고감도, 고해상도 검출기 디바이스 및 어레이 document_id 1020087000807

[청구항 1] 가이거 모드에서 동작하는 애벌랜치 증폭 구조로서, (a) 과 도핑된 기판과 (b) (i) 상기 기판과 반대의 컨덕턴스를 갖는 애벌랜치 영역과 (ii) 상기 기판과 동일한 컨덕턴스를 갖는 과 도핑된 물질로 구성되는 신호 전하를 축적하는 축적기와, 여기서 상기 축적기는 애벌랜치 프로세스를 조절하기 위해 정량화기로서 기능하는 인터페이스를 따라 상기 애벌랜치 영역과 접촉하며 (iii) 상기 축적기를 배출시키고 상기 정량화기를 제어하고, 상기 애벌랜치 영역 반대편의 상기 축적기층을 접촉하고, 상기 기판을 접촉하는 조절기층을 포함하는 라미네이트된 반도체 구조와 (c) 상기 축적기 반대편의 상기 애벌랜치 영역과 통해 있는 제 1 전극과; 그리고 (d) 상기 조절기층 반대편의 상기 기판과 통해 있는 제 2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 가이거 모드에서 동작하는 애벌랜치 증폭 구조 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 조절기는 높은 임피던스 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 조절기는 상기 축적기 방향으로부터 상기 조절기층으로의 전송을 위해 상기 축적기층에 축적되는 복수의 제 1 캐리어들에 대한 제 1 에너지 장벽 및 상기 기판의 방향으로부터 상기 조절기로의 전송을 위해 상기 제 1 캐리어들과 반대의 전도성 타입의 복수의 제 2 캐리어들에 대한 제 2 에너지 장벽을 갖는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 조절기는 상기 조절기층에 수직하는 방향에서 높은 임피던스를 갖는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 조절기는 낮은 도핑 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 기판, 상기 애벌랜치 영역, 상기 축적기층 및 상기 조절기층은 동일한 반도체 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 기판, 상기 애벌랜치 영역 및 상기 축적기층은 동일한 반도체 물질로 이루어지고, 상기 조절기층은 상기 애벌랜치 영역, 상기 축적기층 및 상기 기판 보다 넓은 밴드갭을 갖는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극이 상기 애벌랜치 영역과 컨택할 수 있게 하는 적어도 하나의 개구부를 갖는 절연기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 9] 제 8 항에 있어서,상기 애벌랜치 영역과 상기 제 1 전극 간의 직접적인 전기 컨택을 막기 위해 상기 각 개구부에서 상기 절연기와 상기 애벌랜치 영역 사이에서 상기 애벌랜치 영역 내에 배치되는 상기 애벌랜치 영역과 동일한 컨덕턴스를 갖는 과 도핑된 영역을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,상기 제 1 전극과 상기 과 도핑된 영역 사이에서 높은 임피던스 반도체 물질로 구성되며, 상기 개구부 내에 존재하는 제 2 조절기를 더 포함하며, 제 2 축적기가 상기 애벌랜치 영역과 상기 제 2 조절기 사이의 인터페이스에 형성되는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 11] 제 9 항에 있어서,상기 기판과 동일한 컨덕턴스를 갖는 반도체 물질로 구성되며, 상기 과 도핑 영역들에 인접하는 매립층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 12] 제 9 항에 있어서,측면 방향에 있어서 정공들에 대한 낮은 이동도를 갖는 반도체층을 더 포함하며, 상기 반도체층은 상기 기판과 반대의 컨덕턴스를 갖는 도핑 물질로 구성되고, 상기 과 도핑 영역들에 인접하는 상기 애벌랜치 영역을 따라 배치되는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 13] 제 1 항에 있어서,상기 애벌랜치 영역과 유사한 컨덕턴스를 갖는 저 도핑된 반도체 물질로 이루어지고, 상기 제 1 전극과 상기 애벌랜치 영역 사이에 배치되어 이들과 컨택하며, 복수의 자유 전하 캐리어들을 발생시키고, 상기 자유전하 캐리얻르을 상기 애벌랜치 내에 전송하는 신호 전송층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 14] 제 13 항에 있어서,상기 기판, 상기 애벌랜치 영역, 상기 축적기층, 상기 조절기층 및 상기 전송층은 동일한 반도체 