문맥 (context)
[청구항 16]
반도체 소자의 하부 콘택 영역 상에 형성된 절연층
상기 하부 콘택 영역을 노출하도록 상기 절연층 내에 형성된 개구부
상기 개구부의 측벽 및 밑면 상에 형성되며 코발트를 포함하는 씨드층
상기 개구부의 하부 영역 내에 도전 물질로 형성된 배리어층; 및
상기 개구부 내의 상기 배리어층 상에 형성되며 상기 개구부의 상부 영역의 측벽에서 상기 씨드층과 접하는 금속층을 포함하는 반도체 소자
[청구항 17]
제 16항에 있어서,상기 하부 콘택 영역은 기판, 기판의 도우프된 영역, 에피택셜막, 트랜지스터의 게이트 전극, 실리사이드 영역 및 도전 콘택의 적어도 하나포함하는반도체 소자.
[청구항 18]
제 16항에 있어서,상기 씨드층은 상기 절연층 상에도 더 형성되고 상기 금속층은 상기 절연층 상의 상기 씨드층 상에도 더 형성되며, 상기 금속층 및 상기 씨드층은 패터닝되어 상기 절연층 상의 연결 구조물을 형성하되, 상기 연결 구조물은 상기 하부 콘택 영역과 전기적접하는반도체 소자.
[청구항 19]
제 18항에 있어서,상기 연결 구조물은 상기 절연층 상의 배선 라인포함하는반도체 소자.
[청구항 20]
제 16항에 있어서,상기 개구부의 상부에서 상기 금속막의 상부 영역과 접하는 상기 절연층 상의 도전층을 더 포함하며, 상기 도전층은 패터닝되어 상기 절연층 상의 연결 구조물을 형성하고, 상기 연결 구조물은 상기 하부 콘택 영역과 전기적접하는반도체 소자.
[청구항 21]
제 20항에 있어서,상기 개구부의 상부에서 상기 금속층의 상부 영역과 접하는 상기 절연층 상의 제2 배리어층 및 제2 씨드층 중의 하나를 더 포함하며, 상기 도전층은 상기 제2 배리어층 및 제2 씨드층 중의 하나 상형성된반도체 소자.
[청구항 22]
제 16항에 있어서,상기 절연층 상에 형성된 제2 절연층;상기 금속층의 상부 영역을 노출하도록 상기 제2 절연층 내에 형성된 상부 개구부; 및상기 상부 개구부의 상부에서 상기 금속층의 노출된 상부 영역과 접하도록 상기 상부 개구부 내에 형성된 도전층을 더 포함하되, 상기 도전층 및 상기 제2 배리어층은 패터닝되어 상기 절연층 내의 연결 구조물을 형성하고, 상기 연결 구조물은 상기 하부 콘택 영역과 전기적접하는반도체 소자.
[청구항 23]
제 22항에 있어서,상기 상부 개구부의 상부에서 상기 금속층의 노출된 상부 영역과 접하도록 상기 상부 개구부 내에 형성된 제2 배리어층 및 제2 씨드층 중의 하나를 더 포함하며, 상기 도전층은 상기 상부 개구부 내의 상기 제2 배리어층 및 상기 제2 씨드층 중의 하나 상형성된반도체 소자.
[청구항 24]
제 16항에 있어서,상기 개구부의 측벽 및 밑면 상에 형성된 상기 씨드층은 cvd, pvd 및 ald공정적어도하나에의해형성된반도체 소자.
[청구항 25]
제 16항에 있어서,상기 배리어층은 tin, tan, ran, vn, zrn, hfn, mon, ren, wn 및 tizrn의 적어도 하나포함하는반도체 소자.
[청구항 26]
제 16항에 있어서,상기 금속층은 al, cu 및 w의 적어도 하나포함하는반도체 소자.
[청구항 27]
제 16항에 있어서,상기 개구부의 상부 영역의 측벽 및 상기 절연층과 상기 금속층의 사이에 형성되며 코발트를 포함하는 제2 씨드층더 포함하는반도체 소자.
[청구항 28]
제 16항에 있어서,상기 소자는 비휘발성 메모리 소자, 휘발성 메모리 소자, dram 휘발성 메모리 소자, sram 휘발성 메모리 소자, nand형 비휘발성 메모리 소자, nor 형 비휘발성 메모리 소자 및 pram 메모리 소자 중의하나인반도체 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 16항의 반도체 소자에서, 개구부 내의 배리어층 상에 형성되면서 개구부 상부 영역 측벽의 씨드층과 접하는 구성 요소는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 16항을 바탕으로 개구부 내 배리어층 상에 형성되면서 개구부 상부 영역 측벽의 씨드층과 접하는 구성 요소를 찾는다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 16항에서 배리어층, 씨드층, 그리고 배리어층 상에 형성되어 씨드층과 접하는 구성 요소에 대한 정보를 추출한다.
- 상기 개구부의 하부 영역 내에 도전 물질로 형성된 배리어층; 및 상기 개구부 내의 상기 배리어층 상에 형성되며 상기 개구부의 상부 영역의 측벽에서 상기 씨드층과 접하는 금속층
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 조건(배리어층 상에 형성, 개구부 상부 영역 측벽의 씨드층과 접함)을 만족하는 구절을 선택한다.
- 상기 개구부 내의 상기 배리어층 상에 형성되며 상기 개구부의 상부 영역의 측벽에서 상기 씨드층과 접하는 금속층
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4논리 통합
logical_integration추출된 구절을 분석하면, 배리어층 상에 위치하고 씨드층과 접하는 주체는 '금속층'임을 알 수 있다.
- 상기 개구부 내의 상기 배리어층 상에 형성되며 상기 개구부의 상부 영역의 측벽에서 상기 씨드층과 접하는 금속층
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 직접적인 답변으로 '금속층'을 도출한다.
- 상기 개구부 내의 상기 배리어층 상에 형성되며 상기 개구부의 상부 영역의 측벽에서 상기 씨드층과 접하는 금속층
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6답변 생성
answer_generation추출된 정답을 최종 답변 형식으로 작성한다.
- 금속층
최종 답변 (final_answer)
금속층
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 개구부 내의 배리어층과 씨드층 사이의 접촉 관계를 정의하여, 배리어층 상부에 형성된 금속층이 개구부 상부 측벽의 씨드층과 접하도록 구성된 반도체 소자의 구조를 기술한다.