문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 쇼트키 접합층은 백금(pt), 이리듐(ir), 루쎄늄(ru), 금(au), 오스뮴(os) 및 레니움(re) 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 저항변화기록소자이용되는스위칭 다이오드.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 반도체층은 n형의 전이금속 산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 저항변화기록소자이용되는스위칭 다이오드.
[청구항 4]
제3항에 있어서,상기n형의 전이금속 산화물은 산화티타늄(tio2)인 것을 특징으로 하는 저항변화기록소자이용되는스위칭 다이오드.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 오믹 접합층은 (in, sn)2o3(ito)로 이루어진 것을 특징으로 하는 저항변화기록소자이용되는스위칭 다이오드.
[청구항 6]
제5항에 있어서,상기 오믹 접합층의 두께는 5 내지 500nm인 것을 특징으로 하는 저항변화기록소자이용되는스위칭 다이오드.
[청구항 7]
제1항에 있어서,상기 반도체층과의 사이에 상기 오믹 접합층이 배치되도록 상기 오믹 접합층의 일면과 접촉되게 형성되며, 전도성 물질로 이루어진 보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저항변화기록소자이용되는스위칭 다이오드.
[청구항 8]
제7항에 있어서,상기 보호층은 백금, 이리듐, 루쎄늄, 금, 오스뮴 및 레니움 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 저항변화기록소자이용되는스위칭 다이오드.
[청구항 10]
제9항에 있어서,상기 스위칭 다이오드에 구비된반도체층전이금속 산화물로이루어진것을특징으로 하는저항변화기록소자.
[청구항 11]
제10항에 있어서,상기n형의전이금속 산화물산화티타늄인것을특징으로 하는저항변화기록소자.
[청구항 12]
제9항에 있어서,상기 스위칭 다이오드에 구비된오믹접합층이루어진것을특징으로 하는저항변화기록소자.
[청구항 13]
제12항에 있어서,상기 오믹 접합층의 두께는5내지인것을특징으로 하는저항변화기록소자.
[청구항 14]
제9항에 있어서,상기 메모리 소자에 구비된 저항변화층은 페로브스카이트(perovskite),전이금속 산화물및칼코제나이드계물질중하나로이루어진것을특징으로 하는저항변화기록소자.
[청구항 15]
제9항에 있어서,상기 메모리 소자에 구비된 제1전도층과 제2전도층 및 상기 스위칭 다이오드에 구비된 쇼트키 접합층은 백금, 이리듐, 루쎄늄, 금, 오스뮴 및 레니움 중에서 선택된1종이상으로이루어진것을특징으로 하는저항변화기록소자.
[청구항 16]
제9항에 있어서,상기 메모리 소자에 구비된 제1전도층 및 제2전도층 중 어느 하나와 상기 스위칭 다이오드에 구비된 쇼트키 접합층이직렬연결되는것을특징으로 하는저항변화기록소자.
[청구항 17]
제16항에 있어서,상기 메모리 소자에 구비된 제1전도층 및 제2전도층 중 상기 쇼트키 접합층과 직렬로 연결된 어느 하나와 상기 쇼트키 접합층은일체형성되는것을특징으로 하는저항변화기록소자.
[청구항 18]
제16항에 있어서,상기 스위칭 다이오드는,상기 스위칭 다이오드에 구비된 반도체층과의 사이에 상기 스위칭 다이오드에 구비된 오믹 접합층이 배치되도록 상기 스위칭 다이오드에 구비된 오믹 접합층의 일면과 접촉되게 형성되며, 전도성 물질로 이루어진보호층더구비하는것을특징으로 하는저항변화기록소자.
[청구항 19]
제18항에 있어서,상기 보호층은 백금, 이리듐, 루쎄늄, 금, 오스뮴 및 레니움 중에서 선택된1종이상으로이루어진것을특징으로 하는저항변화기록소자.