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 15] 제 13 항에 있어서,상기 기판, 상기 애벌랜치 영역, 상기 축적기층, 상기 조절기층 및 상기 전송층은 si로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 16] 제 13 항에 있어서,상기 기판, 상기 애벌랜치 영역, 상기 축적기층, 상기 조절기층 및 상기 전송층은 sic, gan, gaas 또는 gap로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 17] 제 13 항에 있어서,상기 기판, 상기 애벌랜치 영역, 상기 축적기층 및 상기 조절기층은 동일한 반도체 물질로 이루어지고, 상기 신호 전송층은 상기 기판, 상기 애벌랜치 영역, 상기 축적기층 및 상기 조절기층 보다 좁은 밴드갭을 갖는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 18] 가이거 모드에서 동작하는 애벌랜치 증폭 구조로서, (a) 과 도핑된 기판과 (b) (i) 조절기층과; 그리고 (ii) 상기 기판과 반대의 컨덕턴스를 갖고, 축적기로서 기능하는 제 1 인터페이스를 따라 상기 조절기층과 컨택하며, 애벌랜치 프로세스를 조절하기 위해 정량화기로서 기능하는 제 2 인터페이스를 따라 상기 조절기층 반대편의 상기 기판과 컨택하는 애벌랜치 영역을 포함하는 라미네이트된 반도체 구조-여기서, 상기 축적기는 신호 전하를 축적하고, 상기 조절기는 상기 축적기를 배출시키고 상기 정량화기를 제어하며-와 (c) 상기 애벌랜치 영역 반대편의 상기 조절기층과 통해 있는 제 1 전극과; 그리고 (d) 상기 기판 반대편의 상기 기판과 통해 있는 제 2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 가이거 모드에서 동작하는 애벌랜치 증폭 구조 [청구항 19] 제 18 항에 있어서,상기 조절기는 높은 임피던스 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 20] 제 18 항에 있어서,상기 조절기는 상기 축적기 방향으로부터 상기 조절기층으로의 전송을 위해 상기 축적기층에 축적되는 복수의 제 1 캐리어들에 대한 제 1 에너지 장벽 및 상기 기판의 방향으로부터 상기 조절기로의 전송을 위해 상기 제 1 캐리어들과 반대의 전도성 타입의 복수의 제 2 캐리어들에 대한 제 2 에너지 장벽을 갖는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 21] 가이거 모드에서 동작하는 애벌랜치 증폭 구조로서, (a) 과 도핑된 기판과 (b) (i) 상기 기판과 컨택하는 애벌랜치 영역과 (ii) 신호 전하를 축적하고, 상기 기판과 반대의 컨덕턴스를 갖는 과 도핑 물질로 이루어지며, 애버랜치 프로세스를 조절하기 위해 정량화기로서 기능하는 인터페이스를 따라 상기 기판 반대편의 상기 애벌랜치 영역과 컨택하는 축적기와; 그리고 (iii) 상기 축적기를 배출시키고, 상기 정량화기를 제어하고, 상기 애벌랜치 영역 반대편의 상기 축적기층을 컨택하는 조절기층을 포함하는 라미네이트된 반도체 구조와 (c) 상기 축적기 반대편의 상기 조절기층과 통해 있는 제 1 전극과; 그리고 (d) 상기 애벌랜치 영역 반대편의 상기 기판과 통해 있는 제 2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 가이거 모드에서 동작하는 애벌랜치 증폭 구조 [청구항 22] 제 21 항에 있어서,상기 조절기는 높은 임피던스 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 23] 제 21 항에 있어서,상기 조절기는 상기 축적기 방향으로부터 상기 조절기층으로의 전송을 위해 상기 축적기층에 축적되는 복수의 제 1 캐리어들에 대한 제 1 에너지 장벽 및 상기 제 1 전극의 방향으로부터 상기 조절기로의 전송을 위해 상기 제 1 캐리어들과 반대의 전도성 타입의 복수의 제 2 캐리어들에 대한 제 2 에너지 장벽을 갖는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 24] 제 21 항에 있어서,상기 축적기의 일부 상에 배치되는 절연기층을 더 포함하며, 상기 조절기는 상기 축적기의 일부 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 25] 제 24 항에 있어서,상기 애벌랜치 영역 내에 있고, 상기 절연기층과 컨택하고, 상기 축적기와 동일한 컨덕턴스 타입을 갖는 저 도핑 물질로 이루어지며, 그리고 자신의 주변에서 상기 축적기와 전기적으로 컨택하는 가드 링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 26] 