다층의 전하저장층을 가지는 플로팅 게이트, 플로팅게이트의 제조방법, 이를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및그 제조방법 document_id 1020070097519

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 각단의 고분자 전해질막은 양전하를 가지는 제1전해질막과 음전하를 가지고 제2전해질막이 교대로 다단으로 적층되고,상기 금속 나노 크리스탈은 고분자 전해질막과 정전기적 인력, 수소결합 및 공유결합 중 어느하나의방법결합되는것을특징으로 하는비휘발성 메모리 장치용 플로팅 게이트. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 터널링 산화막과 컨트롤 산화막은 각각실리콘 산화물(sio2), 알루미늄 산화물(al2o3), 지르코늄 산화물, 지르코늄 실리케이트, 하프늄 산화물(hfo2), 및 하프늄 실리케이트로 이루어지는 군에서 선택된적어도하나로이루어지는것을특징으로 하는비휘발성 메모리 장치용 플로팅 게이트. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 고분자전해질막은적어도하나층으로이루어지는것을특징으로 하는비휘발성 메모리 장치. [청구항 6] 제4항에 있어서,상기 고분자 전해질막은 아민(amine)그룹, 술포닉에식드 (-so3-) 및 카르복실릭엑시드(coo-) 그룹 중에서 선택된 적어도 어느하나의박막형성되는것을특징으로 하는비휘발성 메모리 장치. [청구항 7] 제4항에 있어서,상기 고분자 전해질막은 양전하를 가지는 제1전해질막과 음전하를 가지고 제2전해질막이 교대로 다단으로 적층되어,금속 나노 크리스탈흡착하는것을특징으로 하는비휘발성 메모리 장치. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기 금속 나노 크리스탈은 고분자 전해질막의 최상부층에 위치한 고분자 전해질막의 전하 종류와 반대로전하종류설정되는것을특징으로 하는비휘발성 메모리 장치. [청구항 9] 제4항에 있어서,상기 금속 나노 크리스탈과 고분자전해질 사이의 자기 조립은 정전기적 인력, 수소결합 및 공유결합 중 어느하나결합으로이루어지는것을특징으로 하는비휘발성 메모리 장치. [청구항 10] 제4항, 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속 나노 크리스탈은, 코발트(co), 철(fe), 니켈(ni), 크롬(cr), 금(au), 은(ag), 구리(cu), 알루미늄(al), 백금(pt), 주석(sn), 텅스텐(w), 루테늄(ru), 팔라듐 (pd) 및 카드뮴(cd)중하나로이루어지는것을특징으로 하는비휘발성 메모리 장치. [청구항 11] 제4항에 있어서,적어도 하나의 고분자전해질막과 적어도 하나의 전하 트랩막은 전하를 저장하는플로팅 게이트형성하는것을특징으로 하는비휘발성 메모리 장치. [청구항 12] 제4항에 있어서,상기 플로팅 게이트는 poly(allylamine), poly(styrenesulfonate), poly(allylamine) 및 음전하를 갖는 다수의 금(au) 나노 크리스탈로 이루어진 전하 트랩막이 순차적으로 적층된구조로이루어지는것을특징으로 하는비휘발성 메모리 장치. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 각단의 고분자 전해질막은 표면의 전하 종류가 서로 다른 적어도 두개의 고분자 전해질 박막이 적층된구조이루어지는것을특징으로 하는비휘발성 메모리 장치.