플라즈마 처리 장치 document_id 1020080074658

[청구항 2] 청구항 1에 있어서,상기 반응 몸체부는 상기 챔버 몸체부에 착탈 가능하도록 장착되고, 수평 단면이 띠 형상으로 상기 반응 공간의 일부를 둘러싸는 실드부와, 상기 실드부와 결합하여 안테나 배치 공간을 형성하는커버부를포함하는플라즈마 처리 장치. [청구항 3] 청구항 2에 있어서,상기 안테나부는 상기 안테나 배치 공간에 위치하되, 상기 실드부의 외측 둘레를 따라 선회하는 형태배치된플라즈마 처리 장치. [청구항 4] 청구항 3에 있어서,상기 안테나부가 상기 실드부에 밀착배치된플라즈마 처리 장치. [청구항 5] 청구항 2에 있어서,상기 챔버 몸체부는 상기 대기 공간을 형성하는 바닥판과 측벽을 구비하고, 상기 반응 몸체부의 상기 실드부와 상기 커버부 중 적어도 어느 하나가 상기 챔버 몸체부의 측벽에 밀착고정되는플라즈마 처리 장치. [청구항 6] 청구항 1에 있어서,상기 상측 리드는 판 형상으로 제작되어상기반응몸체부착탈가능하도록장착되는플라즈마 처리 장치. [청구항 7] 청구항 6에 있어서,상기 반응 몸체부는 수평 단면이 띠 형상으로 상기 반응 공간의 일부를 둘러싸는 실드부와, 상기 실드부와 결합하여 안테나 배치 공간을 형성하는 커버부를 구비하고, 상기 실드부와 커버부 중 적어도 어느 하나가 상기 상측 리드에 밀착고정되는플라즈마 처리 장치. [청구항 8] 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판 하측의 비식각 영역을 지지하는 기판 지지부; 및 상기 기판의 비식각 영역에 대응 되도록 상기 상측 리드에 장착된 차폐부를 구비하고, 상기 기판 지지부를 승강시켜 상기 기판 상측의 비식각 영역을 상기 차폐부로 차폐하여 기판의 식각 영역을 반응 공간노출시키는플라즈마 처리 장치. [청구항 9] 청구항 8에 있어서,상기 기판의 비식각 영역은 기판 중심 영역이고, 상기 기판의 식각 영역은 기판 에지영역인플라즈마 처리 장치. [청구항 10] 청구항 8에 있어서,상기 기판 지지부를 승강시켜 상기 차폐부와 상기 기판 사이를 플라즈마가 발생하지 않을 정도의 간격으로 인접시켜 상기 차폐부와 상기 기판 사이에 플라즈마 발생차폐하는플라즈마 처리 장치. [청구항 11] 청구항 10에 있어서,상기 플라즈마가 발생하지 않을 정도의 간격은 0.01 내지인플라즈마 처리 장치. [청구항 12] 청구항 8에 있어서,상기 차폐부와 상기 기판 사이의 간격을 측정하는 복수의 간극 감지 센서를 더 포함하고, 상기 간극 감지 센서는 상기 상측 리드 상에 배치된 감지 센서와 상기 감지 센서 하측에 위치하고, 상기 상측 리드와 상기 차폐부를 관통하여 배치된 센서창포함하는플라즈마 처리 장치. [청구항 13] 청구항 8에 있어서,상기 차페부가 상기 상측 리드에 이격 장착되고, 상기 상측 리드를 관통하여 상기 차폐부와 상기 상측 리드의 이격 영역으로 공정 가스를 제공하는 공정 가스 공급부더 포함하는플라즈마 처리 장치. [청구항 14] 청구항 8에 있어서,상기 차폐부는 중심 몸체와 상기 중심 몸체의 하측 바닥면에 마련된 오목홈부와, 상기 오목홈부에 이격 장착된 중심 가스 분사판을 포함하고, 상기 상측 리드와 상기 차폐부의 중심 몸체를 관통하여 상기 오목홈부와 상기 중심 가스판의 이격 영역으로 비활성의 중심 가스를 제공하는 중심 가스 공급부더 포함하는플라즈마 처리 장치. [청구항 15] 청구항 8에 있어서,상기 반응 몸체부와 상기 차폐부 사이에 위치하는 상기 상측 리드에 마련된 복수의 뷰 포트더 포함하는플라즈마 처리 장치.