제 24 항에 있어서,상기 조절기가 상기 축적기하고만 전기적으로 컨택하도록 하기 위해, 한측에서는 상기 애벌랜치 영역과 상기 축적기 사이에서 그리고 다른 측에서는 상기 애벌랜치 영여과 상기 기판 사이에서, 상기 애벌랜치 영역과 동일한 컨덕턴스 타입을 가지며 저 도핑되는 반도체 물질을 더 포함하며, 상기 애벌랜치 영역은 상기 축적기를 따라서 에지와 접촉하는 것을 피하기 위해 상기 축적기층에 인접하는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 27] 제 21 항에 있어서,상기 기판, 상기 애벌랜치 영역, 상기 축적기층 및 상기 조절기층은 동일한 반도체 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 28] 제 21 항에 있어서,상기 기판, 상기 애벌랜치 영역 및 상기 축적기층은 동일한 반도체 물질로 이루어지며, 상기 조절기층은 상기 애벌랜치 영역, 상기 축적기층 및 상기 기판 보다 넓은 밴드갭을 갖는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 29] 제 21 항에 있어서,상기 애벌랜치 영역과 유사한 컨덕턴스를 갖는 저 도핑 반도체 물질로 이루어지고, 상기 제 2 전극과 상기 애벌랜치 영역 사이에 배치되어 이들과 컨택하고, 복수의 자유 전하 캐리어들을 발생시키며, 상기 자유 전하 캐리어들을 상기 애벌랜치 영역 내로 전송하는 신호 전송층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 30] 제 29 항에 있어서,상기 기판, 상기 애벌랜치 영역, 상기 축적기층, 상기 조절기층 및 상기 신호 전송층은 동일한 반도체 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 31] 제 29 항에 있어서,상기 기판, 상기 애벌랜치 영역, 상기 축적기층, 상기 조절기층 및 상기 전송층은 si로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 32] 제 29 항에 있어서,상기 기판, 상기 애벌랜치 영역, 상기 축적기층, 상기 조절기층 및 상기 전송층은 sic, gan, gaas 또는 gap로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 33] 제 29 항에 있어서,상기 기판, 상기 애벌랜치 영역, 상기 축적기층 및 상기 조절기층은 동일한 반도체 물질로 이루어지고, 상기 신호 전송층은 상기 기판, 상기 애벌랜치 영역, 상기 축적기층 및 상기 조절기층 보다 좁은 밴드갭을 갖는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 34] 제 29 항에 있어서,상기 축적기층은 상기 기판의 평면에 평행한 제한된 컨덕턴스를 갖는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 35] 가이거 모드에서 동작하는 애벌랜치 증폭 구조로서, (a) 과 도핑된 기판과 (b) (i) 상기 기판과 컨택하는 조절기와 (ii) 상기 기판과 동일한 컨덕턴스를 갖는 과 도핑된 반도체 물질로 구성되고, 신호 전하를 축적하며, 상기 축적기로부터 상기 전하를 배출하기 위해 상기 조절기와 컨택하는 축적기와 (iii) 상기 기판과 동일한 전도성 타입을 갖는 물질로 구성되며, 상기 축적기와 컨택하는 애벌랜치 영역과; 그리고 (iv) 상기 기판과 반대의 컨덕턴스 및 타입의 과 도핑된 반도체로 구성되고, 상기 애벌랜치 영역과 컨택하며, 애벌랜치 프로세스를 조절하는 정량화기를 포함하는 라미네이트된 반도체 구조-여기서, 상기 조절기는 상기 축적기를 배출시키고, 상기 정량화기를 제어한다-와 (c) 상기 정량화기와 통해 있는 제 1 전극과; 그리고 (d) 상기 기판과 통해 있는 제 2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 가이거 모드에서 동작하는 애벌랜치 증폭 구조 [청구항 36] 제 35 항에 있어서,상기 조절기는 높은 임피던스 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 37] 제 35 항에 있어서,상기 조절기는 상기 축적기 방향으로부터 상기 조절기층으로의 전송을 위해 상기 축적기층에 축적되는 복수의 제 1 캐리어들에 대한 제 1 에너지 장벽 및 상기 기판의 방향으로부터 상기 조절기로의 전송을 위해 상기 제 1 캐리어들과 반대의 전도성 타입의 복수의 제 2 캐리어들에 대한 제 2 에너지 장벽을 갖는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 38] 제 35 항에 있어서,상기 제 1 전극과 상기 정량화기 간의 전기적인 컨택을 위해 적어도 하나의 개구부를 