전기적 연결 관계가 명시된 '소오스 전극' 및 '드레인 전극'을 근거로 선택한다.

    • 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되며, 산화물을 포함하는 반도체층
  4. 4논리 통합logical_integration

    반도체층이 소오스 전극 및 드레인 전극과 전기적으로 연결된다는 문맥을 통해 두 전극이 정답임을 확인한다.

    • 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되며, 산화물을 포함하는 반도체층
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    질문에 대한 답변으로 소오스 전극과 드레인 전극을 도출한다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.

최종 답변 (final_answer)
소오스 전극 및 드레인 전극
핵심 해석 (core_interpretation)
본 청구항은 산화물 반도체층과 전기적으로 연결되는 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터의 구조적 연결 관계를 정의하고 있다.