[청구항 22]
제20항 또는 제21항에 있어서,상기 하부 전극의 형성방향과 상기 상부 전극의 형성방향이직교하는것을특징으로 하는저항변화 랜덤 액세스 메모리.
[청구항 23]
제20항 또는 제21항에 있어서,상기 반도체층nan은전이금속 산화물로이루어진것을특징으로 하는저항변화 랜덤 액세스 메모리.
[청구항 24]
제23항에 있어서,상기n형의 전이금속 산화물은산화티타늄인것을특징으로 하는저항변화 랜덤 액세스 메모리.
[청구항 25]
제20항 또는 제21항에 있어서,상기 오믹 접합층nan은이루어진것을특징으로 하는저항변화 랜덤 액세스 메모리.
[청구항 26]
제25항에 있어서,상기 오믹 접합층의 두께는5내지인것을특징으로 하는저항변화 랜덤 액세스 메모리.
[청구항 27]
제20항에 있어서,상기 하부 전극, 상기 쇼트키 접합층 및 상기 상부 전극은 백금, 이리듐, 루쎄늄, 금, 오스뮴 및 레니움 중에서 선택된1종이상으로이루어진것을특징으로 하는저항변화 랜덤 액세스 메모리.
[청구항 28]
제21항에 있어서,상기 하부 전극, 상기 전도층 및 상기 상부 전극은 백금, 이리듐, 루쎄늄, 금, 오스뮴 및 레니움 중에서 선택된1종이상으로이루어진것을특징으로 하는저항변화 랜덤 액세스 메모리.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
저항변화기록소자에서 스위칭 다이오드의 오믹 접합층과 반도체층 사이의 관계를 고려할 때, 보호층은 어떤 방식으로 배치되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation스위칭 다이오드 내 오믹 접합층과 반도체층의 관계를 바탕으로 보호층의 배치 방식을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 7항과 18항에서 보호층의 배치에 관한 정보를 추출한다.
- 상기 반도체층과의 사이에 상기 오믹 접합층이 배치되도록 상기 오믹 접합층의 일면과 접촉되게 형성되며, 전도성 물질로 이루어진 보호층을 더 포함하는
-
3근거 선택
evidence_selection보호층이 오믹 접합층의 일면과 접촉하며, 오믹 접합층이 반도체층과 보호층 사이에 위치한다는 구절을 선택한다.
- 상기 반도체층과의 사이에 상기 오믹 접합층이 배치되도록 상기 오믹 접합층의 일면과 접촉되게 형성되며, 전도성 물질로 이루어진 보호층을 더 포함하는
-
4논리 통합
logical_integration오믹 접합층이 반도체층과 보호층 사이에 위치하므로, 보호층은 오믹 접합층의 일면과 접촉하여 배치된다.
- 상기 반도체층과의 사이에 상기 오믹 접합층이 배치되도록 상기 오믹 접합층의 일면과 접촉되게 형성되며
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5결론 도출
conclusion_formulation보호층은 오믹 접합층의 일면과 접촉하며, 오믹 접합층이 반도체층과 보호층 사이에 위치하도록 배치된다.
- 상기 반도체층과의 사이에 상기 오믹 접합층이 배치되도록 상기 오믹 접합층의 일면과 접촉되게 형성되며
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 직접적인 답변을 작성한다.
- 상기 반도체층과의 사이에 상기 오믹 접합층이 배치되도록 상기 오믹 접합층의 일면과 접촉되게 형성되며, 전도성 물질로 이루어진 보호층을 더 포함하는
최종 답변 (final_answer)
상기 반도체층과의 사이에 상기 오믹 접합층이 배치되도록 상기 오믹 접합층의 일면과 접촉되게 형성되며, 전도성 물질로 이루어진 보호층을 더 포함하는 방식으로 배치된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
스위칭 다이오드에서 오믹 접합층이 반도체층과 보호층 사이에 위치하도록 구성하여, 보호층이 오믹 접합층의 일면과 접촉하는 구조를 가진다.