갖는 절연기층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 39] 제 38 항에 있어서,상기 애벌랜치 영역 내에 있고, 상기 절연기층과 컨택하고, 상기정량화기와동일한 전도성 타입을 갖는 저 도핑 물질로 이루어지며, 그리고 자신의 주변에서 상기 정량화기와 컨택하는 가드 링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 40] 제 38 항에 있어서,상기 애벌랜치 영역과 동일한 컨덕턴스 타입을 갖는 저 도핑 물질로구성되는 반도체층을 더 포함하며, 상기 반도체층은 한측에서는 상기 애벌랜치 영역과 상기 정량화기 사이에 배치되고, 다른측에서는 상기 애벌랜치 영역과 상기 축적기 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 41] 가이거 모드에서 동작하는 애벌랜치 증폭 구조로서, (a) 기판과 동일한 전도성 타입을 갖는 과 도핑된 기판과 (b) (i) 조절기와; (ii) 상기 기판과 동일한 전도성 타입을 갖는 과 도핑된 반도체 물질로 구성되고, 신호 전하를 축적하는 축적기와, 여기서 상기 축적기는 자신으로부터의 상기 전하를 배출하기 위해 상기 조절기와 컨택하고, 상기 정량화기를 제어하며 (iii) 상기 기판과 동일한 전도성 타입을 갖는 물질로 구성되며, 상기 축적기와 컨택하는 애벌랜치 영역과; 그리고 (iv) 상기 기판과 반대의 컨덕턴스 및 타입의 과 도핑된 반도체로 구성되고, 상기 애벌랜치 영역 내에 배치되며, 애벌랜치 프로세스를 조절하는 정량화기를 포함하는 라미네이트된 반도체 구조와 (c) 상기 정량화기와 통해 있는 제 1 전극과; 그리고 (d) 상기 기판과 통해 있는 제 2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 가이거 모드에서 동작하는 애벌랜치 증폭 구조 [청구항 42] 제 41 항에 있어서,상기 조절기는 높은 임피던스 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 43] 제 41 항에 있어서,상기 조절기는 상기 축적기 방향으로부터 상기 조절기층으로의 전송을 위해 상기 축적기층에 축적되는 복수의 제 1 캐리어들에 대한 제 1 에너지 장벽 및 상기 기판의 방향으로부터 상기 조절기로의 전송을 위해 상기 제 1 캐리어들과 반대의 전도성 타입의 복수의 제 2 캐리어들에 대한 제 2 에너지 장벽을 갖는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 44] 가이거 모드에서 동작하는 애벌랜치 증폭 구조로서, (a) 과 도핑된 기판과 (b) (i) 상기 기판을 컨택하는 애벌랜치 영역과; 그리고 (ii) 애벌랜치 프로세스를 조절하기 위해 정량화기로서 기능하고 신호 전하를 축적하기 위해 축적기로서 기능하는 인터페이스를 따라 상기 기판 반대편의 상기 애벌랜치 영역과 컨택하는 조절층을 포함하는 라미네이트된 반도체 구조-여기서, 상기 애벌랜치 영역 및 상기 조절층은 상기 축적기를 배출시키고, 상기 정량화기를 제어하며-와 (c) 상기 애벌랜치 영역 반대편의 상기 조절기와 통해 있는 제 1 전극과; 그리고 (d) 상기 애벌랜치 영역 반대편의 상기 기판과 통해 있는 제 2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 가이거 모드에서 동작하는 애벌랜치 증폭 구조 [청구항 45] 제 44 항에 있어서,상기 조절기는 높은 임피던스 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 46] 제 44 항에 있어서,상기 조절기는 상기 축적기 방향으로부터 상기 조절기층으로의 전송을 위해 상기 축적기층에 축적되는 복수의 제 1 캐리어들에 대한 제 1 에너지 장벽 및 상기 제 1 전극의 방향으로부터 상기 조절기로의 전송을 위해 상기 제 1 캐리어들과 반대의 전도성 타입의 복수의 제 2 캐리어들에 대한 제 2 에너지 장벽을 갖는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 47] 제 44 항에 있어서,상기 인터페이스는 상기 기판의 평면에 평행한 제한된 컨덕턴스를 갖는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 48] 가이거 모드에서 동작하는 애벌랜치 증폭 구조로서, (a) 기판과; (b) (i) 애벌랜치 영역과; 그리고 (ii) 신호 전하를 축적하고, 상기 애벌랜치 영역 내의 캐비티 내에 존 재하며, 애벌랜치 프로세스를 조절하기 위해 정량화기로서 기능하는 링 형상의 인터페이스를 따라 상기 애벌랜치 영역과 컨택하는 축적기층과, 여기서 상기 애벌랜치 영역 및 상기 축적기층은 상기 기판과 컨택하며; 그리고 (iii) 상기 