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반도체 디바이스 및 그 제조 방법 document_id 1020080003998

출원번호
1020080003998
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] 절연층을 중심으로 상면과 하면에 각각 다수의 배선 패턴이 형성된 서브스트레이트 상기 서브스트레이트의 상면에 위치되고, 상면의 배선 패턴과 전기적으로 연결된 제1반도체 상기 제1반도체의 상면에 위치되고, 상기 제1반도체 또는 상면의 배선 패턴과 전기적으로 연결된 제2반도체 상기 제1반도체의 상면으로서 상기 제2반도체의 외주연에 배열된 적어도 하나의 스페이서 상기 제2반도체 다이 및 상기 스페이서의 상면에 공통으로 위치되고, 상면의 배선 패턴과 전기적으로 연결된 제3반도체 상기 제1반도체, 제2반도체, 스페이서 및 제3반도체를 인캡슐레이션하는 인캡슐란트; 및, 상기 서브스트레이트의 하면에 형성된 배선 패턴에 전기적으로 연결된 다수의 솔더볼을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 제1반도체는 상면이 사각 형태로서, 제1모서리, 제2모서리, 제3모서리 및 제4모서리를 가지며, 상기 제2반도체는 상기 제1반도체의 제1모서리에 근접하여 형성되고, 상기 스페이서는 상기 제1반도체의 제2모서리에 근접하여 형성된 제1스페이서와, 상기 제1반도체의 제3모서리에 근접하여 형성된 제2스페이서와, 상기 제1반도체의 제4모서리에 근접하여 형성된 제3스페이서포함하여이루어진것을특징으로 하는반도체 디바이스. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 제1반도체는 상면이 사각 형태로서, 제1모서리, 제2모서리, 제3모서리 및 제4모서리를 가지며, 상기 제2반도체는 상기 제1반도체의 제1모서리에 근접하여 형성되고,상기 스페이서는 상기 제1반도체의 제2모서리 및 제3모서리의 사이에 형성된 제1스페이서와, 상기 제1반도체의 제3모서리와 제4모서리 사이에 형성된 제2스페이서포함하여이루어진것을특징으로 하는반도체 디바이스. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 제1반도체는 상면이 사각 형태로서, 제1모서리, 제2모서리, 제3모서리 및 제4모서리를 가지며, 상기 제2반도체는 상기 제1반도체의 제1모서리에 근접하여 형성되고,상기 스페이서는 상기 제1반도체의 제2모서리에 근접하여 형성된 제1스페이서와, 상기 제1반도체의 제3모서리와 제4모서리 사이에 직사각 형태로 형성된 제2스페이서포함하여이루어진것을특징으로 하는반도체 디바이스. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 제1반도체는 상면이 사각 형태로서, 제1모서리, 제2모서리, 제3모서리 및 제4모서리를 가지며, 상기 제2반도체는 상기 제1반도체의 제1모서리에 근접하여 형성되고,상기 스페이서는 상기 제1반도체의 제2모서리와 제3모서리 사이에 직사각 형태로 형성된 제1스페이서와, 상기 제1반도체의 제3모서리와 제4모서리 사이에 직사각 형태로 형성된 제2스페이서포함하여이루어진것을특징으로 하는반도체 디바이스. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 스페이서는 실리콘, 실리콘 나이트라이드,금속또는유리형성된것을특징으로 하는반도체 디바이스. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 제2반도체및 상기 스페이서와 상기 제3반도체 사이에는접착제더개재된것을특징으로 하는반도체 디바이스. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 제1반도체는 도전성 와이어 또는 도전성 범프에 의해 상기 서브스트레이트에전기적연결된것을특징으로 하는반도체 디바이스. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 제2반도체는 도전성 와이어 또는 도전성 범프에 의해 상기 서브스트레이트에전기적연결된것을특징으로 하는반도체 디바이스. [청구항 10] 제 1 항에 있어서,상기 제2반도체는 도전성 와이어에 의해 상기 서브스트레이트에전기적연결된것을특징으로 하는반도체 디바이스. [청구항 11] 제 1 항에 있어서,상기 제1반도체는 반도체 다이또는반도체패키지인것을특징으로 하는반도체 디바이스. [청구항 12] 제 1 항에 있어서,상기 제2반도체는 반도체 다이또는반도체패키지인것을특징으로 하는반도체 디바이스. [청구항 13] 제 1 항에 있어서,상기 제3반도체는 반도체 다이또는반도체패키지인것을특징으로 하는반도체 디바이스.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1을 기준으로 할 때, 제2반도체의 외주연에 배열되어 제2반도체 다이 및 제3반도체의 상면에 공통으로 위치하며, 상면의 배선 패턴과 전기적으로 연결되는 구성요소는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    청구항 1을 바탕으로 제2반도체의 외주연에 배열되고, 제2반도체 다이 및 제3반도체의 상면에 공통으로 위치하며, 상면 배선 패턴과 전기적으로 연결된 구성요소를 찾는 것이다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 1에서 제2반도체의 외주연에 배열된 구성요소는 '스페이서'이며, 제3반도체의 위치 관계를 확인한다.

    • 상기 제1반도체의 상면으로서 상기 제2반도체의 외주연에 배열된 적어도 하나의 스페이서
  3. 3근거 선택evidence_selection

    제2반도체 다이 및 스페이서의 상면에 공통으로 위치하며 제3반도체가 위치한다는 구절을 선택한다.

    • 상기 제2반도체 다이 및 상기 스페이서의 상면에 공통으로 위치되고, 상면의 배선 패턴과 전기적으로 연결된 제3반도체
  4. 4논리 통합logical_integration

    질문에서 요구하는 조건(제2반도체 외주연 배열, 제2반도체 다이 및 제3반도체 상면에 공통 위치, 배선 패턴과 전기적 연결)을 모두 만족하는 주체는 '스페이서'와 그 상면에 위치한 '제3반도체'의 관계를 통해 '스페이서'임을 도출한다. 단, 질문은 해당 위치에 배열된 '구성요소'를 묻고 있으므로 스페이서가 핵심이다.

    • 상기 제1반도체의 상면으로서 상기 제2반도체의 외주연에 배열된 적어도 하나의 스페이서
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    제2반도체의 외주연에 배열되어 제2반도체 다이 및 제3반도체의 상면에 공통으로 위치하는 구성요소는 '스페이서'이다.

    • 상기 제1반도체의 상면으로서 상기 제2반도체의 외주연에 배열된 적어도 하나의 스페이서
  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 핵심 용어인 '스페이서'를 최종 답변으로 작성한다.

    • 스페이서
최종 답변 (final_answer)
스페이서
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 제2반도체의 외주연에 스페이서를 배치하여 제2반도체 다이와 제3반도체 사이의 간격을 확보하고, 제3반도체를 통해 전기적 연결을 형성하는 반도체 디바이스 구조에 관한 것이다.