양극성 반도체 광방출과 레이저 장치 및 방법 document_id 1020077022086

[청구항 10] 제9항에 있어서,상기 전기 신호는, ac 여자(勵磁) 신호를 포함하며, 각 여자 신호 사이클의 일부(part)는 시뮬레이트된 방출을 생성하기 위해 작동하고, 또 다른 각 여자 신호 사이클의 일부는 자연 방출를 생성하기위해작동하는광펄스 생성장치. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 사이클의 상기 일부에서, 전류는 베이스 영역 내에서 상기 장치의 시뮬레이트된 방출 문턱치를 초과하며, 상기 사이클의 다른 상기 일부에서, 전류는 베이스 영역 내에서 상기 문턱치초과하지 않는광펄스 생성장치. [청구항 12] 제9항에 있어서,상기 출력 레이저 펄스의 주파수를 제어하기 위해서 상기 여자 신호의 주파수를 제어하는 방법과, 상기 출력 레이저 펄스의 펄스폭을 제어하기 위해서 상기 여자 신호의 상대 진폭을 제어하는 방법더 포함하는광펄스 생성장치. [청구항 13] 제9항에 있어서,상기 출력 레이저 펄스의 펄스폭을 제어하기 위해서 상기 여자 신호의 상대 진폭을 제어하는 방법더 포함하는광펄스 생성장치. [청구항 14] 제10항에 있어서,상기ac 여자 신호를 적어도 약 1ghz의 주파수로 공급하는 방법더 포함하는광펄스 생성장치. [청구항 15] 제10항 또는 제13항에 있어서,상기ac 여자 신호를 적어도 약 3ghz의 주파수로 공급하는 방법더 포함하는광펄스 생성장치. [청구항 21] 제20항에 있어서,상기 베이스 영역은 적어도 부분적으로 광방사(optical radiation)를 반사하는 반사기를 포함하는 광공동공진기 내(內)에 있으며, 상기 광출력은 레이저 출력포함하는광출력 생성장치. [청구항 22] 제20항 또는 제21항에 있어서,상기 레이저 출력은 복수의 연결된 레이저 빔포함하는광출력 생성장치. [청구항 23] 제20항 또는 제22항에 있어서,상기 제1 전기 신호는 주파수(f1)를 가지고, 상기 제2 전기 신호는 주파수(f2)를 가지며, 상기 광출력은 f1+f2,｜f1-f2｜, 2f1+f2, 2f2+f1, ｜2f1-f2｜, 및｜2f2-f1｜으로 이루어진 그룹으로부터의 주파수 성분포함하는광출력 생성장치. [청구항 24] 제20항 또는 제21항에 있어서,상기 광 커플링은 광섬유포함하는광출력 생성장치. [청구항 25] 제20항에 있어서,상기 베이스 영역은 양자 크기 효과(quantum size effect)를 나타내는 적어도 하나의 층포함하는광출력 생성장치. [청구항 26] 제20항에 있어서,상기 양자 크기 효과를 나타내는 적어도 하나의 층은 적어도 하나의 양자웰포함하는광출력 생성장치. [청구항 27] 제20항 또는 제21항에 있어서,상기제1 및 제2 전기 신호를 생성하기 위한 제1 및 제2 제어가능한 발진기더 포함하는광출력 생성장치. [청구항 28] 제20항 또는 제21항에 있어서,상기제1 및 제2 전기 신호를 생성하기 위한 신호 발생기와, 상기 제1 및 제2 전기 신호 사이에서 위상 변이(phase shift)를 생성하기 위한 위상 변더 포함하는광출력 생성장치. [청구항 35] 제29항 또는 제30항에 있어서,상기제1 및 제2 전기 신호를 공급하는 스텝은, 상기 제1 및 제2 전기 신호를 생성하기 위한 신호 발생기를 공급하는 것과, 상기 제1 및 제2 전기 신호 사이에서 위상 변이(phase shift)를 생성하기 위한 위상 변더 포함하는광출력 생성장치. [청구항 37] 제36항에 있어서,상기 복수의 전기 신호는 4개의 전기 신호를 포함하며, 상기 복수의 베이스 전극은 네 개의 전극포함하는광출력 생성장치. [청구항 38] 제36항 또는 제37항에 있어서,상기 트랜지스터 장치는 레이저 