축적기를 배출시키고, 상기 정량화기를 제어하며, 상기 기판 반대편의 상기 축적기층과 컨택하는 조절층을 포함하는 라미네이트된 반도체 구조와 (c) 상기 축적기층 반대편의 상기 조절기층과 통해 있는 제 1 전극과; 그리고 (d) 상기 축적기층 및 상기 애벌랜치 영역 반대편의 상기 기판과 통해 있는 제 2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 가이거 모드에서 동작하는 애벌랜치 증폭 구조 [청구항 49] 제 48 항에 있어서,상기 조절기는 높은 임피던스 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 50] 제 48 항에 있어서,상기 조절기는 상기 축적기 방향으로부터 상기 조절기층으로의 전송을 위해 상기 축적기층에 축적되는 복수의 제 1 캐리어들에 대한 제 1 에너지 장벽 및 상기 제 1 전극의 방향으로부터 상기 조절기로의 전송을 위해 상기 제 1 캐리어들과 반대의 전도성 타입의 복수의 제 2 캐리어들에 대한 제 2 에너지 장벽을 갖는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 51] 제 48 항에 있어서,상기 기판은 도핑된 반도체 물질인 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 52] 제 48 항에 있어서,상기 기판 및 상기 애벌랜치 영역은 동일한 반도체 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 53] 제 48 항에 있어서,상기 기판 및 상기 애벌랜치 영역은 동일한 타입의 전도성을 갖는 반도체 물질로 구성되고, 상기 기판은 상기 애벌랜치 영역 보다 덜 도핑되는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 54] 제 53 항에 있어서,상기 애벌랜치 영역은 상기 제 2 전극에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 55] 제 53 항에 있어서,상기 애벌랜치 영역은 상기 제 1 전극에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 56] 제 48 항에 있어서,상기 조절기층의 주위에 배치되어, 상기 조절기층의 주변과 컨택하는 유전층을 더 포함하며, 상기 유전층은 상기 축적기층 및 상기 애벌랜치 영역과 컨택하는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 57] 제 56 항에 있어서,상기 제 1 전극은 또한 상기 유전층과 컨택하는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 58] 제 56 항에 있어서,상기 제 1 전극은 상기 유전층 및 상기 조절층과 개별적으로 컨택하는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 59] 제 56 항에 있어서,상기 조절층은 또한 상기 애벌랜치 영역 및 상기 축적기층 반대편의 상기 유전층과 컨택하며, 상기 제 1 전극은 또한 상기 유전층 반대편의 상기 조절층과 컨택하는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 60] 제 48 항에 있어서,상기 조절기층 및 상기 애벌랜치 영역은 동일한 반도체 물질로 구성되고, 상기 조절기층은 상기 애벌랜치 영역 보다 덜 도핑되는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 61] 제 48 항에 있어서,상기 조절기층은 상기 애벌랜치 영역 보다 넓은 밴드갭을 갖는 반도체 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 62] 제 48 항에 있어서,상기 애벌랜치 영역과 동일한 전도성 타입을 가지며 상기 애벌랜치 영역 보다 덜 도핑되는 반도체 물질로 구성되며, 신호에 응답하여 복수의 자유 전하 캐리어들을 발생시키고, 상기 자유 전하 캐리어들을 상기 애벌랜치 영역에 전송하는 신호 전송층을 더 포함하고, 상기 기판 및 상기 제 2 전극은 상기 애벌랜치 영역을 넘어 연장되고, 상기 신호 전송층은 자신의 주변부에서 상기 애벌랜치 영역과 컨택하고, 상기 제 1 전극 반대편의 상기 기판과 컨택하는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 63] 제 62 항에 있어서,상기 신호 전송층 및 상기 애벌랜치 영역은 동일한 반도체 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 64] 제 62 항에 있어서,상기 신호 전송층 및 상기 기판은 동일한 전도성 타입 및 도핑 농도를 갖는 동일한 반도체 