메모리 디바이스, 특히 트랜지스터를 갖는 상 변화 랜덤 액세스 메모리 디바이스, 및 메모리 디바이스를 제조하는 방법 document_id 1020070129966

[청구항 1] 메모리 셀들의 어레이를 포함하는 집적 회로에 있어서, 각각의 메모리 셀은 스위칭 활성 물질의 볼륨(volume)을 포함하고, 상기 스위치 활성 물질의 볼륨은 비-도전성 나노와이어 주위에 형성된 링-형상의 콘택에 의해 접촉되는 것을 특징으로 하는 집적 회로 [청구항 2] 제 2 항에 있어서,상기 링-형상의 콘택은 상기 나노와이어 주위에 스페이서형성되는것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 링-형상의콘택의두께미만인것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 4] 제 3 항에 있어서,상기 링-형상의콘택의두께미만인것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 링-형상의콘택의물질금속인것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,상기 링-형상의콘택의물질티타늄 질화물인것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 스위칭 활성 물질은 상 변화물질인것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 링-형상의 콘택의 내부 직경은 65 nm이거나 그보다 짧은 것특징으로 하는집적 회로. [청구항 9] 복수의 메모리 셀들을 갖는 집적 회로에 있어서, 각각의 메모리 셀은 스위칭 활성 물질의 볼륨, 선택 소자, 및 비-도전성 물질의 나노와이어 주위를 둘러싸는 도전성 물질 층으로서 형성된 도전성 물질의 나노튜브를 포함하며, 상기 스위칭 활성 물질의 볼륨은 상기 나노튜브를 통해 상기 선택 소자에 커플링되고, 상기 나노튜브의 제 1 링-형상의 앞면은 상기 스위칭 활성 물질의 볼륨에 대한 콘택을 형성하는 것을 특징으로 하는 집적 회로 [청구항 10] 제 9 항에 있어서,상기 나노튜브의 제 2 단부는 또 다른도전체커플링되는것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 11] 제 10 항에 있어서,상기 나노튜브의 제 2 단부는 그 안쪽에서선택 트랜지스터의드레인커플링되는것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 12] 제 9 항에 있어서,상기 나노튜브의 제 2 단부에서상기나노튜브의외부직경감소하는것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 13] 제 9 항에 있어서,상기 도전성 물질 층은 상기 나노와이어 주위에 스페이서형성되는것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 14] 제 12 항에 있어서,상기 나노튜브의 상기 도전성 물질nan은티타늄 질화물인것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 15] 제 12 항에 있어서,상기 나노와이어의 상기 비-도전성 물질은진성 실리콘인것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 16] 제 9 항에 있어서,상기 나노튜브의 내부 직경nan은미만인것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 17] 제 9 항에 있어서,상기 나노튜브의 벽의 두께는 10 nm미만미만인것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 18] 제 9 항에 있어서,상기 나노튜브의 길이는50내지사이인것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 19] 웨이퍼 상에 형성된 복수의 메모리 셀들을 갖는 집적 회로에 있어서, 상기 웨이퍼의 기존(original) 표면은 수평 기준 평면으로서 역할하고, 각각의 메모리 셀들은: - 스위칭 활성 물질의 볼륨; - 상기 복수의 메모리 셀들로부터 메모리 셀을 선택하는 선택 소자; 및 - 상기 스위칭 활성 물질의 볼륨을 연결하는 도전성 물질의 나노튜브를 포함하고, 상기 나노튜브의 회전 축은 기준 평면에 대해 수직이며, 상기 나노튜브는 비 -도전성 물질의 나노와이어를 둘러싸는 도전성 물질 층으로서 형성되고, 상기 나노튜브의 제 1 단부에서 상기 링-형상의 앞면은 상기 스위칭 활성 물질의 볼륨에 대한 콘택을 형성하는 것을 특징으로 하는 집적 회로 [청구항 20] 제 19 항에 있어서,상기 나노튜브의 앞면nan은상기스위칭활성물질의볼륨의하부 전극콘택형성하는것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 21] 제 19 항에 있어서,상기 스위칭 활성 물질의 볼륨은 상기 나노튜브를 통해상기선택 소자커플링되는것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 22] 제 19 항에 있어서,상기 나노튜브는 그 내부에서 상기 스위칭 활성 물질의 볼륨에 커플링된 그대향단부접촉되는것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 23] 제 19 항에 있어서,상기 나노튜브의 내부 직경nan은미만인것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 24] 제 19 항에 있어서,상기 나노튜브의 벽의 두께는 10 nm미만미만인것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 25] 제 19 항에 있어서,상기 나노튜브는 상기 선택 소자의 드레인을 향해 그나머지단부커플링되는것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 26] 제 19 항에 있어서,상기 나노튜브의 물질은 티타늄질화물인것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 27] 제 19 항에 있어서,상기 스위칭 활성 물질은 상 변화물질인것을특징으로 하는집적 회로.