문맥 (context)
[청구항 2]
제 1항에 있어서,상기 커런트스프레딩층은 상기 p형 질화물계 클래드층과 오믹접촉 계면을 형성하고 동시에 상기 질화물계 활성층에서 생성된 빛을 흡수 없이 투과시킬 수 있는 투명전도성 물질형성된수직구조 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자.
[청구항 3]
제 2항에 있어서,상기 커런트스프레딩층은 인듐주석산화물(ito), 인듐아연산화물(izo), 아연산화물(zno), 산화시킨 니켈-금구성된수직구조 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자.
[청구항 4]
제 1항에 있어서,상기p형 전극구조체 일부인 커런트 블라킹 구조는 적어도 커런트스프레딩층 두께보다 더 깊게 수직방향으로 식각(etching)하여 상기 p형 질화물계 클래드층의 일부 영역을 대기(air)에 노출된 참호형태 갖는수직구조 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자.
[청구항 5]
제 1항에 있어서,상기p형 전극구조체 일부인 전극박막층은 상기 커런트스프레딩층과 대기에 노출된 p형 질화물계 클래드층에 전기전도성인 물질막을 부분적(partial) 또는 완전한(complete)증착통해서형성하는수직구조 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자.
[청구항 6]
제 5항에 있어서,상기p형 질화물계 클래드층에 접하고 있는 재충진된 전기전도성 전극박막층은 쇼키성 접촉 계면(schottky contacting interface)을 형성하는 반면에, 상기 커런트스프레딩층에 접하고 있는 전기전도성 전극박막층은 오믹성 접촉 계면형성하는수직구조 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자.
[청구항 7]
제 1항에 있어서,상기p형 전극구조체는 수직방향으로의 전류 집중 현상을 막는 역할 이외에도, 빛에 대한 높은 반사, 물질의 확산 방지, 물질의 접착성 향상, 또는 물질의 산화 방지 역할을 수행할 수 있는 다층(multi-layer)의 전극박막층갖는수직구조 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자.
[청구항 8]
제 1항에 있어서,상기 히트씽크 지지대는 전기 도금(electro-plating), 물리적 증기 증착(pvd), 화학적 증기 증착(cvd) 방법에 의해 형성된 10 마이크론미터 이상의 전기전도성 물질막을 웨이퍼 결합(wafer bonding)에 의해서 상기 p형 전극구조체 하부형성된수직구조 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자.
[청구항 10]
제 9항에 있어서,상기 계면개질층은 슈퍼래티스 구조(spuerlattice structure), n형 도전성의 ingan, gan, alinn, aln, inn, algan, p형 도전성의 ingan, alinn, inn, algan, 또는 질소 극성(nitrogen polarity)으로 형성된 표면을 갖는 그룹 3족 질화물계구성된수직구조 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자.
[청구항 11]
제 10항에 있어서,상기 슈퍼래티스 구조의 계면개질층은 그룹 2족, 3족, 또는 4족 원소 성분을 포함하고 있는 질화물(nitride) 또는 탄소질화물구성된수직구조 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자.
[청구항 12]
제 9항에 있어서,상기 커런트스프레딩층은 상기 p형 질화물계 클래드층과 오믹접촉 계면을 형성하고 동시에 상기 질화물계 활성층에서 생성된 빛을 흡수 없이 투과시킬 수 있는 투명전도성 물질형성된수직구조 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자.
[청구항 13]
제 12항에 있어서,상기 커런트스프레딩층은 인듐주석산화물(ito), 인듐아연산화물(izo), 아연산화물(zno), 산화시킨 니켈-금구성된수직구조 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자.
[청구항 14]
제 9항에 있어서,상기p형 전극구조체 일부인 커런트 블라킹 구조는 적어도 계면개질층 두께와 커런트스프레딩층 두께을 합한 두께보다 더 깊게 수직방향으로 식각(etching)하여 상기 p형 질화물계 클래드층의 일부 영역을 대기(air)에 노출된 참호형태 갖는수직구조 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자.
