문맥 (context)
[청구항 2]
제 1항에 있어서,상기제1 및 제2 외부 전극들은 상기 내부 전극들의 연장 방향을 따라 복수층형성된비휘발성 메모리 장치.
[청구항 3]
제 1항에 있어서,상기 가변 저항체들을 선택하는 선택 소자들을 더 포함하고, 상기 각 선택 소자는복수의상기가변저항체들선택할수있는비휘발성 메모리 장치.
[청구항 4]
제 1항에 있어서,상기 제1 외부 전극들은 서로 전기적으로 연결되어 있고, 상기 제2 외부 전극들은 서로 전기적연결되어 있는비휘발성 메모리 장치.
[청구항 5]
제 1항에 있어서,상기 기판 내에 형성된 액티브 영역들, 상기 제1 및 제2 외부 전극들과 실질적으로 동일한 방향으로 연장되어 형성되고 상기 각 액티브 영역 당 2개씩 연결된 워드 라인들, 및 상기 내부 전극 및 상기 제1 및 제2 외부 전극들과 각각 실질적으로 수직인 방향으로 연장되어 형성되고, 상기 워드 라인들 사이에서 상기 액티브 영역과 연결되는 비트 라인들더 포함하는비휘발성 메모리 장치.
[청구항 6]
제 5항에 있어서,상기 액티브 영역은 상기 비트 라인과 실질적으로 동일한 방향으로 연장된 제1 영역 및 상기 제1 영역으로부터 상기 워드 라인들과 실질적으로 동일한 방향으로 돌출된 제2 영역포함하는비휘발성 메모리 장치.
[청구항 7]
제 6항에 있어서,상기 내부 전극들은 상기 각 액티브 영역 당 2개씩 연결되되, 상기 하나의 액티브 영역에 연결된 워드 라인들의 일측의 상기 제1 영역의 최외곽에 각각 1개씩 연결되고, 상기 비트 라인들은 상기 제2 영역연결되는비휘발성 메모리 장치.
[청구항 8]
제 5항에 있어서,상기 액티브 영역은 상기 워드 라인들 및 상기 비트 라인과 예각이루는비휘발성 메모리 장치.
[청구항 9]
제 1항에 있어서,상기 내부 전극들은 원기둥 또는 다각기둥형상인비휘발성 메모리 장치.
[청구항 10]
제 9항에 있어서,상기 가변 저항체들은 상기 내부 전극들 각각의 외주면형성되는비휘발성 메모리 장치.
[청구항 11]
제 9항에 있어서,상기 가변 저항체들은 상기 내부 전극들과 오버랩되는 상기 제1 및 제2 외부 전극들 상의 각 부위형성되는비휘발성 메모리 장치.
[청구항 12]
제 9항에 있어서,상기 가변 저항체들은 칼코게나이드, 전이금속 산화물, 페로브스카이트 구조를 가지는 산화물, 및 금속이온을 함유하는 고체 전해질 물질로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의물질로 이루어진비휘발성 메모리 장치.
[청구항 14]
제 13항에 있어서,상기제3 및 제4 외부 전극들은 상기 각 내부 전극을 중심으로 각각 상기 각 내부 전극의 양측에 배치되어 상기 각 내부 전극과 교차하고, 상기 기판 내에 형성된 액티브 영역들, 상기 제3 및 제4 외부 전극들과 실질적으로 동일한 방향으로 연장되어 형성되고 상기 각 액티브 영역 당 2개씩 연결된 워드 라인들, 및 상기 내부 전극 및 상기 제3 및 제4 외부 전극들과 각각 실질적으로 수직인 방향으로 연장되어 형성되고, 상기 워드 라인들 사이에서 상기 액티브 영역과 연결되는 비트 라인들더 포함하는비휘발성 메모리 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
비휘발성 메모리 장치에서 액티브 영역이 제1 영역과 제2 영역을 포함할 때, 각 영역의 연장 방향과 워드 라인 및 비트 라인과의 관계는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation비휘발성 메모리 장치의 액티브 영역 내 제1 영역과 제2 영역의 연장 방향 및 워드 라인, 비트 라인과의 관계를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 6을 통해 액티브 영역이 제1 영역과 제2 영역으로 구성됨을 확인하고, 각 영역의 방향성을 추출한다.
- 상기 액티브 영역은 상기 비트 라인과 실질적으로 동일한 방향으로 연장된 제1 영역 및 상기 제1 영역으로부터 상기 워드 라인들과 실질적으로 동일한 방향으로 돌출된 제2 영역포함
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3근거 선택
evidence_selection제1 영역은 비트 라인과 동일한 방향이며, 제2 영역은 워드 라인과 동일한 방향임을 나타내는 구절을 선택한다.
- 상기 액티브 영역은 상기 비트 라인과 실질적으로 동일한 방향으로 연장된 제1 영역 및 상기 제1 영역으로부터 상기 워드 라인들과 실질적으로 동일한 방향으로 돌출된 제2 영역포함
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4논리 통합
logical_integration제1 영역의 연장 방향은 비트 라인과 일치하고, 제2 영역의 연장 방향은 워드 라인과 일치함을 논리적으로 연결한다.
- 상기 액티브 영역은 상기 비트 라인과 실질적으로 동일한 방향으로 연장된 제1 영역 및 상기 제1 영역으로부터 상기 워드 라인들과 실질적으로 동일한 방향으로 돌출된 제2 영역포함
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5결론 도출
conclusion_formulation제1 영역은 비트 라인과 동일한 방향으로 연장되고, 제2 영역은 워드 라인과 동일한 방향으로 돌출되어 형성된다는 결론을 도출한다.
- 상기 액티브 영역은 상기 비트 라인과 실질적으로 동일한 방향으로 연장된 제1 영역 및 상기 제1 영역으로부터 상기 워드 라인들과 실질적으로 동일한 방향으로 돌출된 제2 영역포함
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 최종 답변을 작성한다.
- 상기 액티브 영역은 상기 비트 라인과 실질적으로 동일한 방향으로 연장된 제1 영역 및 상기 제1 영역으로부터 상기 워드 라인들과 실질적으로 동일한 방향으로 돌출된 제2 영역포함
최종 답변 (final_answer)
액티브 영역의 제1 영역은 비트 라인과 실질적으로 동일한 방향으로 연장되며, 제2 영역은 제1 영역으로부터 워드 라인들과 실질적으로 동일한 방향으로 돌출되어 형성된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
비휘발성 메모리 장치의 액티브 영역을 제1 영역과 제2 영역으로 구분하여, 각각 비트 라인 및 워드 라인의 연장 방향과 일치하도록 배치함으로써 소자 구조를 정의한다.