문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 축적 영역은 제1 전도형으로 도핑되며, 상기 채널 영역은제2전도형도핑되는것을특징으로 하는jfet 포토센서.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 축적 영역은 도핑된 n-형이며, 상기 축적 영역은 도핑된형인것을특징으로 하는jfet 포토센서.
[청구항 5]
제4항에 있어서,상기 감광 소자는 jfet트랜지스터의매설게이트영역포함하는것을특징으로 하는픽셀 센서 셀.
[청구항 6]
제4항에 있어서,상기 감광 소자의 제1 측면에 인접하여 상기 제1 측면 상부에 위치하며, 상기 채널 영역에 전압을 인가하기 위한 제1 접점; 및상기 채널 영역으로부터 독출 신호를 받기 위한제2접점더포함하는것을특징으로 하는픽셀 센서 셀.
[청구항 7]
제6항에 있어서,상기 제2 접점nan은로우 선택 트랜지스터와전기적연결되는것을특징으로 하는픽셀 센서 셀.
[청구항 8]
제4항에 있어서,상기 축적 영역의 전하를 리셋하기 위한회로더포함하는것을특징으로 하는픽셀 센서 셀.
[청구항 9]
제4항에 있어서,상기 회로는 적어도 리셋 상태에서 상기 채널의 저항을 표시하는 제1 신호 및 집적 주기의 끝에 상기 채널의 저항을 표시하는 제2 신호를 수신하기 위한샘플및홀드 회로포함하는것을특징으로 하는픽셀 센서 셀.
[청구항 10]
제5항에 있어서,픽셀 센서 셀의 필 팩터(fill factor)는50퍼센트이상인것을특징으로 하는픽셀 센서 셀.
[청구항 11]
제5항에 있어서,상기 셀은 상기 채널 영역으로부터의 저항을 표시하는 신호를 연속적으로 독출할 수있는것을특징으로 하는픽셀 센서 셀.
[청구항 13]
제12항에 있어서,상기 제1 접점nan은로우 선택 트랜지스터연결되는것을특징으로 하는픽셀 센서 셀.
[청구항 14]
제13항에 있어서,채널 영역에 전기적으로 연결되며, 상기 채널 영역에 전압을 제공하기 위하여 조절되는제2접점더포함하는것을특징으로 하는픽셀 센서 셀.
[청구항 15]
제12항에 있어서,픽셀 센서의 필 팩터는50퍼센트이상인것을특징으로 하는픽셀 센서 셀.
[청구항 16]
제12항에 있어서,상기 전하 축적 영역은 상기 전하 축적 영역을 둘러싸는 필드를 효율적으로 형성할 수있는것을특징으로 하는픽셀 센서 셀.
[청구항 18]
제17항에 있어서,상기 하나 이상의 픽셀 센서 셀은 상기 채널 영역에 전압을 인가하기 위한 제1 터미널 접점 및 독출을 수행하기 위한제2터미널접점더포함하는것을특징으로 하는픽셀 센서 셀의 어레이.
[청구항 19]
제18항에 있어서,상기 하나 이상의 픽셀 센서 셀은 상기 제2 터미널 접점으로부터 선택적으로 신호를 독출하기 위한제1로우 선택 트랜지스터더포함하는것을특징으로 하는픽셀 센서 셀의 어레이.
[청구항 21]
제20항에 있어서,상기 포토센서는 기판의 최상면 아래에 매설된 jfet게이트영역포함하는것을특징으로 하는픽셀 센서 셀의 어레이.
[청구항 22]
제20항에 있어서,상기 리셋 트랜지스터는 상기 축적 영역에 인접하여상기축적 영역상부형성되는것을특징으로 하는픽셀 센서 셀의 어레이.
[청구항 23]
제22항에 있어서,상기 하나 이상의 픽셀 센서 셀은, 상기 축적 영역 반대편의 상기 리셋 트랜지스터의 한 측면 상에서 상기 리셋 트랜지스터에 인접하여 기판에 형성되는드레인 영역더포함하는것을특징으로 하는픽셀 센서 셀의 어레이.
