플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법 및 컴퓨터 판독가능한 기억 매체 document_id 1020077001691

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 직류 전원은, 상기 제 1 전극으로의 인가 전압, 인가 전류 및 인가 전력 중 어느하나가변인것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 제어 장치는, 상기 직류 전원으로부터 상기 제 1 전극으로의직류전압의인가여부제어하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,생성된 플라즈마의 상태를 검출하는 검출기를 더 구비하고, 이 검출기의 정보에 근거하여 상기 제어 장치가 상기 직류 전원으로부터 상기 제 1 전극으로의 인가 전압, 인가 전류 및 인가 전력 중 어느하나제어하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극은 상부 전극이고,상기제2전극하부 전극인것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,상기 제 1 전극에 인가되는제1고주파전력의주파수이상인것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 제 1 전극에 인가되는제1고주파전력의주파수이상인것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 8] 제 5 항에 있어서,상기 제 2 전극에 인가되는제2고주파전력의주파수이하인것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 직류 전압은, 상기 제 1 전극에 인가되는 제 1 고주파 전력에 의해 상기 제 1 전극의 표면에 발생하는 자기 바이어스 전압보다 절대값이 큰 부(負전압인것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 10] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극의 상기 제 2 전극과의 대향면은,실리콘 함유물질형성되어있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 11] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극에 인가된 상기 직류 전원으로부터의 직류 전압에 근거한 전류를 플라즈마를 거쳐 방출하기 위하여, 상시 접지되어 있는도전성부재를상기처리 용기내마련하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 12] 제 11 항에 있어서,상기 제 1 전극은 상부 전극이고, 상기 제 2 전극은 하부 전극이며, 상기 도전성 부재는상기제2전극의주위설치되는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 13] 제 11 항에 있어서,상기 제 1 전극은 상부 전극이고, 상기 제 2 전극은 하부 전극이며, 상기 도전성 부재는상기제1전극의근방배치되는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 14] 제 13 항에 있어서,상기 도전성 부재는 상기 제 1 전극의 외측에링형상배치되는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 15] 제 11 항에 있어서,상기 도전성 부재는 플라즈마 처리시의 비상물(飛翔物)의 부착을 방지하기 위한오목부있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 16] 제 11 항에 있어서,상기 도전성 부재의 일부를 덮는 보호판을 갖고, 상기 보호판을 상기 도전성 부재에 대하여 상대 이동시키는 구동 기구에 의해, 상기 도전성 부재의 플라즈마에 노출되는부분변화하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 17] 제 11 항에 있어서,상기 도전성 부재는 그 일부가 플라즈마에 노출되는 원기둥 형상이며, 상기 도전성 부재를 원기둥의 축을 중심으로 회전시키는 구동 기구에 의해, 상기 도전성 부재의 플라즈마에 노출되는부분변화하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 18] 제 11 항에 있어서,상기 도전성 부재의 일부를 덮고, 또한 플라즈마에 의해 에칭될 수 있는 재질을 갖는 단차 형상의 보호막을 갖고, 상기 보호막이 에칭되는 것에 의해, 상기 도전성 부재의 플라즈마에 노출되는부분변화하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 20] 제 19 항에 있어서,상기 직류 전원은, 상기 내측 전극과 상기 외측 전극에 인가하는 직류 전압을 각각 독립적으로 변화시키는 것가능한것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 21] 제 20 항에 있어서,상기 내측 전극과 상기 외측 전극에는, 각각 서로 다른 직류 전원으로부터직류전압인가되는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 22] 제 19 항에 있어서,상기 전원의 한쪽의 극을 상기 내측 전극에 접속하고, 다른쪽의극을상기외측전극접속하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 23] 제 19 항에 있어서,상기 직류 전원은, 상기 제 1 전극으로의 인가 전압, 인가 전류 및 인가 전력 중 어느하나가변인것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 24] 제 19 항에 있어서,상기 제어 장치는, 상기 직류 전원으로부터 상기 제 1 전극으로의직류전압의인가여부제어하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 25] 제 19 항에 있어서,생성된 플라즈마의 상태를 검출하는 검출기를 더 구비하고, 이 검출기의 정보에 근거하여 상기 제어 장치가 상기 직류 전원으로부터 상기 제 1 전극으로의 인가 전압, 인가 전류 및 인가 전력 중 어느하나제어하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 26] 제 19 항에 있어서,상기 제 1 전극은 상부 전극이고,상기제2전극하부 전극인것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 27] 제 26 항에 있어서,상기 제 1 전극에 인가되는제1고주파전력의주파수이상인것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 28] 제 27 항에 있어서,상기 제 1 전극에 인가되는제1고주파전력의주파수이상인것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 29] 제 26 항에 있어서,상기 제 2 전극에 인가되는제2고주파전력의주파수이하인것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 30] 제 19 항에 있어서,상기 직류 전압은, 상기 제 1 전극에 인가되는 제 1 고주파 전력에 의해 상기 제 1 전극의 표면에 발생하는 자기 바이어스 전압보다 절대값이 큰부전압인것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 31] 제 19 항에 있어서,상기 제 1 전극의, 상기 제 2 전극과의 대향면은,실리콘 함유물질형성되어있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 32] 제 19 항에 있어서,상기 제 1 전극에 인가된 상기 직류 전원으로부터의 직류 전압에 근거한 전류를 플라즈마를 거쳐 방출하기 위하여, 상시 접지되어 있는도전성부재를상기처리 용기내마련하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 33] 제 32 항에 있어서,상기 제 1 전극은 상부 전극이고, 상기 제 2 전극은 하부 전극이며, 상기 도전성 부재는상기제2전극의주위설치되는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 34] 제 32 항에 있어서,상기 제 1 전극은 상부 전극이고, 상기 제 2 전극은 하부 전극이며, 상기 도전성 부재는상기제1전극의근방배치되는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 35] 제 34 항에 있어서,상기 도전성 부재는 상기 제 1 전극의 외측에링형상배치되는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 36] 제 32 항에 있어서,상기 도전성 부재는, 플라즈마 처리시의 비상물의 부착을 방지하기 위한오목부있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 37] 제 32 항에 있어서,상기 도전성 부재의 일부를 덮는 보호판을 갖고, 상기 보호판을 상기 도전성 부재에 대하여 상대 이동시키는 구동 기구에 의해, 상기 도전성 부재의 플라즈마에 노출되는부분변화하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 38] 제 32 항에 있어서,상기 도전성 부재는 그 일부가 플라즈마에 노출되는 원기둥 형상이며, 상기 도전성 부재를 원기둥의 축을 중심으로 회전시키는 구동 기구에 의해, 상기 도전성 부재의 플라즈마에 노출되는부분변화하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 39] 제 32 항에 있어서,상기 도전성 부재의 일부를 덮고, 또한 플라즈마에 의해 에칭될 수 있는 재질을 갖는 단차 형상의 보호막을 가지며, 상기 보호막이 에칭되는 것에 의해, 상기 도전성 부재의 플라즈마에 노출되는부분변화하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치.