유도 결합 플라즈마 처리 장치 및 방법 document_id 1020080115911

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 고주파 안테나는, 고주파 전력이 공급됨으로써 상기 처리실 내에 각각 다른 전계 강도 분포를 갖는 유도 전계를 형성하는 복수의 안테나부를 갖고, 상기 조절 수단은 상기 각 안테나부를 포함하는 안테나 회로 중 하나 또는 복수의 안테나 회로에 접속되어, 그 접속된 안테나 회로의 임피던스를 조절하며, 상기 제어 수단은 상기 조절 수단을 제어하여, 상기 복수의 안테나부의 전류값을 제어함으로써 상기 처리실 내에 형성되는유도결합플라즈마의플라즈마밀도 분포제어하는것을특징으로 하는유도 결합 플라즈마 처리 장치. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 조절 수단nan은가변콘덴서갖는것을특징으로 하는유도 결합 플라즈마 처리 장치. [청구항 4] 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 항에 있어서,애플리케이션마다 최적의 플라즈마 상태가 얻어지는 상기 조절 수단의 조절 파라미터가 미리 설정되고, 상기 제어 수단은, 상기 플라즈마 검출 수단에 의한 검출 정보에 기초해서, 실행하는 애플리케이션에 대응하는조절파라미터선택하는것을특징으로 하는유도 결합 플라즈마 처리 장치. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기 피처리 기판은 적층된 복수의 층을 갖고, 상기 플라즈마 처리는 이들 층의 에칭 처리이며, 각 층마다 최적의 플라즈마 밀도 분포가 얻어지는 상기 조절 수단의 조절 파라미터가 미리 설정되고, 상기 제어 수단은, 상기 플라즈마 검출 수단에 의한 검출 정보에 기초해서, 처리 대상층에 대응하는조절파라미터선택하는것을특징으로 하는유도 결합 플라즈마 처리 장치. [청구항 6] 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제어 수단은, 상기 플라즈마 검출 수단에 의한 검출 정보에 기초해서, 플라즈마 상태가 적절하게 되도록 실시간으로상기조절파라미터제어하는것을특징으로 하는유도 결합 플라즈마 처리 장치. [청구항 7] 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제어 수단은, 상기 플라즈마 검출 수단의 플라즈마 검출 정보에 기초해서 상기 조절 수단을 제어하는 것에 더해서, 상기 플라즈마 검출 수단의 플라즈마 검출 정보에 기초해서 상기 처리 가스 공급계를 제어하여,플라즈마 상태제어하는것을특징으로 하는유도 결합 플라즈마 처리 장치. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,애플리케이션마다 최적의 플라즈마 밀도 분포가 얻어지는 상기 조절 수단의 조절 파라미터 및 상기 처리 가스 공급계에 의한 처리 가스의 유량 및 비율을 포함하는 처리 가스 파라미터가 미리 설정되고, 상기 제어 수단은, 상기 플라즈마 검출 수단에 의한 검출 정보에 기초해서, 실행하는 애플리케이션에 대응하는조절파라미터및처리가스파라미터선택하는것을특징으로 하는유도 결합 플라즈마 처리 장치. [청구항 9] 제 8 항에 있어서,상기 피처리 기판은 적층된 복수의 층을 갖고, 상기 플라즈마 처리는 이들 층의 에칭 처리이며, 각 층마다 최적의 플라즈마 밀도 분포가 얻어지는 상기 조절 수단의 조절 파라미터 및 상기 처리 가스 공급계에 의한 처리 가스의 유량 및 비율을 포함하는 처리 가스 파라미터가 미리 설정되고, 상기 제어 수단은 상기 플라즈마 검출 수단에 의한 검출 정보에 의해 파악된, 층에 대응하는조절파라미터및처리가스파라미터선택하는것을특징으로 하는유도 결합 플라즈마 처리 장치. [청구항 10] 제 7 항에 있어서,상기 제어 수단은, 상기 플라즈마 검출 수단에 의한 검출 정보에 기초해서, 플라즈마 상태가 적절하게 되도록 실시간으로 상기 조절 파라미터 및 상기 처리 가스 공급계에 의한 처리 가스의 유량 및 비율을 포함하는처리가스파라미터제어하는것을특징으로 하는유도 결합 플라즈마 처리 장치. [청구항 11] 제 7 항에 있어서,애플리케이션마다 최적의 플라즈마 밀도 분포가 얻어지는 상기 조절 수단의 조절 파라미터가 미리 설정되고, 상기 제어 수단은, 상기 플라즈마 검출 수단에 의한 검출 정보에 기초해서, 실행하는 애플리케이션에 대응하는 조절 파라미터를 선택하며, 또한 상기 플라즈마 검출 수단에 의한 검출 정보에 기초해서, 플라즈마 상태가 적절하게 되도록 실시간으로 상기 처리 가스 공급계에 의한 처리 가스의 유량 및 비율을 포함하는처리가스파라미터제어하는것을특징으로 하는유도 결합 플라즈마 처리 장치. [청구항 12] 제 7 항에 있어서,상기 플라즈마 검출 수단은 피처리 기판의 다른 위치에 대응하여 복수 마련되고, 상기 제어 수단은 상기 복수의 플라즈마 검출 수단의 검출 정보가 일정하게 되도록 상기 조절 수단을 제어하여 플라즈마 처리 특성을 피처리 기판의 면내에서 균일하게 되도록 하고, 또한 상기 복수의 플라즈마 수단의 검출 정보 중 어느 하나에 기초해서 상기 처리 가스 공급계를 제어하여플라즈마 처리특성제어하는것을특징으로 하는유도 결합 플라즈마 처리 장치. [청구항 13] 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 플라즈마 검출 수단은 플라즈마로부터의 발광을 수광하는 수광부와, 상기 수광부에서 수광한 광으로부터 소정 파장의 광의 발광 강도를 검출하는광 검출부갖는것을특징으로 하는유도 결합 플라즈마 처리 장치. [청구항 14] 제 13 항에 있어서,상기 광 검출부는, 소정 파장의 검출광과 상기 검출광 파장 근방의 파장을 갖는 참조광을 검출하고, 상기 검출광의 발광 강도를 상기 참조광의 발광 강도로 규격화한발광 강도를상기유도결합플라즈마의상태이용하는것을특징으로 하는유도 결합 플라즈마 처리 장치.