문맥 (context)
[청구항 1]
게이트 패턴을 갖는 반도체 기판 상부에 형성된 제1층간절연막
상기 제1층간절연막 상부에 형성된 지지 패턴
상기 제1층간절연막과 상기 지지 패턴을 관통하여 상기 게이트 패턴 또는 상기 반도체 기판과 접촉하는 도전 패턴 콘택을 갖도록 상기 지지 패턴 상에 형성된 도전 패턴; 및
상기 지지 패턴과 상기 도전 패턴 상부에 형성된 제2층간절연막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 도전 패턴은비트라인인것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 지지 패턴의 두께는 상기 도전 패턴의 두께보다 얇은 것특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 4]
제 1 항에 있어서,상기 지지 패턴의 두께는상기도전패턴의두께와실질적동일한것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 5]
제 1 항에 있어서,상기 지지 패턴nan은실리콘 리치 산화막포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 6]
제 1 항에 있어서,상기제1 및 제2층간절연막들은 sod(spin-on dielectric) 공정에 의하여 형성된절연막인것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 7]
제 1 항에 있어서,상기 반도체 기판 상부에 배치되며, 상기 반도체 기판 상부에 배치된 상기 도전 패턴 하부에랜딩플러그더배치되는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 8]
제 7 항에 있어서,상기 랜딩 플러그 상에 배치되며, 상기 제2층간절연막 내에 배치되어, 상부의 폭이 하부의 폭보다 큰 폭을 갖는스토리지노드 콘택 플러그더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1의 반도체 소자에서 도전 패턴 콘택이 접촉하는 대상은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 1에 기재된 도전 패턴 콘택이 접촉하는 대상이 무엇인지 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 도전 패턴 콘택의 구성과 접촉 대상을 설명하는 구절을 추출한다.
- 상기 제1층간절연막과 상기 지지 패턴을 관통하여 상기 게이트 패턴 또는 상기 반도체 기판과 접촉하는 도전 패턴 콘택
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3근거 선택
evidence_selection도전 패턴 콘택의 접촉 대상을 명시한 '게이트 패턴 또는 상기 반도체 기판' 구절을 선택한다.
- 상기 게이트 패턴 또는 상기 반도체 기판과 접촉하는 도전 패턴 콘택
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4논리 통합
logical_integration도전 패턴 콘택은 제1층간절연막과 지지 패턴을 관통하여 게이트 패턴 또는 반도체 기판에 닿는 구조임을 확인한다.
- 상기 제1층간절연막과 상기 지지 패턴을 관통하여 상기 게이트 패턴 또는 상기 반도체 기판과 접촉하는 도전 패턴 콘택
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5결론 도출
conclusion_formulation접촉 대상은 게이트 패턴 또는 반도체 기판임을 결론짓는다.
- 상기 게이트 패턴 또는 상기 반도체 기판
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6답변 생성
answer_generation질문에 대한 직접적인 답변을 추출 형식으로 작성한다.
- 상기 게이트 패턴 또는 상기 반도체 기판
최종 답변 (final_answer)
상기 게이트 패턴 또는 상기 반도체 기판
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 제1층간절연막과 지지 패턴을 관통하여 게이트 패턴 또는 반도체 기판에 접촉하는 도전 패턴 콘택을 포함하는 반도체 소자의 구조에 관한 것이다.