문맥 (context)
[청구항 1]
기판상의 화소영역에 형성되며 폴리실리콘의 제 1 및 제 2 액티브층과, 상기 제 1 및 제 2 액티브층 상부에 서로 이격하며 형성된 제 1 및 제 2 오믹콘택층과
상기 기판상에 저저항 금속물질인 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어지며 일방향으로 연장하며 형성된 데이터 배선과 이와 이격하며 나란하게 형성된 전원배선과
상기 데이터 배선을 이루는 동일한 물질로써 상기 제 1 오믹콘택층 상부로 서로 이격하며 형성된 제 1 소스 및 제 1 드레인 전극과, 상기 제 2 오믹콘택층 상부로 서로 이격하며 형성된 제 2 소스 및 제 2 드레인 전극과
상기 제 1 소스 및 제 2 드레인 전극과 상기 제 2 소스 및 제 2 드레인 전극과 상기 데이터 배선과 상기 전원배선의 상면 및 측면을 감싸며 형성된 커버층과
상기 제 2 드레인 전극 상부에 형성된 커버층으로부터 연장 형성되어 상기 화소영역 내에 위치하는 화소전극과
상기 커버층을 덮으며 화소전극을 노출시키고 동시에 상기 제 1 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 가지며 형성된 게이트 절연막과
상기 게이트 절연막 위로 상기 데이터 배선과 교차하여 상기 화소영역을 정의하는 게이트 배선과, 상기 게이트 배선과 연결되며 상기 제 1 액티브층에 대응하여 형성된 제 1 게이트 전극과, 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 제 1 드레인 전극과 접촉하며 상기 제 2 액티브층에 대응하여 형성된 제 2 게이트 전극
을 포함하는 유기전계 발광 소자용 기판
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 커버층과 상기 화소전극은 불산(hf)에 반응하지 않는투명도전성물질로이루어진것특징인유기전계 발광 소자용 기판.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 제 1 소스 전극은 상기 데이터 배선에서 분기하여 구성되며, 상기 제 2 소스 전극은 상기 전원배선에서 분기하여구성된것특징인유기전계 발광 소자용 기판.
[청구항 4]
제 1 항에 있어서,상기 제 2 게이트 전극은 그 일끝단이 절곡하여 상기 전원배선과 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 중첩하도록 형성됨으로써 이들 중첩하는 부분이스토리지커패시터이루는것특징인유기전계 발광 소자용 기판.
[청구항 5]
제 1 항에 있어서,상기 게이트 배선과 상기제 1 및 제 2 게이트 전극 위로 상기 화소전극을 노출시키는 보호층형성된유기전계 발광 소자용 기판.
[청구항 6]
제 1 항에 있어서,상기제 1 및 제 2 액티브층 하부로 상기 기판 전면에 무기절연물질로써버퍼층형성된것특징인유기전계 발광 소자용 기판.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
유기전계 발광 소자용 기판에서 스토리지 커패시터는 어떤 구성 요소들의 중첩을 통해 형성되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation유기전계 발광 소자용 기판 내에서 스토리지 커패시터가 어떤 구성 요소들의 중첩으로 형성되는지 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 4에서 스토리지 커패시터의 형성 조건에 관한 기술 내용을 추출한다.
- 상기 제 2 게이트 전극은 그 일끝단이 절곡하여 상기 전원배선과 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 중첩하도록 형성됨으로써 이들 중첩하는 부분이스토리지커패시터이루는것
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3근거 선택
evidence_selection스토리지 커패시터의 구성 요소로 명시된 '제 2 게이트 전극', '전원배선', '게이트 절연막' 구절을 선택한다.
- 상기 제 2 게이트 전극은 그 일끝단이 절곡하여 상기 전원배선과 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 중첩하도록 형성됨으로써 이들 중첩하는 부분이스토리지커패시터이루는것
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4논리 통합
logical_integration제 2 게이트 전극이 전원배선과 게이트 절연막을 사이에 두고 중첩된다는 문맥을 통해, 스토리지 커패시터는 이 세 요소의 중첩 구조임을 도출한다.
- 상기 제 2 게이트 전극은 그 일끝단이 절곡하여 상기 전원배선과 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 중첩하도록 형성됨으로써 이들 중첩하는 부분이스토리지커패시터이루는것
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5결론 도출
conclusion_formulation스토리지 커패시터는 제 2 게이트 전극, 전원배선, 게이트 절연막의 중첩을 통해 형성된다는 결론을 내린다.
- 상기 제 2 게이트 전극은 그 일끝단이 절곡하여 상기 전원배선과 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 중첩하도록 형성됨으로써 이들 중첩하는 부분이스토리지커패시터이루는것
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 상기 제 2 게이트 전극은 그 일끝단이 절곡하여 상기 전원배선과 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 중첩하도록 형성됨으로써 이들 중첩하는 부분이스토리지커패시터이루는것
최종 답변 (final_answer)
제 2 게이트 전극, 전원배선, 게이트 절연막
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 제 2 게이트 전극의 일부를 절곡시켜 전원배선 및 게이트 절연막과 중첩시킴으로써 스토리지 커패시터를 형성하는 구조를 제공한다.