문맥 (context)
[청구항 2]
제1 항에 있어서,상기 복수의 컨택플러그는컨택플러그의 상부 평면의 형태가 메쉬(mesh)형태형성되는것을특징으로 하는이미지센서.
[청구항 3]
제1 항에 있어서,상기 복수의 컨택플러그는컨택플럭의 상부 평면의 형태가복수의둘레형태형성되는것을특징으로 하는이미지센서.
[청구항 4]
제1 항에 있어서,상기 제1 기판에 상기 리드아웃 회로와 전기적으로 연결되어 형성된전기접합영역더포함하는것을특징으로 하는이미지센서.
[청구항 5]
제4 항에 있어서,상기 전기접합영역은상기 제1 기판에 형성된 제1 도전형 이온주입영역; 및상기 제1 도전형 이온주입영역 상에 형성된제2도전형이온주입영역포함하는것을특징으로 하는이미지센서.
[청구항 6]
제4 항에 있어서,상기 리드아웃회로는 트랜지스터를 포함하며,상기 트랜지스터 양측의 소스와 드레인 간의 전압차(potential difference)가 있는 것특징으로 하는이미지센서.
[청구항 7]
제6 항에 있어서,상기 트랜지스터는 트랜스퍼 트랜지스터이며,상기 트랜지스터 소스의 이온주입농도가 드레인인 플로팅디퓨젼 영역의 이온주입농도 보다 낮은 것특징으로 하는이미지센서.
[청구항 8]
제4 항에 있어서,상기 전기접합영역과 상기 배선 사이에 형성된제1 도전형연결영역더포함하는것을특징으로 하는이미지센서.
[청구항 9]
제8 항에 있어서,상기 제1 도전형 연결영역은 상기 전기접합영역 상부에 상기 배선과 전기적으로 연결되어 형성된제1 도전형연결영역인것을특징으로 하는이미지센서.
[청구항 10]
제8 항에 있어서,상기 제1 도전형 연결영역은상기 전기접합영역 일측에 상기 배선과 전기적으로 연결되어 형성된제1 도전형연결영역인것을특징으로 하는이미지센서.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
이미지센서의 전기접합영역이 제1 도전형 이온주입영역 및 제2 도전형 이온주입영역을 포함하기 위해 갖추어야 할 구성 조건은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation이미지센서의 전기접합영역이 제1 도전형 이온주입영역과 제2 도전형 이온주입영역을 포함하기 위한 구성 조건을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 5에서 전기접합영역의 구성을 설명하는 내용을 추출한다.
- 상기 전기접합영역은상기 제1 기판에 형성된 제1 도전형 이온주입영역; 및상기 제1 도전형 이온주입영역 상에 형성된제2도전형이온주입영역포함하는것을특징으로 하는이미지센서
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3근거 선택
evidence_selection전기접합영역의 적층 구조를 명시한 청구항 5의 구절을 핵심 근거로 선택한다.
- 상기 전기접합영역은상기 제1 기판에 형성된 제1 도전형 이온주입영역; 및상기 제1 도전형 이온주입영역 상에 형성된제2도전형이온주입영역포함
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4논리 통합
logical_integration제1 도전형 이온주입영역이 제1 기판에 형성되어야 하며, 제2 도전형 이온주입영역은 제1 도전형 이온주입영역 상에 형성되어야 한다는 논리적 관계를 도출한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation전기접합영역은 제1 기판에 형성된 제1 도전형 이온주입영역과 그 상부에 형성된 제2 도전형 이온주입영역을 포함하는 구조를 가져야 한다.
- 상기 제1 기판에 형성된 제1 도전형 이온주입영역; 및상기 제1 도전형 이온주입영역 상에 형성된제2도전형이온주입영역
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6답변 생성
answer_generation질문에 대하여 전기접합영역의 구성 조건을 정리하여 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
이미지센서의 전기접합영역은 제1 기판에 형성된 제1 도전형 이온주입영역과, 상기 제1 도전형 이온주입영역 상에 형성된 제2 도전형 이온주입영역을 포함하는 구성을 가져야 한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
전기접합영역이 제1 기판 상의 제1 도전형 이온주입영역과 그 상부에 적층된 제2 도전형 이온주입영역으로 구성됨을 정의하고 있다.