[청구항 15]
제 9항에 있어서,상기p형 전극구조체 일부인 전극박막층은 상기 계면개질층, 커런트스프레딩층과 대기에 노출된 p형 질화물계 클래드층에 전기전도성인 물질막을 부분적(partial) 또는 완전한(complete)증착통해서형성하는수직구조 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자.
[청구항 16]
제 15항에 있어서,상기p형 질화물계 클래드층에 접하고 있는 재충진된 전기전도성 전극박막층은 쇼키성 접촉 계면(schottky contacting interface)을 형성하는 반면에, 상기 계면개질층과 커런트스프레딩층에 접하고 있는 전기전도성 전극박막층은 오믹성 접촉 계면형성하는수직구조 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자.
[청구항 17]
제 9항에 있어서,상기p형 전극구조체는 수직방향으로의 전류 집중 현상을 막는 역할 이외에도, 빛에 대한 높은 반사, 물질의 확산 방지, 물질의 접착성 향상, 또는 물질의 산화 방지 역할을 수행할 수 있는 다층(multi-layer)의 전극박막층갖는수직구조 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자.
[청구항 18]
제 9항에 있어서,상기 히트씽크 지지대는 전기 도금(electro-plating), 물리적 증기 증착(pvd), 화학적 증기 증착(cvd) 방법에 의해 형성된 10 마이크론미터 이상의 전기전도성 물질막을 웨이퍼 결합(wafer bonding)에 의해서 상기 p형 전극구조체 하부형성된수직구조 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
수직구조 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자에서, 재충진된 전기전도성 전극박막층이 p형 질화물계 클래드층과 접할 때 형성하는 접촉 계면의 특성은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation재충진된 전기전도성 전극박막층이 p형 질화물계 클래드층과 접할 때 형성하는 접촉 계면의 특성을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 6에서 재충진된 전기전도성 전극박막층과 p형 질화물계 클래드층 사이의 접촉 특성에 관한 기술 내용을 추출한다.
- 상기p형 질화물계 클래드층에 접하고 있는 재충진된 전기전도성 전극박막층은 쇼키성 접촉 계면(schottky contacting interface)을 형성하는
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 '재충진된 전기전도성 전극박막층'과 'p형 질화물계 클래드층'의 접촉 계면 특성을 명시한 구절을 선택한다.
- 상기p형 질화물계 클래드층에 접하고 있는 재충진된 전기전도성 전극박막층은 쇼키성 접촉 계면(schottky contacting interface)을 형성하는
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4논리 통합
logical_integration추출된 근거에 따르면, 해당 층이 p형 질화물계 클래드층에 접할 때 쇼키성 접촉 계면을 형성함을 알 수 있다.
- 상기p형 질화물계 클래드층에 접하고 있는 재충진된 전기전도성 전극박막층은 쇼키성 접촉 계면(schottky contacting interface)을 형성하는
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 직접적인 답변으로 '쇼키성 접촉 계면(schottky contacting interface)'을 도출한다.
- 상기p형 질화물계 클래드층에 접하고 있는 재충진된 전기전도성 전극박막층은 쇼키성 접촉 계면(schottky contacting interface)을 형성하는
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6답변 생성
answer_generation최종 답변을 추출된 텍스트 형식으로 작성한다.
- 상기p형 질화물계 클래드층에 접하고 있는 재충진된 전기전도성 전극박막층은 쇼키성 접촉 계면(schottky contacting interface)을 형성하는
최종 답변 (final_answer)
쇼키성 접촉 계면(schottky contacting interface)
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 p형 질화물계 클래드층에 접하는 재충진된 전기전도성 전극박막층이 쇼키성 접촉 계면을 형성하도록 하여, 커런트스프레딩층과의 오믹 접촉과 차별화된 계면 특성을 갖도록 설계된 소자에 관한 것이다.