다이아몬드 반도체소자 및 이의 제조방법 document_id 1020077009125

[청구항 2] 제 1항에 있어서,상기 단결정 다이아몬드 박막 표면의 면방위와 상기 단결정 다이아몬드 박막의 결정축[001] 방향과 이루는 각도αd, 또는 상기 채널의 형성면 면방위와 상기 단결정 다이아몬드 박막의 결정축[001] 방향과 이루는 각도αc는, 0.05도 내지 1.1도범위로이루어진것을특징으로 하는전계효과 트랜지스터. [청구항 4] 제 3항에 있어서,상기 단결정 다이아몬드 박막 표면의 면방위와 상기 단결정 다이아몬드 박막의 결정축[001] 방향과 이루는 각도αd, 또는 상기 채널의 형성면에 면방위와 상기 단결정 다이아몬드 박막의 결정축[001] 방향과 이루는 각도αc는, 0.05도 내지 1.1도범위로하는것을특징으로 하는전계효과 트랜지스터. [청구항 6] 제 5항에 있어서,상기 채널 표면의 면방위와 상기 단결정 다이아몬드 박막의 결정축[001] 방향과 이루는 각도αc는, 0.05도 내지 1.1도범위로하는것을특징으로 하는전계효과 트랜지스터. [청구항 7] 제 3항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은 단결정 다이아몬드 기판이고, 상기 단결정 다이아몬드 기판과 상기 단결정 다이아몬드 박막과의 계면 면방위와 상기 단결정 다이아몬드 기판의 결정축[001] 방향과 이루는 각도αs는, 0.05도 내지 1.1도범위로하는것을특징으로 하는전계효과 트랜지스터. [청구항 8] 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 게이트전극의 길이방향과 상기 단결정 다이아몬드 박막의 결정축 [110] 방향과 이루는 각도β는,마이너스30도내지플러스30도범위로하는것을특징으로 하는전계효과 트랜지스터. [청구항 13] 제 12항에 있어서,번째 거리가, 0.1μm 내지 10μm의 범위이고, 상기 두번째 거리가 상기 첫번째거리범위인것을특징으로 하는다이아몬드 반도체소자. [청구항 14] 제 12항 또는 제 13항에 있어서,번째 거리가, 0.1μm 내지 50μm의 범위에 있고, 상기 네번째 거리가 상기 세번째거리범위인것을특징으로 하는다이아몬드 반도체소자. [청구항 15] 제 12항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 있어서,번째 영역의 두께는, 0.01μm 내지 0.2μm의 범위이고, 상기 두번째영역두께이상인것을특징으로 하는다이아몬드 반도체소자. [청구항 16] 제 12항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 있어서,번째 영역의 두께는 0.01μm 내지 0.2μm의 범위이고, 상기 네번째영역두께이상인것을특징으로 하는다이아몬드 반도체소자. [청구항 18] 제 17항에 있어서,번째 거리가 0.1μm 내지 10μm의 범위이고, 상기 두번째 거리가 상기 첫번째거리범위로하는것을특징으로 하는반도체소자. [청구항 19] 제 17항 또는 제 18항에 있어서,번째 거리가 0.1μm 내지 50μm의 범위이고, 상기 네번째 거리가 상기 세번째거리범위로하는것을특징으로 하는다이아몬드 반도체소자. [청구항 20] 제 17항 내지 제 19항 중 어느 한 항에 있어서,번째 하부 금속막의 두께는 0.01μm 내지 0.2μm의 범위이고, 상기 첫번째상부금속막의영역두께이상인것을특징으로 하는다이아몬드 반도체소자. [청구항 21] 제 17항 내지 제 20항 중 어느 한 항에 있어서,번째 하부 금속막의 두께는 0.01μm 내지 0.2μm의 범위이고, 상기 두번째상부금속막두께이상인것을특징으로 하는다이아몬드 반도체소자. [청구항 22] 제 17항 내지 제 21항 중 어느 한 항에 있어서,번째 하부 금속막은 금 또는 그것을 포함하는 합금으로 만들고, 상기 첫번째 상부 금속막은 금, 백금, 파라듐, 티탄, 몰리브덴, 텅스텐 중에서 어느 금속이거나 그것을 포함하는 합금으로 만들어진 것특징으로 하는반도체소자. [청구항 23] 제 17항 내지 제 22항 중 어느 한 항에 있어서,번째 하부 금속막은 금 또는 그것을 포함하는 합금으로 만들고. 상기 두번째 상부 금속막은 금, 백금, 파라듐, 티탄, 몰리브덴, 텅스텐 중에서 어느 금속이거나 그것을 포함하는합금가능한것을특징으로 하는반도체소자. [청구항 42] 제 41항에 있어서,상기 도펀트원소 농도는 각 온도에서 상기 p형 다이아몬드 반도체 중의 정공농도를 1.0×1015cm-3 이상으로 하는 농도이고, 동시에 1.0×1021cm-3이하농도인것을특징으로 하는p형 다이아몬드 반도체. [청구항 43] 제 41항 또는 제 42항에 있어서,상기 도펀트원소로서 al을 2.6×1016cm-3 이상 1.0×1021cm-3이하의농도함유하는것을특징으로 하는p형 다이아몬드 반도체. [청구항 44] 제 41항 또는 제 42항에 있어서,상기 도펀트원소로서 be을 1.3×1016cm-3 이상 1.0×1021cm-3이하의농도함유하는것을특징으로 하는p형 다이아몬드 반도체. [청구항 45] 제 41항 또는 제 42항에 있어서,상기 도펀트원소로서 ca을 3.2×1016cm-3 이상 1.0×1021cm-3이하의농도함유하는것을특징으로 하는p형 다이아몬드 반도체. [청구항 46] 제 41항 또는 제 42항에 있어서,상기 도펀트원소로서 cd을 6.4×1015cm-3 이상 1.0×1021cm-3이하의농도함유하는것을특징으로 하는p형 다이아몬드 반도체. [청구항 47] 제 41항 또는 제 42항에 있어서,상기 도펀트원소로서 ga을 8.1×1015cm-3 이상 1.0×1021cm-3이하의농도함유하는것을특징으로 하는p형 다이아몬드 반도체. [청구항 48] 제 41항 또는 제 42항에 있어서,상기 도펀트원소로서 in을 5.1×1015cm-3 이상 1.0×1021cm-3이하의농도함유하는것을특징으로 하는p형 다이아몬드 반도체. [청구항 49] 제 41항 또는 제 42항에 있어서,상기 도펀트원소로서 li을 3.2×1016cm-3 이상 1.0×1021cm-3이하의농도함유하는것을특징으로 하는p형 다이아몬드 반도체. [청구항 50] 제 41항 또는 제 42항에 있어서,상기 도펀트원소로서 mg을 1.0×1017cm-3 이상 1.0×1021cm-3이하의농도함유하는것을특징으로 하는p형 다이아몬드 반도체. [청구항 51] 제 41항 또는 제 42항에 있어서,상기 도펀트원소로서 zn을 1.6×1016cm-3 이상 1.0×1021cm-3이하의농도함유하는것을특징으로 하는p형 다이아몬드 반도체.