문맥 (context)
[청구항 1]
반도체 기판에 형성되는 에피층과,
포토 다이오드 영역 및 트랜지스터 영역을 포함하는 액티브 영역과 소자 분리 영역을 나누도록 상기 에피층에 형성되는 소자 분리막과,
상기 에피층 상에 게이트 절연막을 개재하여 형성되는 게이트 전극과,
상기 에피층의 플로팅 확산 영역에 게이트 절연막을 개재하여 형성되는 게이트 금속과,
상기 게이트 스페이서 양측의 상기 에피층에 n+ 불순물 이온을 주입하여 형성되는 소스 및 드레인 영역과,
상기 게이트 전극 및 게이트 금속의 양 측벽에 형성된 게이트 스페이서와,
상기 게이트 스페이서를 포함한 게이트 전극 및 게이트 금속을 덮도록 상기 에피층 상에 형성되는 층간 절연막과,
상기 소스 영역을 노출시키도록 상기 층간 절연막을 관통하는 제1 컨택홀과,
상기 게이트 금속을 노출시키도록 상기 층간 절연막을 관통하는 제2 컨택홀과,
상기 제1 및 제2 컨택홀 내에 형성되는 제1 및 제2 컨택 플러그와,
상기 제1 및 제 2 컨택 플러그 상에 형성되며 상기 소스 영역과 상기 게이트 금속을 전기적으로 연결하는 금속배선을 구비하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 금속 배선은 상기 게이트 금속과 제2 컨택 플러그에 의해 접속되도록 돌출되어 형성되는돌출전극포함하는것을특징으로 하는씨모스 이미지 센서.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 게이트 전극과 게이트 금속 양측의 상기에피층에 형성되는 ldd 영역과,상기 게이트 전극과 게이트 스페이서 사이, 게이트 금속과 게이트 스페이서 사이에 형성되는 게이트 산화막과,상기 포토 다이오드 영역의 에피층에 형성되는 n-형확산영역더구비하는것을특징으로 하는씨모스 이미지 센서.
지시문 (instruction)
주어진 특허 청구항을 읽고 구성요소 사이의 연결 및 상호작용을 분석하여 질문에 답하라. 요구되는 내용을 항목별 목록으로 제시하라.
질문 (question)
씨모스 이미지 센서에서 소스 영역과 게이트 금속을 전기적으로 연결하기 위해 구성되는 요소들은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation씨모스 이미지 센서에서 소스 영역과 게이트 금속을 전기적으로 연결하는 구성 요소들을 찾는 작업이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 소스 영역, 게이트 금속, 그리고 이들을 연결하는 금속배선 및 관련 구성 요소들을 추출한다.
- 상기 소스 영역과 상기 게이트 금속을 전기적으로 연결하는 금속배선
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3근거 선택
evidence_selection금속배선이 소스 영역 및 게이트 금속과 연결되기 위해 거치는 경로인 제1/제2 컨택홀과 제1/제2 컨택 플러그를 선택한다.
- 상기 소스 영역을 노출시키도록 상기 층간 절연막을 관통하는 제1 컨택홀, 상기 게이트 금속을 노출시키도록 상기 층간 절연막을 관통하는 제2 컨택홀, 상기 제1 및 제2 컨택홀 내에 형성되는 제1 및 제2 컨택 플러그, 상기 제1 및 제 2 컨택 플러그 상에 형성되며 상기 소스 영역과 상기 게이트 금속을 전기적으로 연결하는 금속배선
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4논리 통합
logical_integration금속배선은 제1 및 제2 컨택 플러그 상에 형성되며, 이 플러그들은 각각 제1 및 제2 컨택홀을 통해 소스 영역과 게이트 금속에 연결된다.
- 상기 제1 및 제 2 컨택 플러그 상에 형성되며 상기 소스 영역과 상기 게이트 금속을 전기적으로 연결하는 금속배선
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5결론 도출
conclusion_formulation연결에 관여하는 요소들을 나열하여 답변을 구성한다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 요소들을 리스트 형식으로 정리하여 최종 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
제1 컨택홀, 제2 컨택홀, 제1 컨택 플러그, 제2 컨택 플러그, 금속배선
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 제1 및 제2 컨택홀과 컨택 플러그를 거쳐 금속배선이 소스 영역과 게이트 금속을 전기적으로 연결하는 구조를 통해 씨모스 이미지 센서의 전기적 연결을 구현한다.