문맥 (context)
[청구항 1]
드레인 노드에 의해 전류소스가 공급되고 게이트노드와 소스노드를 구비한 제 1 모스펫 및 상기 제 1 모스펫의 소스노드에 연결되고 게이트에 게이트 입력전압이 공급되는 제 1단전자 트랜지스터를 구비한 set ulg회로에 있어서,
상기 제 1모스펫의 게이트노드와 연결되는 제 2모스펫; 및
상기 제 2모스펫의 소스노드에 연결되고 입력게이트와 사이드게이트를 구비한 제 2단전자 트랜지스터
를 포함하여 상기 제 2모스펫 및 상기 제 2단전자 트랜지스터를 이용하여 제 1단전자 트랜지스터 드레인전압을 제어하고,
상기 제 1모스펫의 게이트노드와 상기 제 2모스펫의 게이트노드가 연결되어 제 1모스펫 게이트 전압과 제 2모스펫 게이트 전압이 동일한 작동점을 가지는 것을 특징으로 하는 단전자 트랜지스터의 드레인 전압을 제어 가능한 set ulg회로
[청구항 3]
제 1항에 있어서,상기 제 1모스펫에 공급되는 전류소스와 상기 제 2모스펫에 공급되는 전류소스는 동일한 것을 특징으로 하는 단전자 트랜지스터의 드레인 전압을 제어가능한set ulg회로.
[청구항 4]
제 3항에 있어서,상기 제 2모스펫의 드레인 노드와 제 2모스펫의 게이트노드를 연결하여 제 1모스펫의 게이트전압을 조절하는 것을 특징으로 하는 단전자 트랜지스터의 드레인 전압을 제어가능한set ulg회로.
[청구항 5]
제 4항에 있어서,상기 제 2단전자 트랜지스터의 상기 사이드 게이트의 노드에 상기 제 2단전자 트랜지스터의 드레인노드가 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 단전자 트랜지스터의 드레인 전압을 제어가능한set ulg회로.
[청구항 6]
제 5항에 있어서,상기 사이드게이트는 제 2단전자 트랜지스터의 쿨롱장벽특성에 따른 사이드게이트 전압을 얻고,상기 제 2단전자 트랜지스터의 게이트에는 상기 제 2단전자 트랜지스터의 게이트 전압이 인가되어 쉬프트 전압을 형성하는 것을 특징으로 하는 단전자 트랜지스터의 드레인 전압을 제어가능한set ulg회로.
[청구항 7]
제 6항에 있어서,상기 제 2단전자 트랜지스터의 게이트 전압을 인가하여 제 2단전자 트랜지스터의 드레인전압이 상기 전류소스와 일치하는 점에서 안정화가 일어나게 되고, 상기 제 2단전자 트랜지스터 드레인 전압은 상기 쉬프트전압을 동작점으로 하여 상기 제 2단전자 트랜지스터의 쿨롱장벽 특성이 상기 쉬프트 전압만큼 위상변화가 되는 것을 특징으로 하는 단전자 트랜지스터의 드레인 전압을 제어가능한set ulg회로.
[청구항 8]
제 7항에 있어서,상기 제 2단전자 트랜지스터의 드레인전압의 동작점으로 잡힌 상기 쉬프트 전압은 상기 쿨롱장벽 특성을 갖기 위한 임계전압보다 작은 값인 것을 특징으로 하는 단전자 트랜지스터의 드레인 전압을 제어가능한set ulg회로.
[청구항 9]
제 8항에 있어서,상기 제 2모스펫 게이트전압은 소스전류를 흐르게 하기 위한 제 2모스펫의 문턱전압과 상기 쉬프트 전압의 합이 되고,상기 제 1모스펫 게이트전압은, 상기 제 2모스펫 게이트전압과 동일하고, 그리고소스전류를 흐르게 하기 위한 제 1모스펫 문턱전압과 제 1단전자 트랜지스터의 드레인전압의 합인 것을 특징으로 하는 단전자 트랜지스터의 드레인 전압을 제어가능한set ulg회로.