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 65] 제 62 항에 있어서,상기 기판, 상기 애벌랜치 영역, 상기 축적기층, 상기 조절기층 및 상기 신호 전송층은 동일한 반도체 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 66] 제 62 항에 있어서,상기 기판, 상기 애벌랜치 영역, 상기 축적기층, 상기 조절기층 및 상기 신호 전송층은 si로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 67] 제 62 항에 있어서,상기 기판, 상기 애벌랜치 영역, 상기 축적기층, 상기 조절기층 및 상기 신호 전송층은 sic, gan, gaas 또는 gap로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 68] 제 62 항에 있어서,상기 신호 전송층은 상기 애벌랜치 영역 보다 좁은 밴드갭을 갖는 반도체 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 69] 제 48 항에 있어서,전기적으로 전도성이며, 상기 조절기층과 상기 축적기층 사이에 배치되는 컨택 영역과; 그리고 (f) 상기 애버랜치 영역과 동일한 타입의 전도성을 갖는 반도체 물질로 구성되고, 그 주변부에서 상기 컨택 영역과 컨택하며, 상기기판 반대편의 상기 축적기층 및 상기 애벌랜치 영역과 컨택하는 차단층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 70] 제 69 항에 있어서,상기 기판, 상기 애벌랜치 영역, 상기 축적기층, 상기 조절기층 및 상기 차단층은 동일한 반도체 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 71] 제 69 항에 있어서,상기 기판, 상기 애벌랜치 영역, 상기 축적기층, 상기 조절기층 및 상기 차단층은 si로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 72] 제 69 항에 있어서,상기 기판, 상기 애벌랜치 영역, 상기 축적기층, 상기 조절기층 및 상기 차단층은 sic, gan, gaas 또는 gap로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 73] 제 69 항에 있어서,상기 조절기층의 주위에 배치되어, 상기 조절기층의 주변과 컨택하는 유전층을 더 포함하며, 상기 유전층은 상기 차단층과 컨택하는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 74] 제 73 항에 있어서,상기 제 1 전극은 또한 상기 유전층을 덮고 컨택하는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 75] 제 73 항에 있어서,상기 유전층과 컨택하는 제 3 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 76] 제 69 항에 있어서,상기 차단층 및 상기 애벌랜치 영역은 동일한 전도성 타입의 반도체 물질로 구성되고, 상기 차단층 및 상기 애벌랜치 영역은 동일한 도핑 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 77] 제 69 항에 있어서,상기 차단층 및 상기 애벌랜치 영역은 동일한 전도성 타입의 반도체 물질로 구성되고, 상기 차단층은 상기 애벌랜치 영역 보다 낮은 도핑 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 78] 제 69 항에 있어서,상기 차단층 및 상기 애벌랜치 영역은 반대 전도성 타입의 반도체 물질로 구성되고, 상기 차단층은 상기 애벌랜치 영역 보다 낮은 도핑 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 79] 가이거 모드에서 동작하는 애벌랜치 증폭 구조로서, (a) 기판과; (b) (i) 애벌랜치 영역과; 그리고 (ii) 신호 전하를 축적하고, 상기 애벌랜치 영역 내의 캐비티 내에 존재하며, 애벌랜치 프로세스를 조절하기 위해 정량화기로서 기능하는 링 형상의 인터페이스를 따라 상기 애벌랜치 영역과 컨택하는 축적기층과, 여기서 상기 애벌랜치 영역 및 상기 축적기층은 상기 기판과 컨택하며; 그리고 (iii) 상기 축적기를 배출시키고, 상기 정량화기를 제어하며, 상기 기판 반대편의 상기 축적기층과 컨택하는 조절층을 포함하는 라미네이트된 반도체 구조와 (c) 상기 축적기층 반대편의 상기 조절기층과 통해 있는 제 1 전극과; 그리고 (d) 상기 기판 반대편의 상기 애벌랜치 영역과 통해 있는 제 2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 가이거 모드에서 동작하는 