반도체 집적 회로 장치 및 그를 포함하는 액정 표시 장치 document_id 1020080114153

[청구항 1] 기판 내에 형성된 esd 불순물 영역 상기 기판 상에 형성된 범프; 및 상기 범프 하부에 상기 범프와 적어도 일부 오버랩되어 형성되며, 동일 레벨로 서로 이격되어 형성된 제1 배선 및 제2 배선으로, 상기 제1 배선은 상기 esd 불순물 영역 및 상기 범프와 전기적으로 연결되고, 상기 제2 배선은 상기 범프와 절연된 제1 배선 및 제2 배선을 포함하는 반도체 집적 회로 장치 [청구항 2] 제 1항에 있어서,상기 제1 배선은 상기 제2 배선보다 상기 esd불순물영역인접하여형성된반도체 집적 회로 장치. [청구항 3] 제 1항에 있어서,상기 범프는 장축과 단축을 가지며, 상기 제1 배선 및 상기 제2 배선은장축방향이격되어형성된반도체 집적 회로 장치. [청구항 4] 제 1항에 있어서,상기 제1 배선 및 상기 제2 배선에서, 서로 인접한 측단 이외의 세 측단은상기범프외측확장되어형성된반도체 집적 회로 장치. [청구항 5] 제 1항에 있어서,상기 제1 배선과 상기 제2 배선은 4um 이하의 간격이격된반도체 집적 회로 장치. [청구항 6] 제 1항에 있어서,상기esd 불순물 영역의 상부 영역에서 상기 제1 배선의 하부 영역까지 연장되어, 상기 esd 불순물 영역 및 상기 제1 배선을 전기적으로 연결하는 제3 배선더 포함하는반도체 집적 회로 장치. [청구항 7] 제 1항에 있어서,상기 제2 배선은 복수개 형성되며,상기복수개의제2배선서로이격되어형성된반도체 집적 회로 장치. [청구항 8] 제 1항에 있어서,상기 범프는 일 방향으로 연장되어 다수개가 형성되며, 상기 제2 배선은 상기 다수개의 범프와 적어도 일부 오버랩되도록일방향연장되어형성된반도체 집적 회로 장치. [청구항 9] 제 1항에 있어서,상기 범프는 제1 범프이고, 상기 제1 범프와 이격되어 형성된 제2 범프 및 제3 범프를 더 포함하고, 상기 제1 범프, 상기 제2 범프 및 상기 제3 범프는 타 방향으로 순차적으로 배열되며, 상기 제3 범프는 상기 esd불순물영역인접하여형성되는반도체 집적 회로 장치. [청구항 10] 제 9항에 있어서,상기 제2 범프 및 상기 제3 범프 하부에, 상기 제2 범프 및 상기 제3 범프와 각각 오버랩되어 형성된 제4 배선 및 제5 배선으로, 상기 제4 배선은 상기 esd 불순물 영역 및 상기 제2 범프와 전기적으로 연결되고 상기 제5 배선은 상기 esd 불순물 영역 및 상기 제3 범프와 전기적으로 연결된 제4 배선 및 제5 배선더 포함하는반도체 집적 회로 장치. [청구항 11] 제 10항에 있어서,상기 제4 배선 및 제5 배선의 네 측단은상기제2범프및상기제3범프외측확장되어형성된반도체 집적 회로 장치. [청구항 12] 제 9항에 있어서,상기 제1 범프, 상기 제2 범프 및 상기 제3 범프는 범프 그룹을 형성하고, 상기 범프 그룹은 다수개가 형성되며, 상기 다수개의 범프 그룹은일방향서로이격되어형성된반도체 집적 회로 장치. [청구항 13] 기판 내에 일 방향으로 연장된 esd 불순물 영역 상기 기판 상에 일 방향으로 배열된 다수개의 제1 범프를 포함하는 제1 범프 그룹 상기 다수개의 