유기발광다이오드 표시소자와 그 제조방법 document_id 1020080071854

[청구항 1] 애노드전극, 유기화합물층 및 캐소드전극을 포함한 유기발광다이오드소자 어레이과, 상기 유기화합물층과 캐소드전극에 의해 덮여진 콘택 스페이서를 포함한 상판 및 데이터라인과 게이트라인에 접속된 스위치 tft와, 상기 스위치 tft에 게이트전극이 접속되고 상기 상판의 캐소드전극에 드레인전극이 접속된 구동 tft와, 상기 게이트라인의 끝단에 연결된 게이트패드, 및 상기 데이터라인의 끝단에 연결된 데이터패드를 포함한 하판을 구비하는 유기발광다이오드 표시소자에 있어서, 상기 하판은, 상기 스위치 tft 및 상기 구동 tft의 게이트전극들, 상기 게이트라인들, 및 상기 게이트패드 하부전극을 포함한 게이트금속패턴들 상기 스위치 tft의 게이트전극을 덮는 제1 게이트 절연패턴과 그 위에 형성된 제1 액티브 패턴, 상기 구동 tft의 게이트 전극의 일부를 덮는 제2 게이트 절연패턴과 그 위에 형성된 제2 액티브 패턴, 제3 게이트 절연패턴 및 그 위에 형성된 반도체패턴 상기 스위치 tft의 소스전극 및 드레인전극, 상기 구동 tft의 소스전극 및 드레인전극, 상기 게이트패드 상부전극, 및 상기 반도체패턴 상에 형성되는 상기 데이터패드를 포함한 소스/드레인금속패턴들; 및 상기 구동 tft의 드레인전극, 상기 게이트패드 상부전극 및 상기 데이터패드를 노출하고 그외 나머지 하판을 덮는 단일 패시베이션층을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시소자 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 소스/드레인금속패턴들 각각은 몰리티타늄(moti)을 포함하며, 상기 콘택 스페이서는 폴리이미드(polyimide)와 포토레지스트(photoresist) 중 어느 하나를 포함하고 3~4㎛정도의두께가지는것을특징으로 하는유기발광다이오드 표시소자. [청구항 3] 애노드전극, 유기화합물층 및 캐소드전극을 포함한 유기발광다이오드소자 어레이와, 상기 유기화합물층과 캐소드전극에 의해 덮여진 콘택 스페이서를 포함한 상판 및 데이터라인과 게이트라인에 접속된 스위치 tft와, 상기 스위치 tft에 게이트전극이 접속되고 상기 상판의 캐소드전극에 드레인전극이 접속된 구동 tft와, 상기 게이트라인의 끝단에 연결된 게이트패드, 및 상기 데이터라인의 끝단에 연결된 데이터패드를 포함한 하판을 구비하는 유기발광다이오드 표시소자에 있어서, 상기 하판은, 상기 스위치 tft 및 상기 구동 tft의 게이트전극들, 상기 게이트라인들, 및 상기 게이트패드 하부전극을 포함한 게이트금속패턴 상기 스위치 tft의 게이트전극을 덮는 제1 게이트 절연패턴과 그 위에 형성된 제1 액티브 패턴, 상기 구동 tft의 게이트 전극의 일부를 덮는 제2 게이트 절연패턴과 그 위에 형성된 제2 액티브 패턴, 제3 게이트 절연패턴 및 그 위에 형성된 반도체패턴 몰리브덴, 크롬, 구리에서 선택된 금속, 이들의 적층 또는 합금으로 이루어진 소스/드레인금속과 그 위에 적층된 ito(indium tin oxide)를 각각 포함하는 상기 스위치 tft의 소스전극 및 드레인전극, 상기 구동 tft의 소스전극 및 드레인전극, 상기 게이트패드 상부전극, 및 상기 데이터패드를 포함한 소스/드레인금속패턴 상기 구동 tft의 드레인전극의 ito, 상기 게이트패드 상부전극의 ito 및 상기 데이터패드의 ito를 노출하고 그외 나머지 하판을 덮는 단일 패시베이션층; 및 상기 드레인전극의 ito 상에 형성되어 상기 상판의 캐소드전극에 접촉되는 콘택패드를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시소자 [청구항 4] 제 3 항에 있어서,상기 콘택패드는 몰리브덴(mo)을 포함하며, 상기 콘택 스페이서는 폴리이미드(polyimide)와 포토레지스트(photoresist) 중 어느 하나를 포함하고 3~4㎛정도의두께가지는것을특징으로 하는유기발광다이오드 표시소자.