장치이며, 상기 광출력레이저 출력인광출력 생성장치. [청구항 39] 제38항에 있어서,상기 광 커플링은 광섬유포함하는광출력 생성장치. [청구항 40] 제36항에 있어서,상기 트랜지스터는 에지 광방출(edge emitting) 레이저 장치이며, 상기 광출력레이저 출력인광출력 생성장치. [청구항 41] 제36항에 있어서,상기 트랜지스터는 수직 캐비티(vertical cavity) 레이저 장치이며, 상기 광출력레이저 출력인광출력 생성장치. [청구항 43] 제42항에 있어서,상기 제1 터널 접합은,상기 콜랙터 컨택트와 연결되는 n+/p+ 영역의 n+층을 가진 층으로 된 n+/p+ 영역과,상기 콜랙터와 연결되는 n+/p+ 영역의 p+층포함하는반도체 광방출 트랜지스터 장치. [청구항 44] 제42항에 있어서,상기 콜랙터는, 상기 베이스와 연결된 콜랙터층과,상기 콜랙터 콘택트와 연결된 p-타입 서브 콜랙터층포함하는반도체 광방출 트랜지스터 장치. [청구항 45] 제44항에 있어서,상기 콜랙터층nan은진성도핑된타입인반도체 광방출 트랜지스터 장치. [청구항 46] 제42항 또는 제43항에 있어서,상기 제2 터널 접합은,상기 이미터 콘택트와 연결되는 n+/p+ 영역의 n+층을 가진 층으로 된 n+/p+ 영역과,상기 이미터와 연결되는 n+/p+ 영역의 p+층포함하는반도체 광방출 트랜지스터 장치. [청구항 47] 제42항, 제43항 또는 제46항 중 어느 한 항에 의해 정의된 반도체 광방출 트랜지스터 장치를 포함하고, 상기 장치의 상기 베이스의 적어도 일부분을 둘러싸는 광공동공진기(optical resonant cavity)를 더 포함하는 반도체 레이저 장치 [청구항 48] 제47항에 있어서,상기 장치의 적어도 일부분은 층으로 된 형태이며, 상기 광공동공진기는 상기 장치의 적어도 일부분의 층 평면(layer plane)에 대한 래터럴 캐비티인반도체 레이저 장치. [청구항 49] 제47항에 있어서,상기 장치의 적어도 일부분은 층으로 된 형태이며, 상기 광공동공진기는 상기 장치의 적어도 일부분의 층 평면(layer plane)에 대한 수직 캐비티인반도체 레이저 장치. [청구항 50] 제42항에 있어서,상기 트랜지스터는 다이렉트 밴드갭(direct bandgap) 반도체 물질의 이질접합포함하는반도체 광방출 트랜지스터 장치. [청구항 51] 제50항에 있어서,상기 장치의 상기 베이스는 두텁게 도핑된 n+영역포함하는반도체 광방출 트랜지스터 장치. [청구항 52] 제50항에 있어서,양자 크기 효과를 나타내는 상기 베이스 내에 하나의 영역더 포함하는반도체 광방출 트랜지스터 장치. [청구항 53] 제52항에 있어서,양자 크기 효과를 나타내는 상기 베이스 내의 상기 영역은 양자웰층포함하는반도체 광방출 트랜지스터 장치. [청구항 54] 제52항에 있어서,양자 크기 효과를 나타내는 상기 베이스 내의 상기 영역은 양자점층포함하는반도체 광방출 트랜지스터 장치. [청구항 57] 제56항에 있어서,상기 제1 터널 접합은,상기 콜랙터 컨택트와 연결되는 n+/p+ 영역의 n+층을 가진 층으로 된 n+/p+ 영역과,상기 콜랙터와 연결되는 n+/p+ 영역의 p+층포함하는반도체 트랜지스터 장치. [청구항 58] 제56항에 있어서,상기 콜랙터는, 상기 베이스와 연결된 콜랙터층과,상기 콜랙터 콘택트와 연결된 p-타입 서브 콜랙터층포함하는반도체 트랜지스터 장치. [청구항 59] 제58항에 있어서,상기 콜랙터층nan은진성도핑된타입인반도체 트랜지스터 장치. [청구항 60] 제56항 또는 제57항에 있어서,상기 제2 터널 접합은,상기 이미터 콘택트와 연결되는 n+/p+ 영역의 n+층을 가진 층으로 된 n+/p+ 영역과,상기 이미터와 연결되는 n+/p+ 영역의 p+층포함하는반도체 트랜지스터 장치.