애벌랜치 증폭 구조 [청구항 80] 제 79 항에 있어서,상기 조절기는 높은 임피던스 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 81] 제 79 항에 있어서,상기 조절기는 상기 축적기 방향으로부터 상기 조절기층으로의 전송을 위해 상기 축적기층에 축적되는 복수의 제 1 캐리어들에 대한 제 1 에너지 장벽 및 상기 제 1 전극의 방향으로부터 상기 조절기로의 전송을 위해 상기 제 1 캐리어들과 반대의 전도성 타입의 복수의 제 2 캐리어들에 대한 제 2 에너지 장벽을 갖는 것을 특징으로 하는 가이거 모드동작하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 82] (a) 기판과; (b) (i) 상기 기판과 동일한 컨덕턴스와 고농도 도핑을 가지는 애벌랜치 영역과, (ii) 상기 애벌랜치 영역 내 공동에 위치하며 상기 애벌랜치 프로세스를 통제하기 위한 정량화기로서 작용하는 링 형태의 인터페이스를 따라 상기 애벌랜치 영역과 접촉하는 축적기층-상기 축적기는 신호 전하를 축적한다-과; 그리고 (iii) 상기 애벌랜치 영역 내 공동에 위치하며 링 형태의 인터페이스를 따라 상기 축적기와 접촉하는 조절기층-상기 조절기는 축적기를 배출시키고 상기 정량화기를 제어한다-을 포함하는 라미네이트된 반도체 구조와 (c) 상기 기판 반대편의 상기 조절기층을 통해 이어진 제 1 전극과; 그리고 (d) 상기 애벌랜치 영역, 상기 축적기층 및 상기 기판과도 접촉하는 상기 조절기층 반대편의 기판을 통해 이어지는 제 2 전극 을 포함하는 가이거 모드에서 구동하는 애벌랜치 증폭 구조 [청구항 83] 제 82 항에 있어서,상기 조절기는 높은임피던스물질로이루어지는것을특징으로 하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 84] 제 82 항에 있어서,상기 조절기는 상기 축적기 방향으로부터 상기 조절기층으로의 전송을 위한, 상기 축적기층에 축적되는 복수 개의 제 1 캐리어들에 대한 제 1 에너지 장벽과, 상기 제 1 전극 방향으로부터 상기 조절기로의 전송을 위한, 상기 제 1 캐리어들과 반대 전도성 타입의 복수 개의 제 2 캐리어들에 대한제2에너지장벽가지는것을특징으로 하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 85] 제 82 항에 있어서,상기 축적기층 주변에 연장되는 상기 조절기층의 주변과 접촉하고 위에 배치된 유전층을 더 포함하며, 상기 유전층은 또한 상기 기판 반대편의 상기 축적기층과 상기 애벌랜치층에 접촉하며, 상기 제 1 전극은 또한 상기 유전층에 접촉하고상기유전층덮는것을특징으로 하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 86] 제 82 항에 있어서,상기 축적기층 근처에 연장되는 상기 조절기층 주변과 접촉하고 위에 배치된 차단층을 더 포함하며, 상기 차단층은 또한 상기 기판 반대편의 상기 축적기층과 상기 애벌랜치층과 접촉하고, 상기 차단층은 상기 애벌랜치 영역과 동일한 타입의 컨덕턴스와 저농도 도핑을 갖는반도체물질포함하여이루어지는것을특징으로 하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 87] (a) 기판과; (b) (i) 애벌랜치 영역과, (ii) 상기 애벌랜치 영역 내 공동에 위치하며 링 형상의 인터페이스를 따라 상기 애벌랜치 영역에 접촉하는 조절기층-상기 애벌랜치 영역과 상기 조절기는 상기 기판과 접촉한다-을 포함하여 이루어진 라미네이트된 반도체 구조와 (c) 상기 기판 반대편의 상기 애벌랜치 영역과 상기 조절기층에 접촉하는 유전 영역-상기 애벌랜치 영역과 상기 유전층 사이의 인터페이스는 정량화기와 축적기로서 기능하며, 상기 축적기는 단일 전하를 축적하고, 상기 정량화기는 애벌랜치 프로세스를 통제하며, 상기 조절기는 상기 축적기를 배출시키고 상기 정량화기를 제어한다-과 (d) 상기 유전층 내 공동에 위치하며 상기 기판 반대편의 상기 조절기층을 통해 이어지는 제 1 전극과 (e) 상기 애벌랜치 영역과 상기 조절기층 반대편의 상기 기판을 통해 이어지는 제 2 전극-상기 제 1 전극과 제 2 전극은 전기적으로 충전되었을 때 상기 애벌랜치 영역 내에 가이거 애벌랜치 모드를 만든다-과; 그리고 (f) 상기 애벌랜치 영역 반대편의 상기 유전층을 통해 이어지는 제 3 전극-상기 제 3 전극은 상기 제 3 전극이 전기적으로 충전될 때 상기 조절기층을 통해 상기 제 1 전극으로 상기 축적기를 배출시킨다-을 포함하여 이루어지는 가이거 모드에서 구동하는 애벌랜치 증폭 구조 [청구항 88] 제 87 항에 있어서,상기 조절기는 높은임피던스물질로이루어지는것을특징으로 하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 