가공데이터 · 특허 지식베이스

비수전해질 전지용 정극 및 비수전해질 전지 document_id 1020080094904

출원번호
1020080094904
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 코팅층의 피복량이 0.01내지범위인것을특징으로 하는비수전해질 전지. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 정극 활성 물질층이 상기 정극 활성 물질 및 상기 결합제를 포함하는 슬러리에, 상기 고분자를 첨가함으로써 제조된 슬러리를 도포하여형성된것을특징으로 하는비수전해질 전지. [청구항 6] 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반복 단위(i)의중합도5이상인것을특징으로 하는비수전해질 전지. [청구항 7] 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반복 단위(ii)의중합도5이상인것을특징으로 하는비수전해질 전지. [청구항 8] 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 블록쇄a 중에서의 상기 반복 단위 (i)의 비율이 90 내지 99.9 중량%의 범위이고, 상기 반복 단위 (ii)의 비율이 10 내지 0.1 중량%의 범위인랜덤공중합체로이루어지는것을특징으로 하는비수전해질 전지. [청구항 9] 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반복 단위(i), (ii) 및 (iii)의 합계에 대한 상기 반복 단위 (i) 및 (ii)의 합계의 비율이 50 내지 90 중량%이고, 상기 반복 단위 (iii)의 비율이50내지10중량범위인것을특징으로 하는비수전해질 전지. [청구항 10] 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반복 단위(i)에 있어서, 하기 화학식 4로 표시되는 반복 단위 부분이60내지85중량인것을특징으로 하는비수전해질 전지. 003c#화학식 4003e#(식 중, r4a 및 r4b는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타냄) [청구항 11] 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반복 단위(ii)가 에스테르부에 수산기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 단량체로 하여 유도되는반복단위인것을특징으로 하는비수전해질 전지. [청구항 12] 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반복 단위(ii)가 상기 고분자에 있어서 0.1 내지 12.0 중량%의범위포함되어있는것을특징으로 하는비수전해질 전지. [청구항 13] 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 고분자가 블록쇄 b-블록쇄 a-블록쇄 b의 순서로 결합되어 있는블록중합체인것을특징으로 하는비수전해질 전지. [청구항 14] 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 고분자의 수 평균 분자량이50000내지범위인것을특징으로 하는비수전해질 전지. [청구항 15] 제14항에 있어서,상기 고분자의 중량 평균 분자량(mw)과 수 평균 분자량(mn)의 비(mw/mn)가 1.001내지범위인것을특징으로 하는비수전해질 전지. [청구항 16] 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 고분자가 코어부와, 블록쇄 a 및 블록쇄 b를 포함하는 중합체쇄로 이루어지는 아암부를 갖는스타중합체인것을특징으로 하는비수전해질 전지. [청구항 17] 제16항에 있어서,상기 고분자가 하나 이상의 방향족환을 갖는 상기 코어부와, 상기 코어부로부터 블록쇄 b-블록쇄 a의 순서로 배치된 중합체쇄로 이루어지는 상기 아암부를 갖는스타중합체인것을특징으로 하는비수전해질 전지. [청구항 18] 제16항에 있어서,상기 스타 중합체가 관능기를 말단에 2 이상 갖는 중합체쇄로 이루어지는스타중합체인것을특징으로 하는비수전해질 전지. [청구항 19] 제18항에 있어서,상기 아암부의 블록쇄b의 말단의 2 이상의 관능기로부터, 추가로 신장시켜블록쇄형성되는것을특징으로 하는비수전해질 전지. [청구항 20] 제19항에 있어서,상기 관능기가 수산기를 갖는 기로 변환 가능한 관능기, 또는 활성 할로겐을 갖는 기로 변환 가능한관능기인것을특징으로 하는비수전해질 전지. [청구항 21] 제16항에 있어서,상기 코어부가 하기 화학식 5로 표시되는골격구조갖는것을특징으로 하는비수전해질 전지. 003c#화학식 5003e#(식 중, d는 (ch2)q 또는 p-페닐렌기를 나타내고, q는 0 내지 3의 정수를 나타냄) [청구항 22] 제16항에 있어서,상기 스타 중합체의 수 평균 분자량이50000내지범위인것을특징으로 하는비수전해질 전지. [청구항 23] 제16항에 있어서,상기 스타 중합체의 중량 평균 분자량(mw)과 수 평균 분자량 (mn)의 비(mw/mn)가 1.001내지범위인것을특징으로 하는비수전해질 전지. [청구항 24] 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 고분자가 블록쇄 b-블록쇄 a의 순서로 배치된 블록 중합체, 또는 코어부로부터 블록쇄 b-블록쇄 a의 순서로 배치된 중합체쇄를 아암부로 하는 스타 중합체와 가교제를 반응시킴으로써 얻어진가교고분자인것을특징으로 하는비수전해질 전지. [청구항 25] 제24항에 있어서,상기 가교제가 분자 내에 2개 이상의 이소시아네이트기를 갖는 폴리이소시아네이트화합물인것을특징으로 하는비수전해질 전지. [청구항 26] 제24항에 있어서,상기 블록 중합체 중의 상기 반복 단위(ii) 1몰에 대하여 가교제 0.1내지2몰을반응지는것을특징으로 하는비수전해질 전지.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
비수전해질 전지의 정극 활성 물질층을 제조할 때, 슬러리에 포함되어야 하는 성분들은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    비수전해질 전지의 정극 활성 물질층 제조를 위한 슬러리의 구성 성분을 찾는 과업이다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 5에서 정극 활성 물질층이 제조되는 슬러리의 성분에 대한 정보를 추출한다.

    • 상기 정극 활성 물질층이 상기 정극 활성 물질 및 상기 결합제를 포함하는 슬러리에, 상기 고분자를 첨가함으로써 제조된 슬러리를 도포하여형성된것을특징으로 하는
  3. 3근거 선택evidence_selection

    슬러리에 포함되는 성분인 정극 활성 물질, 결합제, 고분자를 직접 언급한 구절을 선택한다.

    • 정극 활성 물질 및 상기 결합제를 포함하는 슬러리에, 상기 고분자를 첨가함으로써 제조된 슬러리
  4. 4논리 통합logical_integration

    정극 활성 물질과 결합제가 포함된 슬러리에 고분자를 첨가하여 최종 슬러리를 제조하므로, 슬러리의 성분은 이 세 가지이다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    슬러리에 포함되어야 하는 성분은 정극 활성 물질, 결합제, 고분자임을 도출한다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    질문에 대하여 리스트 형식으로 최종 답변을 작성한다.

최종 답변 (final_answer)
정극 활성 물질, 결합제, 고분자
핵심 해석 (core_interpretation)
비수전해질 전지의 정극 활성 물질층을 형성하기 위해 정극 활성 물질과 결합제가 포함된 슬러리에 특정 고분자를 첨가하여 슬러리를 제조하는 기술에 관한 것이다.