기판 프로세싱 챔버용 프로세스 키트 document_id 1020080008591

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 레그 내의 상기 가스 홀이 타원형인쉴드. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 가스 홀의 폭은 2.54 내지 5.08㎝이며, 높이는 0.51 내지인쉴드. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,단은 곡선형 조인트포함하는쉴드. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기u-형 채널의 상기 제 1 레그가 상기 제 2 레그보다 높은 높이가지는쉴드. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 쉴드는 알루미늄으로 이루어진 단일구조물인,쉴드. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 쉴드의 표면 상에 이중-와이어 알루미늄 아크 스프레이 코팅포함하는쉴드. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,상기 이중-와이어 알루미늄 아크 스프레이 코팅이 600 내지 2300 마이크로인치의 표면포함하는쉴드. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 지지 선반이 받침 표면(resting surface) 및 이를 관통하는 복수의 슬롯포함하는쉴드. [청구항 11] 제 10 항에 있어서,상기 쉴드를 상기 어댑터에 정렬하기 위한 정렬 핀 시스템을 더 포함하며, 상기 정렬 핀 시스템은 상기 어댑터 상에 원형 배열로서 이격된 복수의 핀을 포함하며, 상기 핀 각각은 상기 쉴드의 상기 지지 선반 상에 상기 복수의 슬롯들 중 어느 하나 내측으로 끼워맞춤되는 헤드 및 상기 어댑터 내측으로 압축 끼워맞춤되는 압축-끼워맞춤 커넥터를 가지는 부재포함하는조립체. [청구항 12] 제 10 항에 있어서,상기 어댑터의 상기 접촉 표면 및 상기 쉴드의 상기 받침 표면 각각은 600 내지 2300 마이크로인치의 표면가지는조립체. [청구항 13] 제 10 항에 있어서,열 전달 유체를 유동시키기 위한 도관포함하는조립체. [청구항 15] 제 14 항에 있어서,상기 환형 웨지부의 상기경사진 상부 표면이 내측 반경방향으로 경사지는커버 링. [청구항 16] 제 15 항에 있어서,상부 표면이 15도 이상의각도로 경사지는커버 링. [청구항 17] 제 14 항에 있어서,상기 벌브형 융기부가 상기 원통형 쉴드를 갖는 갭을 형성하는 타원형 원주 표면포함하는커버 링. [청구항 18] 제 14 항에 있어서,상기 커버 링이 상기 기판 프로세싱 챔버 내의 상기 기판 지지부와 관련하여 상기 커버 링의 높이를 조절하도록상승하강될수있는커버 링. [청구항 19] 제 14 항에 있어서,상기 커버 링이 티타늄포함하는커버 링. [청구항 20] 제 19 항에 있어서,상기 티타늄이 99.9% 이상의 순도포함하는커버 링. [청구항 21] 제 14 항에 있어서,상기 내측 및 외측 원통형 밴드가수직인커버 링. [청구항 22] 제 14 항에 있어서,상기 커버 링의 노출되는 표면이 이중-와이어 알루미늄 아크 스프레이 코팅가지는,커버 링. [청구항 24] 제 23 항에 있어서,상기 쉴드, 커버 링 및 증착 링 각각은 이중-와이어 알루미늄 아크 스프레이 코팅을 갖는 노출되는 표면포함하는프로세스 키트.