문맥 (context)
[청구항 1]
포토다이오드 영역인 엑티브 픽셀 영역과 플로팅 확산 영역과 aps 어레이 회로 영역과 주변 회로 영역으로 형성된 옵티칼 블랙 픽셀로 구분된 반도체 기판
상기 반도체 기판상에 형성된 제 1 도전형 불순물을 갖은 에피층
상기 제 1 도전형 에피층 포토다이오드 영역에 형성된 불순물 포토다이오드
상기 제 1 도전형 에피층 플로팅 확산 영역에 제 1 채널과 제2 채널을 가지고 있는 트랜스퍼 트랜지스터
상기 제 1 도전형 에피층 aps 어레이 회로 영역과 주변 회로 영역 상에 형성된 다수의 cmos 트랜지스터
상기 트랜지스터 전극상에 형성된 층간 절연막과 금속 배선층; 및
상기 금속 배선층 상에 형성된 보호막층과 상기 보호막층상에 수소 플라즈마 열처리 후 형성된 차광막을 형성 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)간에 다크 레벨(dark level) 차이가 발생되지 않도록 하는 것이 특징인 반도체 장치
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 차광막nan은패드메탈공정시동시형성된것특징인반도체 장치.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 포토다이오드가 있는 엑티브 필셀 영역과 옵티칼 블랙 픽셀은 포토다이오드를 경계로광투과막형성된것특징인반도체 장치.
[청구항 4]
제3항에 있어서,상기 광투과막은 굴절률이 일정한투명레진층인것특징인반도체 장치.
[청구항 5]
제 3항에 있어서,상기 광투과막 상에는 다수의 마이크로렌즈형성된것특징인반도체 장치.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 수소 플라즈마 열처리로 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)에 형성된댕글링본드를제거기판경계면의결함제거된것특징인반도체 장치.
[청구항 7]
포토다이오드 영역인 엑티브 픽셀 영역과 플로팅 확산 영역과 aps 어레이 회로 영역과 주변 회로 영역으로 형성된 옵티칼 블랙 픽셀로 구분된 핸들링 반도체 기판
상기 핸들링 반도체 기판상에 형성된 다수의 층간 절연막 및 금속 배선층
상기 금속 배선층과 전기적으로 연결되는 다수의 시모스 트랜지스터 전극
상기 다수의 트랜지스터 전극상에 형성된 제 1 도전형 불순물을 갖은 에피층
상기 제 1 도전형 에피층 포토다이오드 영역에 형성된 불순물 포토다이오드
상기 제 1 도전형 에피층 플로팅 확산 영역 트랜스퍼 전극 상에 있는 제 1 채널과 제2 채널
상기 에피층 aps 어레이 회로 영역과 주변 회로 영역상에 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)간에 다크 레벨(dark level) 차이가 없도록 수소 플라즈마 열처리하고 난 후 형성된 차광막; 및
상기 포토다이오드 영역에 형성된 포토다이오드 상 제 1 도전형 에피층상에 마이크로 렌즈가 형성된 것이 특징인 반도체 장치
[청구항 8]
제 7항에 있어서,상기 핸들링 반도체 기판은 상기 층간 절연막 형성 후 핸들링 반도체 기판을 부착하고 반도체 기판을 상하로 뒤집어 반도체 기판을 디닝(thinning) 공정을 통하여 제거하고 제 1 도전형 에피층이도출형성된것특징인반도체 장치
[청구항 9]
제 7항에 있어서,상기 차광막은 패드 메탈인알루미늄인것특징인반도체 장치.
[청구항 10]
제7항에 있어서,상기 마이크로렌즈 하부에는컬러필터층형성된것특징인반도체 장치.
[청구항 11]
제 7항에 있어서,상기 수소 플라즈마 열처리는 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)에 형성된댕글링본드를제거결함경계면인것특징인반도체 장치.
[청구항 12]
제11항에 있어서,댕글링 본드는 반도체 제조 공정에서 발생된 ((-si-o)혹은(-si-)) 구조를 갖으며 수소 플라즈마 열처리를 통해서 치유되어 결함이 없는 것특징인반도체 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
본 발명의 반도체 장치에서 수소 플라즈마 열처리를 수행함으로써 얻을 수 있는 효과는 무엇이며, 이는 엑티브 픽셀 영역과 옵티칼 블랙 픽셀 간의 관계에 어떠한 영향을 미치는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation수소 플라즈마 열처리의 효과와 그것이 엑티브 픽셀 영역 및 옵티칼 블랙 픽셀 간의 관계에 미치는 영향을 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 6항과 11항에서 수소 플라즈마 열처리가 댕글링 본드를 제거하고 기판 경계면의 결함을 제거한다는 점을 추출한다.
- 수소 플라즈마 열처리로 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)에 형성된댕글링본드를제거기판경계면의결함제거된것
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3근거 선택
evidence_selection열처리의 직접적인 효과(댕글링 본드 및 결함 제거)와 그 결과로 나타나는 영역 간의 관계(다크 레벨 차이 방지)를 나타내는 구절을 선택한다.
- 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)간에 다크 레벨(dark level) 차이가 발생되지 않도록 하는 것
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4논리 통합
logical_integration수소 플라즈마 열처리가 댕글링 본드와 결함을 제거함으로써, 엑티브 픽셀 영역과 옵티칼 블랙 픽셀 사이의 다크 레벨 차이가 발생하지 않도록 유도함을 논리적으로 연결한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation열처리의 효과는 댕글링 본드 및 결함 제거이며, 이를 통해 두 영역 간의 다크 레벨 차이가 발생하지 않게 된다는 결론을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
수소 플라즈마 열처리를 수행함으로써 엑티브 픽셀 영역과 옵티칼 블랙 픽셀에 형성된 댕글링 본드를 제거하고 기판 경계면의 결함을 제거할 수 있다. 이러한 효과를 통해 엑티브 픽셀 영역과 옵티칼 블랙 픽셀 간에 다크 레벨(dark level) 차이가 발생하지 않도록 하는 영향을 미친다.
핵심 해석 (core_interpretation)
수소 플라즈마 열처리를 통해 반도체 기판의 결함(댕글링 본드)을 제거함으로써, 이미지 센서의 엑티브 픽셀과 옵티칼 블랙 픽셀 간의 다크 레벨 불균형을 방지하는 기술이다.