제1 범프 하부에 상기 각각의 제1 범프와 적어도 일부 오버랩되어 형성된 다수개의 제1 패드로, 상기 각각의 제1 패드는 상기 esd 불순물 영역 및 상기 제1 범프와 전기적으로 연결된 다수개의 제1 패드; 및 상기 다수개의 제1 패드와 동일 레벨에서 타 방향으로 이격되어 형성되며, 상기 다수개의 제1 범프와 일부 오버랩되도록 일 방향으로 연장된 제1 배선을 포함하는 반도체 집적 회로 장치 [청구항 14] 제 13항에 있어서,상기 기판은 장축 및 단축을 가지며, 상기 일 방향은 장축 방향이고, 상기 타 방향은 단축방향인반도체 집적 회로 장치. [청구항 15] 제 14항에 있어서,상기 기판 상에 장축 방향으로 배열된 다수개의 제2 범프를 포함하는 제2 범프 그룹을 하나 이상 더 포함하며, 상기 하나 이상의 제2 범프 그룹 및 상기 제1 범프 그룹은 상기 기판의 장축 일단에서부터 단축 방향으로순차적이격되어배열된반도체 집적 회로 장치. [청구항 16] 제 15항에 있어서,상기 기판은 장축 일단을 포함하는 제1 영역 및 장축 타단을 포함하는 제2 영역의 두 영역으로 구분되며, 상기 esd 불순물 영역, 상기 제1 범프 그룹 및 상기 하나 이상의 제2 범프 그룹, 상기 다수개의 제1 패드 및 상기 제1 배선은 제1 영역에 형성되고, 상기 제2 영역에는 상기 제1 영역에 형성된상기구성요소들대칭되어형성된반도체 집적 회로 장치. [청구항 17] 제 15항에 있어서,다수개의 제2 범프 하부에 상기 각각의 제2 범프와 오버랩되어 형성된 다수개의 제2 패드로, 상기 각각의 제2 패드는 상기 esd 불순물 영역 및 상기 제2 범프와 전기적으로 연결된 다수개의 제2 패드더 포함하는반도체 집적 회로 장치. [청구항 18] 제 17항에 있어서,다수개의 제2 패드의 네 측단은상기제2범프외측확장되어형성된반도체 집적 회로 장치. [청구항 19] 제 13항에 있어서,상기 제1 패드 및 상기 제1 배선에서, 서로 인접한 측단 이외의 세 측단은상기제1범프외측확장되어형성된반도체 집적 회로 장치. [청구항 20] 제 13항에 있어서,상기 제1 패드와 상기 제1 배선은 4um 이하의 간격이격된반도체 집적 회로 장치. [청구항 21] 제 13항에 있어서,다수개의 제1 패드는 상기 제1 배선보다 상기 esd 불순물 영역에 인접하여 형성되고, 상기 각각의 다수개의 제1 패드와 상기 esd 불순물 영역을 전기적으로 연결하도록 타 방향으로 연장되어 형성된 다수개의 제2 배선더 포함하는반도체 집적 회로 장치. [청구항 22] 기판 상에 형성된 범프; 및 상기 범프 하부에 상기 범프와 적어도 일부 오버랩되어 형성되며, 동일 레벨로 4um 이하의 간격으로 이격되어 형성된 제1 배선 및 제2 배선을 포함하는 반도체 집적 회로 장치 [청구항 23] 제 22항에 있어서,상기 제1 배선은 상기 범프와 전기적으로 연결되고, 상기 제2 배선은 상기 범프절연된반도체 집적 회로 장치. [청구항 24] 제 22항에 있어서,상기 제1 배선 및 상기 제2 배선에서, 서로 인접한 측단 이외의 세 측단은상기범프외측확장되어형성된반도체 집적 회로 장치. [청구항 26] 제 25항에 있어서,상기 반도체 집적 회로 장치는 ldi칩인액정 표시 장치.