문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 유기막층이 p-도핑된 정공수송층 또는 n-도핑된전자수송층인것특징으로 하는유기 발광 메모리 소자.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기p-도핑된 유기막층과 상기 유기 발광층 사이 또는 상기 n-도핑된 유기막층과 상기 유기 발광층 사이에 도핑되지 아니한유기막층을추가포함하는것특징으로 하는유기 발광 메모리 소자.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기p-도핑된 유기막층의 p-도펀트가 moo3, wo3, v2o5 및 f4-tcnq으로 이루어진군선택되는것특징으로 하는유기 발광 메모리 소자.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기n-도핑된 유기막층의 n-도펀트가 li, cs, na 및 이들의 화합물로 이루어진군선택되는것특징으로 하는유기 발광 메모리 소자.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 공통층이 정공주입층, 정공수송층, 전자주입층 및 전자수송층 중에서적어도하나포함하는것특징으로 하는유기 발광 메모리 소자.
[청구항 8]
제7항에 있어서,상기p-도펀트층의 두께가 0.1 nm내지인것특징으로 하는유기 발광 메모리 소자.
[청구항 9]
제7항에 있어서,상기n-도펀트층의 두께가 0.1 nm내지인것특징으로 하는유기 발광 메모리 소자.
[청구항 10]
제7항에 있어서,상기p-도펀트층이 moo3, wo3, v2o5 및 f4-tcnq으로 이루어진 군에서 선택되는 것이루어지는것특징으로 하는유기 발광 메모리 소자.
[청구항 11]
제7항에 있어서,상기n-도펀트층이 li, cs, na 및 이들의 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것이루어지는것특징으로 하는유기 발광 메모리 소자.
[청구항 12]
제7항에 있어서,상기 공통층이 정공주입층, 정공수송층, 전자주입층 및 전자수송층 중에서적어도하나포함하는것특징으로 하는유기 발광 메모리 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
유기 발광 메모리 소자에서 p-도핑된 유기막층과 n-도핑된 유기막층이 유기 발광층과 배치될 때, 도핑되지 않은 유기막층이 추가로 포함될 수 있는 위치는 어디인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation유기 발광 메모리 소자에서 도핑되지 않은 유기막층이 배치될 수 있는 위치를 찾는 문제이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 3에서 p-도핑된 유기막층, n-도핑된 유기막층, 유기 발광층 및 도핑되지 아니한 유기막층의 관계를 추출한다.
- 상기p-도핑된 유기막층과 상기 유기 발광층 사이 또는 상기 n-도핑된 유기막층과 상기 유기 발광층 사이에 도핑되지 아니한유기막층을추가포함하는것
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3근거 선택
evidence_selection도핑되지 않은 유기막층의 위치를 명시한 청구항 3의 구절을 선택한다.
- 상기p-도핑된 유기막층과 상기 유기 발광층 사이 또는 상기 n-도핑된 유기막층과 상기 유기 발광층 사이
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4논리 통합
logical_integration도핑되지 않은 유기막층은 p-도핑된 유기막층과 유기 발광층 사이, 또는 n-도핑된 유기막층과 유기 발광층 사이에 위치할 수 있음을 확인한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 두 가지 가능한 위치를 정리한다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
상기 p-도핑된 유기막층과 상기 유기 발광층 사이 또는 상기 n-도핑된 유기막층과 상기 유기 발광층 사이
핵심 해석 (core_interpretation)
유기 발광 메모리 소자에서 도핑된 유기막층과 유기 발광층 사이에 도핑되지 않은 유기막층을 삽입하여 소자의 구조를 구성할 수 있음을 나타낸다.