[청구항 24]
제23항에 있어서,상기 드레인 영역은 상기 리셋 트랜지스터의 활성화를 통하여 상기 축적 영역으로부터전하조절되는것을특징으로 하는픽셀 센서 셀의 어레이.
[청구항 25]
제20항에 있어서,상기 하나 이상의 픽셀 센서 셀은 신호를 독출하기 위하여 상기 제2 터미널 접점에 연결되는로우 선택 트랜지스터더포함하는것을특징으로 하는픽셀 센서 셀의 어레이.
[청구항 26]
제20항에 있어서,상기 하나 이상의 픽셀 센서 셀은 연속적으로 신호를 독출할 수있는것을특징으로 하는픽셀 센서 셀의 어레이.
[청구항 28]
제27항에 있어서,상기 독출 회로는 신호를 상기 제1 및 제2 터미널 접점으로부터 독출 터미널로 선택적으로 게이팅(gating)하는로우 선택 트랜지스터포함하는것을특징으로 하는이미징 시스템.
[청구항 29]
제27항에 있어서,상기 하나 이상의 픽셀 셀은 축적 영역에 축적된 전하를 리셋 상태로 리셋하는리셋 트랜지스터더포함하는것을특징으로 하는이미징 시스템.
[청구항 30]
제29항에 있어서,상기 리셋 트랜지스터는 상기 축적 영역으로부터 인접한 드레인 영역 내로 전하를 전송하도록조절되는것을특징으로 하는이미징 시스템.
[청구항 31]
제28항에 있어서,상기제1 및 제2 터미널 접점은 상기 픽셀 셀로부터 리셋 상태를 표시하는 리셋 신호를 생성할 수있는것을특징으로 하는이미징 시스템.
지시문 (instruction)
주어진 특허 청구항을 읽고 구성요소의 기능과 역할을 분석하여 질문에 답하라. 문맥에 제시된 표현을 중심으로 답하라.
질문 (question)
픽셀 센서 셀의 축적 영역에 축적된 전하를 리셋하기 위해 사용되는 트랜지스터는 어떤 영역으로 전하를 전송하도록 조절되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation픽셀 센서 셀의 축적 영역에 있는 전하를 리셋하는 트랜지스터가 전하를 어느 영역으로 전송하는지 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 29와 30에서 리셋 트랜지스터의 기능과 전하 전송 경로에 관한 정보를 추출한다.
- 상기 하나 이상의 픽셀 셀은 축적 영역에 축적된 전하를 리셋 상태로 리셋하는 리셋 트랜지스터를 포함하는; 상기 리셋 트랜지스터는 상기 축적 영역으로부터 인접한 드레인 영역 내로 전하를 전송하도록 조절되는
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3근거 선택
evidence_selection리셋 트랜지스터가 전하를 전송하는 대상 영역인 '드레인 영역'이 명시된 구절을 선택한다.
- 상기 리셋 트랜지스터는 상기 축적 영역으로부터 인접한 드레인 영역 내로 전하를 전송하도록조절되는
-
4논리 통합
logical_integration리셋 트랜지스터는 축적 영역의 전하를 리셋하기 위해 사용되며, 이 트랜지스터는 전하를 인접한 드레인 영역으로 전송하도록 조절된다는 논리를 연결한다.
- 상기 리셋 트랜지스터는 상기 축적 영역으로부터 인접한 드레인 영역 내로 전하를 전송하도록조절되는
-
5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 전하가 전송되는 영역은 '드레인 영역'임을 도출한다.
- 인접한 드레인 영역 내로 전하를 전송하도록조절되는
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 인접한 드레인 영역
최종 답변 (final_answer)
인접한 드레인 영역
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 리셋 트랜지스터를 통해 축적 영역의 전하를 인접한 드레인 영역으로 전송함으로써 픽셀 셀의 전하를 리셋하는 구조를 제공한다.