문맥 (context)
[청구항 1]
반도체 기판;
상기 반도체 기판 내에 게이트 형성 부분 및 접합 영역 형성 부분을 포함한 활성 영역을 정의하도록 형성되며, 상기 활성 영역의 접합 영역 형성 부분이 돌출되도록 상기 접합 영역 형성 부분에 인접한 부분이 리세스된 소자분리막
상기 소자분리막 및 활성 영역 상에 형성된 게이트들
상기 돌출된 활성 영역의 접합 영역 형성 부분 및 이에 인접한 리세스된 소자분리막 부분 상에 상기 돌출된 활성 영역의 접합 영역 형성 부분을 감싸도록 형성된 에피 실리콘층; 및
상기 에피 실리콘층 상에 상기 게이트들 사이의 공간을 매립하도록 형성된 도전막
을 포함하는 반도체 소자
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 게이트 길이 방향으로 단면에서 보았을 때, 상기 에피 실리콘층과 도전막의 측면이 요철 형상을 갖도록 상기 에피 실리콘층은 상기 도전막보다 큰폭갖는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 반도체 기판의 소자분리막 상에 상기 게이트 및 게이트들 사이의 도전막 부분이 노출되도록 형성된층간 절연막더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 4]
제 1 항에 있어서,상기 도전막은폴리실리콘막인것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 5]
제 1 항에 있어서,상기 리세스된소자분리막의리세스깊이인것을특징으로 하는반도체 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1의 반도체 소자에서 에피 실리콘층과 도전막이 게이트 길이 방향의 단면상에서 요철 형상을 갖기 위해 에피 실리콘층이 갖추어야 하는 구조적 특징은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation에피 실리콘층과 도전막이 게이트 길이 방향 단면상에서 요철 형상을 갖기 위해 에피 실리콘층이 갖추어야 하는 구조적 특징을 찾는다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 2에서 에피 실리콘층과 도전막의 측면이 요철 형상을 갖는 조건에 관한 기술 내용을 추출한다.
- 상기 게이트 길이 방향으로 단면에서 보았을 때, 상기 에피 실리콘층과 도전막의 측면이 요철 형상을 갖도록 상기 에피 실리콘층은 상기 도전막보다 큰폭갖는것을특징으로 하는반도체 소자
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3근거 선택
evidence_selection요철 형상을 형성하기 위한 직접적인 구조적 특징인 '에피 실리콘층이 도전막보다 큰 폭을 갖는 것'을 선택한다.
- 상기 에피 실리콘층은 상기 도전막보다 큰폭갖는것
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4논리 통합
logical_integration에피 실리콘층의 폭이 도전막의 폭보다 크게 형성됨으로써 단면상에서 요철 형상이 나타남을 논리적으로 연결한다.
- 상기 에피 실리콘층과 도전막의 측면이 요철 형상을 갖도록 상기 에피 실리콘층은 상기 도전막보다 큰폭갖는것
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 에피 실리콘층이 도전막보다 큰 폭을 가져야 한다는 결론을 도출한다.
- 상기 에피 실리콘층은 상기 도전막보다 큰폭갖는것
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6답변 생성
answer_generation추출된 핵심 구절을 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 상기 에피 실리콘층은 상기 도전막보다 큰폭갖는것
최종 답변 (final_answer)
상기 에피 실리콘층은 상기 도전막보다 큰 폭을 갖는 것이다.
핵심 해석 (core_interpretation)
에피 실리콘층의 폭을 도전막의 폭보다 크게 설계함으로써 게이트 길이 방향의 단면에서 에피 실리콘층과 도전막이 요철 형상을 형성하도록 하는 구조적 특징을 정의한다.