자기증폭형 초감도 센서 document_id 1020080094156

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 나노선의 채널 패턴 구조는 탑-다운 방식 또는 바텀-업 방식형성하는자기증폭형 초감도 센서. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 나노선의 채널 패턴은, "t" 자형 또는 "y" 형 또는 열십자(+) 형태로 형성되어 자기증폭을 이용할 수 있도록 네트워크구성되는자기증폭형 초감도 센서. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 나노선의 단부에 쇼트키 콘택(schottky contact)을 이용한 금속전극의 패터링으로 전계효과 트랜지스트형 소자형성하는자기증폭형 초감도 센서. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 나노선 패턴의 단부에 오믹접촉(ohmic contact)을 이용한 금속전극의 패터링으로 전계효과 트랜지스트형 소자형성하는자기증폭형 초감도 센서. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 나노선 패턴의 단부 중어느 하나 이상에는 쇼트키 콘택(schottky contact)을 이용하여 금속전극을 패터링하고, 다른 나머지에는 오믹접촉(ohmic contact)을 이용하여 금속전극을 패터링하여 전계효과 트랜지스트형 소자형성하는자기증폭형 초감도 센서. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 센서의 나노 구조체는, mg, zn, cd, ti, li, cu, al, ni, y, ag, mn, v, fe, la, ta, nb, ga, in, s, se, p, as, co, cr, b, n, sb 및 h로 이루어진 군 중에서 선택된1종이상의이종물질도핑된것특징으로 하는자기증폭형 초감도 센서. [청구항 8] 제 4 항 또는 제 6 항에 있어서,상기 쇼트키 콘택을 이용하여 패터링되는 금속은, 반도체의 전자 친화도(electron affinity)보다 큰 일함수를 갖는 금속특징으로 하는자기증폭형 초감도 센서. [청구항 9] 제 4 항 또는 제 6 항에 있어서,상기 쇼트키 콘택을 이용하여 패터링되는 금속은, ni, pt, pd, au, w, ag 또는 이들의 합금, 또는 실리사이드 계열특징으로 하는자기증폭형 초감도 센서. [청구항 10] 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 나노선 패턴의 단부에 오믹접촉을 위한 도핑시 드레인과 소오스 사이의 도핑 사이이하인자기증폭형 초감도 센서. [청구항 11] 제 1 항에 있어서,상기 센서의 밴드다이어그램에서, 상기 드레인-소오스 상의 에너지밴드 중간 부분의 밴드 휨 현상에 따른 전자/정공의 가속에 따라 출력증폭되는자기증폭형 초감도 센서. [청구항 12] 제 1 항에 있어서,상기 나노선의 나노체 재료가 cnt, zno, cdo, in2o3, mgo, al2o3, aln, inn, gan, si, ge, alp, inp, gap, inas, gaas, alas, insb, gasb, znse, zns, cds, cdse, bisb 및 이들의 합금으로 이루어진 군 중에서 선택된물질형성된것을특징으로 하는자기증폭형 초감도 센서. [청구항 13] 제 1 항에 있어서,상기 나노선의 직교하는 중심부 상에 상기 소오스로부터 상기 드레인으로 흐르는 전류를 제어할 수 있는 탑게이트더 포함되는자기증폭형 초감도 센서. [청구항 14] 제 13 항에 있어서,상기 탑게이트와 센싱게이트를 묶어부유게이트사용할수있는자기증폭형 초감도 센서. [청구항 15] 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,상기 탑게이트는, ti, pt, li, al, li,, ag, fe, zn, zno, cu, si, mg의 재료가 사용되어 게이팅 역할되는자기증폭형 초감도 센서. [청구항 16] 제 1 항에 있어서,상기 나노선에서 하나의 단자만을 센싱 나노선으로 이용하여 센싱하고 그 신호증폭하는형태의 자기증폭형 초감도 센서. [청구항 17] 제 1 항에 있어서,상기 드레인과 상기 소오스는 고정 후, 다른 여러 상기 나노선을 센싱영역으로 활용하여센싱신호의연산수행하는것을특징으로 하는자기증폭형 초감도 센서.