문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 액티브 패턴은 100∼800å높이갖는것을특징으로 하는제로 캐패시터 램.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기soi 기판의 매몰절연막과 상기 제1절연막 사이에 개재된버퍼막더포함하는것을특징으로 하는제로 캐패시터 램.
[청구항 4]
제 3 항에 있어서,상기 버퍼막은질화막포함하는것을특징으로 하는제로 캐패시터 램.
[청구항 5]
제 1 항에 있어서,상기 게이트의 양 측벽에 형성된스페이서더포함하는것을특징으로 하는제로 캐패시터 램.
[청구항 6]
제 1 항에 있어서,상기 소오스는이온주입층이루어진것을특징으로 하는제로 캐패시터 램.
[청구항 7]
제 6 항에 있어서,상기 이온주입층은 n형 불순물이 이온주입되어구성된것을특징으로 하는제로 캐패시터 램.
[청구항 8]
제 1 항에 있어서,상기 드레인용 금속막nan은베리어금속막포함하는것을특징으로 하는제로 캐패시터 램.
[청구항 9]
제 8 항에 있어서,상기 드레인용 금속막은 w막을 포함하고, 상기 베리어 금속막은 ti/tin/wn의삼중막포함하는것을특징으로 하는제로 캐패시터 램.
[청구항 10]
제 1 항에 있어서,상기 드레인과 액티브 패턴 사이에 형성된 오믹 콘택층용 도핑된 실리콘에피층더포함하는것을특징으로 하는제로 캐패시터 램.
[청구항 11]
제 1 항에 있어서,상기 콘택플러그 및 비트라인이 형성된 부분을 제외한 나머지 게이트들 사이 영역에 형성된제2절연막더포함하는것을특징으로 하는제로 캐패시터 램.
[청구항 12]
제 1 항에 있어서,상기 콘택플러그는폴리실리콘막으로이루어진것을특징으로 하는제로 캐패시터 램.
[청구항 13]
제 1 항에 있어서,상기 비트라인은금속막으로이루어진것을특징으로 하는제로 캐패시터 램.
[청구항 14]
제 13 항에 있어서,인용 금속막nan은베리어금속막포함하는것을특징으로 하는제로 캐패시터 램.
[청구항 15]
제 14 항에 있어서,상기 드레인용 금속막은 w막을 포함하고, 상기 베리어 금속막은 ti/tin/wn의삼중막포함하는것을특징으로 하는제로 캐패시터 램.
[청구항 16]
제 1 항에 있어서,상기 비트라인nan은하드마스크포함하는것을특징으로 하는제로 캐패시터 램.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
제로 캐패시터 램에서 드레인용 금속막의 구성 요소와 해당 금속막에 포함되는 베리어 금속막의 구체적인 층 구성을 설명하시오.
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제로 캐패시터 램의 드레인용 금속막 구성 요소와 그 안에 포함된 베리어 금속막의 층 구성을 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 8, 9, 15를 통해 드레인용 금속막과 베리어 금속막에 관한 정보를 추출한다.
- 상기 드레인용 금속막은 w막을 포함하고, 상기 베리어 금속막은 ti/tin/wn의삼중막포함하는것을특징으로 하는제로 캐패시터 램
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3근거 선택
evidence_selection드레인용 금속막이 w막을 포함한다는 점과 베리어 금속막이 ti/tin/wn 삼중막이라는 구절을 선택한다.
- 상기 드레인용 금속막은 w막을 포함하고, 상기 베리어 금속막은 ti/tin/wn의삼중막포함하는것을특징으로 하는제로 캐패시터 램
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4논리 통합
logical_integration드레인용 금속막의 구성 요소는 w막이며, 이 금속막에 포함되는 베리어 금속막은 ti, tin, wn으로 이루어진 삼중막 구조임을 결합한다.
- 상기 드레인용 금속막은 w막을 포함하고, 상기 베리어 금속막은 ti/tin/wn의삼중막포함하는것을특징으로 하는제로 캐패시터 램
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 답변하기 위해 드레인용 금속막의 구성(w막)과 베리어 금속막의 층 구성(ti/tin/wn 삼중막)을 정리한다.
- 상기 드레인용 금속막은 w막을 포함하고, 상기 베리어 금속막은 ti/tin/wn의삼중막포함하는것을특징으로 하는제로 캐패시터 램
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 상기 드레인용 금속막은 w막을 포함하고, 상기 베리어 금속막은 ti/tin/wn의삼중막포함하는것을특징으로 하는제로 캐패시터 램
최종 답변 (final_answer)
제로 캐패시터 램의 드레인용 금속막은 w막을 포함하며, 해당 금속막에 포함되는 베리어 금속막은 ti/tin/wn의 삼중막으로 구성된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 드레인용 금속막으로 w막을 사용하고, 그 내부에 ti/tin/wn 삼중막 구조의 베리어 금속막을 형성하여 드레인 구조를 구성하는 기술에 관한 것이다.