문맥 (context)
[청구항 1]
픽셀영역 및 주변영역이 정의된 반도체 기판
상기 반도체 기판 상에 형성되고 상기 픽셀영역과 연결되는 리드아웃 배선 및 상기 주변영역과 연결되는 그라운드 배선을 포함하는 층간절연층
상기 층간절연층 상에 적층된 제2 도핑층, 제1 도핑층 및 오믹컨택층
상기 주변영역에 해당하는 상기 오믹컨택층 및 제1 도핑층을 식각하여 상기 픽셀영역에 형성된 이미지 감지부
상기 이미지 감지부 및 층간절연층을 관통하여 상기 리드아웃 배선을 노출시키는 제1 비아홀
상기 제1 비아홀의 측벽에 형성된 배리어 패턴
상기 제1 비아홀 양측의 오믹컨택층이 노출되도록 상기 제1 비아홀 보다 넓은 너비를 가지는 트랜치; 및
상기 제1 비아홀 및 트랜치 내부에 형성된 메탈컨택을 포함하는 이미지센서
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 이미지 감지부가 픽셀별로 분리되도록 상기 메탈컨택 사이에 형성된 픽셀분리 트랜치포함하는이미지센서.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 픽셀분리 트랜치는 상기 제2 도핑층을 노출시키고, 상기 픽셀분리 트랜치에는픽셀분리층형성된것을특징으로 하는이미지센서.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 주변영역의 제2 도핑층 및 층간절연층을 관통하여 상기 그라운드 배선을 노출시키는 제2 비아홀; 및상기 제2 비아홀 내부에 형성된 그라운드 전극포함하는이미지센서.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 배리어 패턴nan은산화막또는질화막형성된것을특징으로 하는이미지센서.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 제1 도핑층 및 오믹컨택층은 n형 불순물로 형성되고, 상기 제2 도핑층은 p형불순물형성된것을특징으로 하는이미지센서.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
이미지센서의 제1 비아홀과 트랜치의 구조적 관계 및 이를 통해 노출되는 구성 요소는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation이미지센서 내 제1 비아홀과 트랜치의 구조적 관계 및 트랜치에 의해 노출되는 구성 요소를 추출해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 제1 비아홀과 트랜치의 정의 및 관계를 설명하는 구절을 확인한다.
- 상기 제1 비아홀 양측의 오믹컨택층이 노출되도록 상기 제1 비아홀 보다 넓은 너비를 가지는 트랜치
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3근거 선택
evidence_selection트랜치의 너비가 제1 비아홀보다 넓다는 점과 트랜치에 의해 노출되는 대상이 오믹컨택층임을 명시한 구절을 선택한다.
- 상기 제1 비아홀 양측의 오믹컨택층이 노출되도록 상기 제1 비아홀 보다 넓은 너비를 가지는 트랜치
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4논리 통합
logical_integration트랜치는 제1 비아홀보다 넓은 너비를 가져 제1 비아홀 양측에 위치하며, 이 구조를 통해 오믹컨택층이 노출된다.
- 상기 제1 비아홀 양측의 오믹컨택층이 노출되도록 상기 제1 비아홀 보다 넓은 너비를 가지는 트랜치
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5결론 도출
conclusion_formulation트랜치는 제1 비아홀보다 넓은 너비를 가지며, 이를 통해 제1 비아홀 양측의 오믹컨택층이 노출된다.
- 상기 제1 비아홀 양측의 오믹컨택층이 노출되도록 상기 제1 비아홀 보다 넓은 너비를 가지는 트랜치
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 구조적 관계와 노출되는 구성 요소를 결합하여 답변을 생성한다.
- 상기 제1 비아홀 양측의 오믹컨택층이 노출되도록 상기 제1 비아홀 보다 넓은 너비를 가지는 트랜치
최종 답변 (final_answer)
트랜치는 제1 비아홀보다 넓은 너비를 가지며, 이를 통해 제1 비아홀 양측의 오믹컨택층이 노출된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
제1 비아홀보다 넓은 트랜치를 형성함으로써 제1 비아홀 양측에 위치한 오믹컨택층을 노출시키는 구조적 특징을 포함한다.