문맥 (context)
[청구항 1]
반도체 기판으로부터 형성된 리세스 내에 배치된 제1 플러그 패턴, 상기 각 제1 플러그 패턴 상에 배치된 채널 패턴 및 상기 채널 패턴 상에 배치된 제2 플러그 패턴을 포함하는 수직형 필라 구조물
상기 채널 패턴의 측면 및 상기 채널 패턴과 인접한 상기 반도체 기판을 덮는 게이트 절연막; 및
상기 게이트 절연막 상에 배치되며, 상기 채널 패턴 사이에 배치된 게이트 전극을 포함하는 수직형 반도체 소자
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 제1 플러그 패턴, 채널 패턴 및 제2 플러그 패턴들은 상기 반도체 기판으로부터 성장된실리콘에피택셜성장패턴인것을특징으로 하는수직형 반도체 소자.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 제1 플러그 패턴, 채널 패턴 및 제2 플러그 패턴들은 상기 반도체 기판으로부터 성장된 불순물이 도핑된실리콘에피택셜성장패턴인것을특징으로 하는수직형 반도체 소자.
[청구항 4]
제 1 항에 있어서,상기 게이트 전극은 상기 게이트 절연막을 따라 막 형태로 배치된 폴리실리콘 패턴 및 상기 폴리실리콘 패턴 상에 배치된금속패턴포함하는것을특징으로 하는수직형 반도체 소자.
[청구항 5]
제 1 항에 있어서,상기 제2 플러그 패턴의 측벽에 배치된 스페이서 구조물더 포함하는수직형 반도체 소자.
[청구항 6]
제 1 항에 있어서,상기 제2 플러그 패턴의 상면에 배치된 콘택 플러그더 포함하는수직형 반도체 소자.
[청구항 7]
제 6 항에 있어서,상기 제2 플러그 패턴 및 상기 콘택 플러그 사이를 채우는 층간 절연막 패턴더 포함하는수직형 반도체 소자.
[청구항 8]
제 1 항에 있어서,상기 제1 플러그 패턴의 양쪽에 대응하는 상기 게이트 절연막의 하부에 배치된 소자분리 패턴 및 상기 소자분리 패턴에 의하여 분리된 비트라인더 포함하는수직형 반도체 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
수직형 반도체 소자의 게이트 전극은 어떠한 구성 요소들로 이루어져 있는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation수직형 반도체 소자의 게이트 전극을 구성하는 요소가 무엇인지 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 4에서 게이트 전극의 구성을 설명하는 내용을 추출한다.
- 상기 게이트 전극은 상기 게이트 절연막을 따라 막 형태로 배치된 폴리실리콘 패턴 및 상기 폴리실리콘 패턴 상에 배치된금속패턴포함하는것을특징으로 하는수직형 반도체 소자
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3근거 선택
evidence_selection게이트 전극의 구성 요소인 '폴리실리콘 패턴'과 '금속패턴'을 근거로 선택한다.
- 폴리실리콘 패턴 및 상기 폴리실리콘 패턴 상에 배치된금속패턴
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4논리 통합
logical_integration추출된 두 구성 요소(폴리실리콘 패턴, 금속패턴)를 결합하여 게이트 전극의 구성을 정의한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation게이트 전극은 폴리실리콘 패턴과 그 상에 배치된 금속패턴으로 이루어져 있음을 결론짓는다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 대하여 리스트 형식으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
폴리실리콘 패턴, 금속패턴
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 게이트 절연막을 따라 배치된 폴리실리콘 패턴과 그 상부에 배치된 금속패턴을 통해 게이트 전극을 구성하는 수직형 반도체 소자에 관한 것이다.