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반도체 패키지 document_id 1020080110125

출원번호
1020080110125
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] 본딩 패드가 형성된 상면 및 상기 상면과 대향하는 하면을 갖는 반도체 칩 상기 반도체 칩의 상면 상에 상기 본딩 패드가 노출되게 형성된 제1절연막 상기 제1절연막 상에 상기 본딩 패드와 연결되게 형성된 제1배선 상기 반도체 칩의 상면 상에 상기 제1배선의 일부분이 노출되게 형성된 제1솔더마스크막; 및 상기 반도체 칩의 하면 상에 상기 반도체 칩의 휨을 방지하기 위하여 형성된 휨 방지 패턴 을 포함하는 반도체 패키지 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 제1배선의 하부에 형성된제1금속씨드막더포함하는것을특징으로 하는반도체 패키지. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 휨 방지 패턴은 상기 제1배선과 동일한 물질의 제2배선 및 상기 제1솔더마스크막과 동일한물질의제2솔더마스크막의적층구조로이루어진것을특징으로 하는반도체 패키지. [청구항 4] 제 3 항에 있어서,상기 제2배선은 상기 제1배선과 대칭적인구조갖는것을특징으로 하는반도체 패키지. [청구항 5] 제 2 항에 있어서,상기 휨 방지 패턴은 상기 제1금속씨드막과 동일한물질의제2금속씨드막더포함하는것을특징으로 하는반도체 패키지. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,상기 제2금속씨드막은 상기 제1금속씨드막과 대칭적인구조갖는것을특징으로 하는반도체 패키지. [청구항 7] 제 5 항에 있어서,상기 휨 방지 패턴은 상기 반도체 칩의 하면과 상기 2금속씨드막 간에 구비된제2절연막더포함하는것을특징으로 하는반도체 패키지. [청구항 8] 제 2 항에 있어서,상기 휨 방지 패턴은 상기 제1금속씨드막과 동일한 열팽창 계수를 갖는제1막포함하는것을특징으로 하는반도체 패키지. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 휨 방지 패턴은 상기 제1배선과 동일한 열팽창 계수를 갖는제2막포함하는것을특징으로 하는반도체 패키지.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체 칩의 휨을 방지하기 위해 형성되는 휨 방지 패턴은 어떠한 적층 구조로 이루어져 있는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    반도체 칩의 휨을 방지하기 위해 형성되는 휨 방지 패턴의 구체적인 적층 구조를 파악해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 3에서 휨 방지 패턴의 구성 요소인 제2배선과 제2솔더마스크막에 대한 정보를 추출한다.

    • 상기 휨 방지 패턴은 상기 제1배선과 동일한 물질의 제2배선 및 상기 제1솔더마스크막과 동일한물질의제2솔더마스크막의적층구조로이루어진것을특징으로 하는반도체 패키지
  3. 3근거 선택evidence_selection

    휨 방지 패턴의 적층 구조를 직접적으로 명시한 청구항 3의 내용을 근거로 선택한다.

    • 상기 휨 방지 패턴은 상기 제1배선과 동일한 물질의 제2배선 및 상기 제1솔더마스크막과 동일한물질의제2솔더마스크막의적층구조로이루어진것을특징으로 하는반도체 패키지
  4. 4논리 통합logical_integration

    휨 방지 패턴은 제1배선과 동일한 물질의 제2배선과 제1솔더마스크막과 동일한 물질의 제2솔더마스크막이 적층된 구조임을 확인한다.

    • 상기 휨 방지 패턴은 상기 제1배선과 동일한 물질의 제2배선 및 상기 제1솔더마스크막과 동일한물질의제2솔더마스크막의적층구조로이루어진것을특징으로 하는반도체 패키지
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    질문에 답변하기 위해 휨 방지 패턴이 제2배선과 제2솔더마스크막의 적층 구조로 이루어져 있음을 정리한다.

    • 상기 휨 방지 패턴은 상기 제1배선과 동일한 물질의 제2배선 및 상기 제1솔더마스크막과 동일한물질의제2솔더마스크막의적층구조로이루어진것을특징으로 하는반도체 패키지
  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 정보를 바탕으로 휨 방지 패턴의 적층 구조를 서술형으로 답변한다.

    • 상기 휨 방지 패턴은 상기 제1배선과 동일한 물질의 제2배선 및 상기 제1솔더마스크막과 동일한물질의제2솔더마스크막의적층구조로이루어진것을특징으로 하는반도체 패키지
최종 답변 (final_answer)
휨 방지 패턴은 제1배선과 동일한 물질의 제2배선 및 제1솔더마스크막과 동일한 물질의 제2솔더마스크막의 적층 구조로 이루어져 있다.
핵심 해석 (core_interpretation)
반도체 칩의 휨을 방지하기 위해 칩 상면의 구성 요소(제1배선, 제1솔더마스크막)와 동일한 물질을 사용하는 제2배선 및 제2솔더마스크막을 적층 구조로 형성하는 기술이다.