[청구항 10]
제 9항에 있어서,상기 제 1모스펫과 상기 제 2모스펫에 동일한 상기 전류소스가 인가되므로 상기 제 1모스펫의 문턱전압과 상기 제 2모스펫의 문턱전압은 외부환경이 변화하더라도 동일한 값을 가지고, 상기 제 2단전자 트랜지스터의 게이트전압에 의해 상기 쉬프트전압이 조절되어 상기 제 1단전자 트랜지스터의 드레인전압을 제어하는 것을 특징으로 하는 단전자 트랜지스터 드레인 전압을 제어가능한set ulg회로.
[청구항 11]
제 10항에 있어서,제어되는 상기 제 1단전자 트랜지스터의 드레인전압은 상기 제 1단전자 트랜지스터의 쿨롱장벽 특성을 갖기 위한 임계전압보다 작은 값으로 유지되는 것을 특징으로 하는 단전자 트랜지스터 드레인 전압을 제어가능한set ulg회로.
[청구항 12]
제 11항에 있어서,상기 제 2모스펫 게이트 노드에 연결된 제 1모스펫과 제 1단전자 트랜지스터가 복수로 구비되고, 각각이 병렬로 연결되어,상기 제 2단전자 트랜지스터 게이트전압의 인가에 의해 조절된 상기 제 2단전자 트랜지스터의 상기 쉬프트 전압에 의해 복수의 상기 제 1단전자 트랜지스터 드레인 전압들 각각이 제어되는 것을 특징으로 하는 단전자 트랜지스터 드레인 전압을 제어가능한set ulg회로.
지시문 (instruction)
본문의 내용을 파악하고 이를 바탕으로 질문에 답하라.
질문 (question)
set ulg회로에서 제 1모스펫의 게이트 전압과 제 2모스펫의 게이트 전압이 동일한 작동점을 가지기 위한 연결 관계와, 이로 인해 제 1모스펫의 게이트 전압이 결정되는 구성 요소 간의 관계는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretationset ulg회로에서 제 1모스펫과 제 2모스펫의 게이트 전압이 동일해지는 연결 관계와, 제 1모스펫의 게이트 전압을 결정하는 구성 요소 간의 관계를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 두 모스펫의 게이트 노드가 연결되어 있음을 확인하고, 청구항 4, 5, 9를 통해 게이트 전압 결정에 관여하는 구성 요소들을 추출한다.
- 상기 제 2단전자 트랜지스터의 상기 사이드 게이트의 노드에 상기 제 2단전자 트랜지스터의 드레인노드가 연결되어
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3근거 선택
evidence_selection게이트 전압의 동일성 근거인 '게이트 노드 연결'과, 전압 결정 관계인 '제 2모스펫의 드레인-게이트 연결' 및 '제 2단전자 트랜지스터의 드레인-사이드게이트 연결' 구절을 선택한다.
- 상기 제 2단전자 트랜지스터의 상기 사이드 게이트의 노드에 상기 제 2단전자 트랜지스터의 드레인노드가 연결되어
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4논리 통합
logical_integration제 1모스펫과 제 2모스펫은 게이트 노드가 서로 연결되어 전압이 동일하며, 제 2모스펫의 드레인과 게이트가 연결되어 제 1모스펫의 게이트 전압을 조절한다. 또한 제 2단전자 트랜지스터의 드레인이 사이드 게이트에 연결되어 쉬프트 전압을 형성함으로써 전체적인 전압 결정에 기여한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation두 모스펫의 게이트 노드가 연결되어 동일한 작동점을 가지며, 제 2모스펫의 드레인과 게이트의 연결 및 제 2단전자 트랜지스터의 드레인과 사이드 게이트의 연결을 통해 제 1모스펫의 게이트 전압이 결정된다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 연결 관계와 구성 요소 간의 관계를 명확히 기술하여 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
set ulg회로에서 제 1모스펫과 제 2모스펫은 서로의 게이트 노드가 연결되어 있어 동일한 작동점을 가진다. 제 1모스펫의 게이트 전압은 제 2모스펫의 드레인 노드와 게이트 노드가 연결된 구성과, 제 2단전자 트랜지스터의 드레인 노드가 제 2단전자 트랜지스터의 사이드 게이트 노드에 연결된 구성을 통해 결정된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
제 1모스펫과 제 2모스펫의 게이트를 공유하고 제 2모스펫의 피드백 구조(드레인-게이트 연결) 및 제 2단전자 트랜지스터의 사이드 게이트 제어를 통해 단전자 트랜지스터의 드레인 전압을 정밀하게 조절하는 기술이다.