플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법 및, 이 방법으로 처리된 피처리체 document_id 1020080117400

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 전압인가 수단은, 상기 피처리체의 외부접속되는플라즈마 처리 장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 전압인가 수단에 의해 인가시키는 상기 소정 전압에 의해 상기 피처리체의 내부 공간에는 시스가 형성되어, 상기 시스에 의해 상기 피처리체의 내부 공간으로 유도되는 전자파 여기 플라즈마를 이용하여 상기 피처리체의 내벽면처리하는플라즈마 처리 장치. [청구항 4] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 진공 용기는 유전체제의 진공관이며, 상기 진공관의 길이 방향의 일부에 있어서의 외주부에는 도전관이 설치되어 있으며, 상기 전자파 유도부는, 상기 도전관의 외주에서 떨어져 설치되고, 상기 도전관과의 사이의 공간을 통하여 상기 전자파를 상기 플라즈마 점화 영역으로 유도하도록 구성되어 있으며, 상기 진공관 내에는, 상기 도전관과 상기 전자파 유도부와의 사이에서 발생하는 전계인가되는플라즈마 처리 장치. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 전자파 발생원으로부터 상기 전자파 유도부로 전자파를 유도하는 도파관을 추가로 포함하고, 상기 진공관은, 상기 도파관의 내부로부터 외부를 향해 상기 전자파의 도래 방향에 직교하는 방향으로 연신(extension)하고, 상기 도파관 내에서 상기 도전관으로 덮여 있으며, 상기 전자파 유도부는, 상기 도파관의 측벽부로부터 상기 진공관의 연신 방향으로 돌출하는 돌출부를 갖고 있으며, 상기 진공관은, 상기 돌출부 내에 있어서 상기 도전관으로 덮여 있지 않은 비(非)피복부를 갖고, 상기 비피복부에 있어서, 상기 도전관과 상기 전자파 유도부와의 사이에서 발생하는 전계가 내부 공간인가되는플라즈마 처리 장치. [청구항 6] 제4항에 있어서,상기 전자파 발생원으로부터 상기 전자파 유도부로 전자파를 유도하는 도파관을 추가로 포함하고, 상기 진공관은, 상기 도파관의 내부를 상기 전자파의 도래 방향에 직교하는 방향으로 관통하고, 상기 도파관 내에서 상기 도전관으로 덮여 있으며, 상기 플라즈마 유도 수단은, 상기 도파관의 측벽부로부터 상기 진공관의 관통 방향으로 돌출하는 돌출부를 갖고 있으며, 상기 진공관은, 상기 돌출부 내에 있어서 상기 도전관으로 덮여 있지 않은 비피복부를 갖고, 상기 비피복부에 있어서, 상기 도전관과 상기 전자파 유도부와의 사이에서 발생하는 전계가 내부 공간인가되는플라즈마 처리 장치. [청구항 7] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전압인가 수단은, 상기 소정 전압으로서 상기 피처리체에 펄스 전압인가하는플라즈마 처리 장치. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기 전압인가 수단과 상기 전자파 발생원에 접속되는 동기 회로를 추가로 포함하고, 상기 전압 인가 수단으로부터 상기 피처리체에 인가되는 상기 펄스 전압의 주파수와, 상기 전자파 발생원에서 발생되는 전자파의 주파수는 동일하며, 그리고, 상기 동기 회로에 의해동기취해지는플라즈마 처리 장치. [청구항 9] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 피처리체는, 스테인리스강제인플라즈마 처리 장치. [청구항 10] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 피처리체는, 대기 분위기 중설치되는플라즈마 처리 장치. [청구항 11] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 피처리체는, 만곡부갖는플라즈마 처리 장치. [청구항 12] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전자파 여기 플라즈마의 밀도는, 1.0×1011㎝-3 이상인플라즈마 처리 장치. [청구항 13] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전자파의 주파수는, 50mhz∼50ghz인플라즈마 처리 장치. [청구항 14] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전자파의 주파수는 2.45ghz이며, 상기 전자파에 의해 여기되는 전자파 여기 플라즈마의 밀도3 이상인플라즈마 처리 장치. [청구항 15] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 진공 용기는, 세라믹스 또는 석영구성되는플라즈마 처리 장치. [청구항 16] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 처리 가스는, 탄소기(基포함하는플라즈마 처리 장치. [청구항 17] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 처리 가스는, 테트라메틸실란포함하는플라즈마 처리 장치. [청구항 20] 전자파를 진공 용기 내의 플라즈마 점화 영역으로 유도하여, 플라즈마를 점화하는 제1 공정과, 상기 진공 용기에 접속된 피처리체의 내부 공간으로 상기 플라즈마에 의해 표면파를 유도하는 제2 공정과, 상기 피처리체로 처리 가스를 공급하는 제3 공정과, 상기 피처리체를 배기하는 제4 공정과, 상기 피처리체로 소정 전압을 인가하는 제5 공정과, 상기 소정 전압이 인가된 상기 피처리체로 유도되는 전자파 여기 플라즈마에 의해 상기 피처리체의 내벽면을 처리하는 제6 공정 을 포함하는 플라즈마 처리 방법에 의해 처리된 피처리체