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반도체 소자 및 그 형성 방법 document_id 1020080062702

출원번호
1020080062702
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 터널 절연 패턴의 하나의 패턴은 상기 제어 게이트 전극이 상기 활성영역을 가로지르는 방향에서 상기 터널 절연 패턴의 다른패턴돌출된것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 터널 절연 패턴 중에서 상기 활성 영역과 직접 접촉하는 패턴의 밴드갭은 상기 터널 절연 패턴의 다른 패턴의 밴드갭보다 큰 것특징으로 하는반도체 소자. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 터널 절연 패턴은 상기 활성 영역 상에 차례로 적층된 하부 터널 절연 패턴, 중간 터널 절연 패턴, 및 상부 터널 절연 패턴을 포함하고, 상기 중간 터널 절연 패턴의 밴드갭이 상기 하부 터널 절연 패턴 및 상기 상부 터널 절연 패턴의 밴드갭 보다 작은 것특징으로 하는반도체 소자. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 제어 게이트 전극이 상기 활성영역을 가로지르는 방향에서, 상기 전하 저장 패턴은 상기 활성 영역의 측면보다 돌출되거나함몰된것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 제어 게이트 전극이 상기 활성영역을 가로지르는 방향에서, 상기 터널 절연 패턴의 적어도 하나의 패턴의 측면은 상기 전하 저장 패턴의 측면보다 돌출되거나함몰되는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 터널 절연 패턴은 실리콘산화막, 실리콘질화막, 실리콘 산화질화막(sion), 고유전물질막 중에서적어도하나포함하는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 9] 제 8항에 있어서,상기 활성 영역과 상기 게이트 전극은 축전기를 형성하고, 상기 축전기는 단위 면적당 정전용량이 다른 적어도 두 개의 축전기가 병렬 연결된구조가지는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 10] 제 8항에 있어서,상기 게이트 절연 패턴은 차례로 적층된 하부 게이트 절연 패턴, 중간 게이트 절연 패턴, 상부 게이트 절연패턴을 포함하되,상기 하부 중간 게이트 절연 패턴의 밴드갭은 상기 상부 게이트 절연 패턴 및 상기 하부 게이트 절연 패턴의 밴드갭보다 작은 것특징으로 하는반도체 소자. [청구항 11] 제 8항에 있어서,상기 게이트 절연 패턴은 차례로 적층된 하부 게이트 절연 패턴, 중간 게이트 절연 패턴, 상부 게이트 절연패턴을 포함하되,상기 하부 중간 게이트 절연 패턴의 유전율은 상기 상부 게이트 절연 패턴 및 상기 하부 게이트 절연 패턴의 유전율보다 작은 것특징으로 하는반도체 소자. [청구항 12] 제 8항에 있어서,상기 터널 절연막의 적어도 하나의 패턴의 측면은 상기 활성 영역의 상부 측면보다돌출함몰되는것을특징으로 하는반도체 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
터널 절연 패턴이 하부, 중간, 상부 패턴으로 차례로 적층된 경우, 각 패턴의 밴드갭 크기 관계는 어떻게 구성되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    터널 절연 패턴이 하부, 중간, 상부로 적층되었을 때 각 패턴의 밴드갭 크기 관계를 파악해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 4에서 터널 절연 패턴이 하부, 중간, 상부 패턴으로 적층된다는 점과 중간 패턴의 밴드갭 특성을 확인한다.

    • 상기 터널 절연 패턴은 상기 활성 영역 상에 차례로 적층된 하부 터널 절연 패턴, 중간 터널 절연 패턴, 및 상부 터널 절연 패턴을 포함하고, 상기 중간 터널 절연 패턴의 밴드갭이 상기 하부 터널 절연 패턴 및 상기 상부 터널 절연 패턴의 밴드갭 보다 작은 것
  3. 3근거 선택evidence_selection

    중간 터널 절연 패턴의 밴드갭이 하부 및 상부 패턴의 밴드갭보다 작다는 구절을 선택한다.

    • 상기 중간 터널 절연 패턴의 밴드갭이 상기 하부 터널 절연 패턴 및 상기 상부 터널 절연 패턴의 밴드갭 보다 작은 것
  4. 4논리 통합logical_integration

    적층 구조에서 중간 층의 밴드갭이 상하 층의 밴드갭보다 작으므로, 중간 층이 가장 작은 밴드갭을 가진다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    중간 터널 절연 패턴의 밴드갭이 하부 및 상부 터널 절연 패턴의 밴드갭보다 작게 구성된다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    질문에 대해 중간 패턴의 밴드갭이 하부 및 상부 패턴보다 작다는 내용을 바탕으로 답변을 생성한다.

최종 답변 (final_answer)
중간 터널 절연 패턴의 밴드갭이 하부 터널 절연 패턴 및 상부 터널 절연 패턴의 밴드갭보다 작게 구성된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
터널 절연 패턴을 하부, 중간, 상부로 적층할 때, 중간 층의 밴드갭을 상하 층보다 작게 설계하여 밴드갭의 계층적 구조를 형성하는 기술이다.