문맥 (context)
[청구항 1]
아몰퍼스 셀레늄을 이용한 이미지 센서에 있어서,
유리기판 상부에 일정 거리 이격되어 형성된 소오스 전극 및 드레인 전극과
상기 소오스 전극과 드레인 전극이 각각 함침되도록 형성된 n형 도펀트가 주입된 실리콘층과
상기 n형 도펀트가 주입된 실리콘층이 함침되도록 형성된 아몰퍼스 실리콘층과
상기 아몰퍼스 실리콘층 상부에 형성된 게이트 절연층과
상기 소오스 전극과 드레인 전극 사이의 게이트 절연층 상부에 형성된 제1게이트 전극과
상기 게이트 절연층과 아몰퍼스 실리콘층 및 n형 도펀트가 주입된 실리콘층을 식각하여 상기 드레인 전극의 일부분이 노출되도록 형성된 탄소나노튜브 성장홀과
상기 탄소나노튜브 성장홀에 의해 노출된 드레인 전극 상부에 형성된 탄소나노튜브 에미터를 포함하는 것을 특징으로 하는 아몰퍼스 셀레늄 이미지 센서의 탄소나노튜브 에미터를 갖는 스위칭 수단
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 탄소나노튜브 에미터를 갖는 스위칭 수단은,상기 탄소나노튜브 에미터가 형성된 기판 상부에 제1게이트 전극이 함침되고 탄소나토튜브 에미터가 노출되도록 형성된 평탄화 절연층과;상기 평탄화 절연층 상부에 탄ㅅ나노튜브 에미터가 노출되도록 형성된 제2게이트 전극을 더 포함하는 거을 특징으로 하는 아몰퍼스 셀레늄 이미지 센서의 탄소나노튜브 에미터갖는스위칭 수단.
[청구항 3]
제 2 항에 있어서,상기 평탄화 절연층은 탄소나노튜브의 높이에 맞춰 무기 절연물 또는 유무기 복합물을 이용하여 형성된 평탄화층과;상기 평탄화층 상부에 형성되는 절연층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 아몰퍼스 셀레늄 이미지 센서의 탄소나노튜브 에미터갖는스위칭 수단.
[청구항 4]
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제1게이트 전극과 제2게이트 전극은 크롬, 알루미늄, 알루미늄 합금, 텅스텐, 또는 텅스텐 합금 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 아몰퍼스 셀레늄 이미지 센서의 탄소나노튜브 에미터갖는스위칭 수단.
[청구항 5]
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 절연층 및 평탄화 절연층은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 아몰퍼스 셀레늄 이미지 센서의 탄소나노튜브 에미터갖는스위칭 수단.
[청구항 6]
제 1 항에 있어서,상기 아몰퍼스 실리콘층은 미세결정 실리콘, 다결정 실리콘, 산화아연, 유기반도체 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 아몰퍼스 셀레늄 이미지 센서의 탄소나노튜브 에미터갖는스위칭 수단.
[청구항 12]
제 7 항에 있어서,상기 탄소나노튜브 에미터가 형성된 기판 상부에 평탄화 절연층을 형성하는 단계와;상기 평탄화 절연층 상부에 제2게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 제2게이트 전극과 편탄화 절연층을 포토리소그라피 방법으로 식각하여 상기 탄소나노튜브 에미터가 노출되도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 아몰퍼스 셀레늄 이미지 센서의 탄소나노튜브 에미터갖는스위칭 수단.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
아몰퍼스 셀레늄 이미지 센서의 스위칭 수단에서 탄소나노튜브 에미터가 노출되도록 형성되는 평탄화 절연층 및 제2게이트 전극의 구성 요소와 그 형성 방법은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation아몰퍼스 셀레늄 이미지 센서의 스위칭 수단 중 평탄화 절연층과 제2게이트 전극의 구성 요소 및 형성 방법을 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 3, 4, 5에서 평탄화 절연층과 제2게이트 전극의 재료를, 청구항 12에서 형성 방법을 추출한다.
- 상기 탄소나노튜브 에미터가 형성된 기판 상부에 평탄화 절연층을 형성하는 단계와;상기 평탄화 절연층 상부에 제2게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 제2게이트 전극과 편탄화 절연층을 포토리소그라피 방법으로 식각하여 상기 탄소나노튜브 에미터가 노출되도록 하는 단계
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3근거 선택
evidence_selection평탄화 절연층의 구성(평탄화층+절연층), 재료(무기 절연물/유무기 복합물, 실리콘 산화물/질화물), 제2게이트 전극의 재료(크롬, 알루미늄, 텅스텐 등), 그리고 포토리소그라피 식각 공정을 선택한다.
- 상기 제2게이트 전극과 편탄화 절연층을 포토리소그라피 방법으로 식각하여 상기 탄소나노튜브 에미터가 노출되도록 하는 단계
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4논리 통합
logical_integration평탄화 절연층은 무기 절연물 또는 유무기 복합물 기반의 평탄화층과 실리콘 산화물/질화물 절연층으로 구성되며, 제2게이트 전극은 크롬, 알루미늄, 텅스텐 계열 재료로 구성된다. 이들은 기판 상부에 형성된 후 포토리소그라피 식각을 통해 에미터가 노출된다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에서 요구한 구성 요소(재료 및 구조)와 형성 방법(포토리소그라피 식각)을 종합하여 답변을 구성한다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
평탄화 절연층은 탄소나노튜브의 높이에 맞춰 무기 절연물 또는 유무기 복합물을 이용한 평탄화층과 그 상부에 형성되는 절연층으로 구성되며, 이때 절연층 및 평탄화 절연층은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물일 수 있다. 제2게이트 전극은 크롬, 알루미늄, 알루미늄 합금, 텅스텐, 또는 텅스텐 합금 중 어느 하나로 구성된다. 이들의 형성 방법은 기판 상부에 평탄화 절연층을 형성하고 그 상부에 제2게이트 전극을 형성한 후, 포토리소그라피 방법으로 제2게이트 전극과 평탄화 절연층을 식각하여 탄소나노튜브 에미터가 노출되도록 하는 것이다.
핵심 해석 (core_interpretation)
탄소나노튜브 에미터가 노출되도록 평탄화 절연층과 제2게이트 전극을 구성하고, 포토리소그라피 식각 공정을 통해 에미터 노출 구조를 형성하는 기술에 관한 것이다.