문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 웰영역 내에 형성된 드리프트영역; 및상기 웰영역의 표면 상에 형성된 게이트전극더 포함하는고전압 반도체장치.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 웰영역과 분리웰영역은 도전성불순물과 상기 비도전성불순물도핑되어 있는고전압 반도체장치.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 웰영역은 도전성불순물이 도핑되어 있고, 상기 분리웰영역은 도전성불순물과 상기 비도전성불순물도핑되어 있는고전압 반도체장치.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 웰영역은 도전성불순물과 상기 비도전성불순물이 도핑되어 있고, 상기 분리웰영역은 도전성불순물도핑되어 있는고전압 반도체장치.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 웰영역 및 분리웰영역은 실리콘에피택셜층형성된고전압 반도체장치.
[청구항 7]
제1항에 있어서,상기 웰영역은 p형 도전성불순물이 도핑되어 있고, 상기 분리웰영역, 매몰영역 및 드리프트영역은 n형 도전성불순물도핑되어 있는고전압 반도체장치.
[청구항 8]
제7항에 있어서,상기 매몰영역은 안티몬도핑되어 있는고전압 반도체장치.
[청구항 9]
제1항에 있어서,상기 웰영역은 n형 도전성불순물이 도핑되어 있고, 상기 분리웰영역, 매몰영역 및 드리프트영역은 p형 도전성불순물도핑되어 있는고전압 반도체장치.
[청구항 10]
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 비도전성불순물은 탄소 또는 질소포함하는고전압 반도체장치.
[청구항 11]
제10항에 있어서,상기 비도전성불순물은 국부적위치하는고전압 반도체장치.
[청구항 12]
제11항에 있어서,상기 비도전성불순물은 상기 비도전성불순물이 도핑되지 않은 영역들 사이에서 국부적위치하는고전압 반도체장치.
[청구항 13]
제10항에 있어서,상기 비도전성불순물은 깊이에 따라 서로 다른 농도갖는고전압 반도체장치.
[청구항 14]
제10항에 있어서,상기 비도전성불순물의 농도는 1e15∼1e19atoms/cm3를갖는고전압 반도체장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
고전압 반도체장치에서 웰영역에 p형 도전성불순물이 도핑된 경우, 분리웰영역, 매몰영역 및 드리프트영역에는 각각 어떠한 유형의 도전성불순물이 도핑되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation웰영역에 p형 도전성불순물이 도핑된 조건에서 분리웰영역, 매몰영역, 드리프트영역에 도핑된 불순물 유형을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 7에서 웰영역이 p형 도전성불순물이 도핑된 경우에 대한 구성을 확인한다.
- 상기 웰영역은 p형 도전성불순물이 도핑되어 있고, 상기 분리웰영역, 매몰영역 및 드리프트영역은 n형 도전성불순물도핑되어 있는
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3근거 선택
evidence_selection질문의 조건(웰영역 p형)과 일치하는 청구항 7의 내용을 근거로 선택한다.
- 상기 웰영역은 p형 도전성불순물이 도핑되어 있고, 상기 분리웰영역, 매몰영역 및 드리프트영역은 n형 도전성불순물도핑되어 있는
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4논리 통합
logical_integration웰영역이 p형일 때, 분리웰영역, 매몰영역, 드리프트영역은 모두 n형 도전성불순물이 도핑되어 있음을 연결한다.
- 상기 분리웰영역, 매몰영역 및 드리프트영역은 n형 도전성불순물도핑되어 있는
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5결론 도출
conclusion_formulation분리웰영역, 매몰영역, 드리프트영역 모두 n형 도전성불순물이 도핑된다는 결론을 도출한다.
- 상기 분리웰영역, 매몰영역 및 드리프트영역은 n형 도전성불순물도핑되어 있는
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 n형 도전성불순물이 도핑된다고 답변을 생성한다.
- 상기 분리웰영역, 매몰영역 및 드리프트영역은 n형 도전성불순물도핑되어 있는
최종 답변 (final_answer)
n형 도전성불순물
핵심 해석 (core_interpretation)
고전압 반도체장치에서 웰영역의 도핑 타입(p형 또는 n형)에 따라 분리웰영역, 매몰영역 및 드리프트영역의 도전성불순물 유형이 상보적으로 결정됨을 나타낸다.