문맥 (context)
[청구항 2]
제 1항에 있어서,상기 얼라인 키 패턴은 금속막형성된반도체 집적 회로 장치.
[청구항 3]
제 2항에 있어서,상기 얼라인 키 패턴은 알루미늄형성된반도체 집적 회로 장치.
[청구항 4]
제 2항에 있어서,상기 얼라인 키 패턴 상에 형성된 배리어막더 포함하는반도체 집적 회로 장치.
[청구항 6]
제 4항에 있어서,상기 제1 패시베이션막과 상기 얼라인 키 패턴 사이에 형성되며, 상기 제1 개구부의 밑면에서는 상기 제2 패시베이션막과 상기 얼라인 키 패턴접하는반도체 집적 회로 장치.
[청구항 7]
제 1항에 있어서,상기 제1 패시베이션막은 산화막, 질화막 또는 이들조합인반도체 집적 회로 장치.
[청구항 8]
제 1항에 있어서,상기 제2 패시베이션막은 산화막질화막인반도체 집적 회로 장치.
[청구항 9]
제 1항에 있어서,상기 제2 패시베이션막은상기 제1 패시베이션막보다 두께가 얇은 반도체 집적 회로 장치.
[청구항 10]
제 9항에 있어서,상기 제1 패시베이션막의 두께인반도체 집적 회로 장치.
[청구항 11]
제 9항에 있어서,상기 제2 패시베이션막의 두께인반도체 집적 회로 장치.
[청구항 13]
제 1항에 있어서,상기 반도체 기판 상에 형성된 퓨즈를 더 포함하며, 상기 제1 패시베이션막은 상기 퓨즈 상부에도 컨포멀하게 형성되고, 상기 제1 패시베이션막은 상기 퓨즈 상부 영역의 적어도 일부를 오픈하는 제2 개구부를 더 포함하고,상기 제2 패시베이션막은 상기 제2 개구부 및 상기 제2 개구부를 통해 노출된 상기 퓨즈를 컨포멀하게 덮는반도체 집적 회로 장치.
[청구항 14]
제 1항에 있어서,상기 반도체 기판 상에 형성된 배선 패턴을 더 포함하며, 상기 얼라인 키 패턴은 상기 배선 패턴과 동일 높이에 동일한 물질형성된반도체 집적 회로 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
제1 패시베이션막과 제2 패시베이션막이 퓨즈를 덮는 구성에서, 제2 패시베이션막이 노출된 퓨즈를 덮는 방식은 어떠한가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제2 패시베이션막이 노출된 퓨즈를 덮는 구체적인 방식(기능적 형태)을 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 13에서 제2 패시베이션막과 퓨즈, 제2 개구부 간의 관계를 추출한다.
- 상기 제2 패시베이션막은 상기 제2 개구부 및 상기 제2 개구부를 통해 노출된 상기 퓨즈를 컨포멀하게 덮는
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3근거 선택
evidence_selection제2 패시베이션막의 동작 방식을 설명하는 핵심 구절을 선택한다.
- 상기 제2 패시베이션막은 상기 제2 개구부 및 상기 제2 개구부를 통해 노출된 상기 퓨즈를 컨포멀하게 덮는
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4논리 통합
logical_integration제1 패시베이션막의 제2 개구부를 통해 노출된 퓨즈를 제2 패시베이션막이 컨포멀하게 덮는다는 논리를 연결한다.
- 상기 제2 패시베이션막은 상기 제2 개구부 및 상기 제2 개구부를 통해 노출된 상기 퓨즈를 컨포멀하게 덮는
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5결론 도출
conclusion_formulation제2 패시베이션막은 제2 개구부 및 이를 통해 노출된 퓨즈를 컨포멀하게 덮는 방식으로 구성됨을 도출한다.
- 상기 제2 패시베이션막은 상기 제2 개구부 및 상기 제2 개구부를 통해 노출된 상기 퓨즈를 컨포멀하게 덮는
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 문맥에 근거한 직접적인 답변을 생성한다.
- 상기 제2 패시베이션막은 상기 제2 개구부 및 상기 제2 개구부를 통해 노출된 상기 퓨즈를 컨포멀하게 덮는
최종 답변 (final_answer)
상기 제2 패시베이션막은 상기 제2 개구부 및 상기 제2 개구부를 통해 노출된 상기 퓨즈를 컨포멀하게 덮는 방식이다.
핵심 해석 (core_interpretation)
제1 패시베이션막의 개구부를 통해 노출된 퓨즈 영역을 제2 패시베이션막이 컨포멀하게 덮음으로써 퓨즈를 보호하는 구조를 나타낸다.