89] 제 87 항에 있어서,상기 조절기는 상기 축적기 방향으로부터 상기 조절기층으로의 전송을 위한, 상기 축적기층에 축적되는 복수 개의 제 1 캐리어들에 대한 제 1 에너지 장벽과, 상기 제 1 전극 방향으로부터 상기 조절기로의 전송을 위한, 상기 제 1 캐리어들과 반대 전도성 타입의 복수 개의 제 2 캐리어들에 대한제2에너지장벽가지는것을특징으로 하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 90] 제 87 항에 있어서,상기 기판은 고농도로 도핑된 반도체이며, 상기 정량화기는 상기 기판과 상기 기판과 반대의 전도성을 가지는 반도체로 이루어진상기애벌랜치영역사이제공되는것을특징으로 하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 91] (a) 3개의 전극과; (b) 상기 기판과 동일한 전도성 타입을 가지는 물질로 이루어진 애벌랜치 영역 (c) 신호 전하를 축적하는 축적기와 (d) 상기 애벌랜치 프로세스를 통제하는 정량화기와 (e) 상기 축적기를 배출시키고 상기 정량화기를 제어하는 조절기-상기 애벌랜치 영역, 상기 축적기, 상기 정량화기 및 상기 조절기는 고농도로 도핑된 기판 상에 배치된 라미네이트된 반도체 구조를 포함하며, 하나의 상기 전극은 상기 라미네이트된 반도체 구조 반대편의 상기 기판에 접촉한다-와 (f) 상기 기판과 동일한 컨덕턴스 타입의 저농도 도핑된 반도체 물질로 된 중간층-상기 중간층은 상기 애벌랜치 영역과 상기 제 2 전극에 접촉한다-과 그리고, (g) 상기 애벌랜치 영역과 상기 제 2 전극에 접촉하는 유전층-상기 축적기와 상기 정량화기 성능들은 상기 애벌랜치 영역과 상기 유전층 사이의 인터페이스를 따라 수행되며, 제1과 제2 상기 전극 사이의 전기 전위는 상기 애벌랜치 영역 내에 가이거 애벌랜치 모드의 원인이 되며, 제2 상기 전극은 전압이 거기에 인가될 때 상기 축적기 내에 전하를 배출시킨다-을 포함하여 이루어지는 가이거 모드에서 구동하는 애벌랜치 증폭 구조 [청구항 92] 제 91 항에 있어서,상기 조절기는 높은임피던스물질로이루어지는것을특징으로 하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 93] 제 91 항에 있어서,상기 조절기는 상기 축적기 방향으로부터 상기 조절기층으로의 전송을 위한, 상기 축적기층에 축적된 복수 개의 제 1 캐리어에 대한 제 1 에너지 장벽과, 상기 전극방향으로부터 상기 조절기로의 전송을 위한, 상기 제 1 캐리어들과 반대 전도성 타입의 복수 개의 제 2 캐리어에 대한제2에너지장벽가지는것을특징으로 하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 94] 제 91 항에 있어서,상기 기판 반대편의 상기 중간층과 상기 제 2 전극 사이에 상기 기판과 반대의 컨덕턴스를 가지는 고농도로 도핑된 물질로 이루어진컨택영역더포함하는것을특징으로 하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 95] 제 91 항에 있어서,상기 중간층과 상기 제 2 전극 사이에 배치되며 높은 컨덕턴스 반도체 물질로 이루어진제2조절기더포함하는것을특징으로 하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 96] (a) 도핑된 inp로 이루어진 기판과 (b) (i) 절연층과; (ii) 상기 절연층과 접촉하는 도핑된 inp로 이루어진 조절기와 (iii) 상기 조절기와 접촉하는 도핑된 inp로 이루어진 축적기-상기 축적기는 신호 전하를 축적한다-와 (iv) 상기 축적기에 접촉하는 도핑된 inp로 이루어진 정량화기층-상기 정량화기는 애벌랜치 프로세스를 통제하며, 상기 조절기는 상기 축적기를 배출시키며 상기 정량화기를 제어한다-과 (v) 상기 정량화기에 접촉하는 도핑된 ingaasp로 이루어진 버퍼층과 (vi) 도핑된 ingaas로 이루어진 흡수기(absorber)와 그리고, (vii) inp로 이루어진 에피택셜층-상기 기판은 상기 에피택셜층과 접촉한다-을 포함하는 라미네이트된 반도체 구조와 (c) 상기 조절기 반대편의 상기 절연층을 통해 이어지는 제 1 전극과 그리고, (d) 상기 에피택셜층 반대편의 상기 기판을 통해 이어지는 제 2 전극을 포함하여 이루어지는 애벌랜치 증폭 구조 [청구항 97] 제 96 항에 있어서,상기 기판은 [100]방향갖는것을특징으로 하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 98] 제 96 항에 있어서,상기 절연체는 si3n4인것을특징으로 하는애벌랜치 증폭 구조. [청구항 100] 제 99 항에 있어서,상기 애벌랜치 증폭 구조들의 인접하는 쌍들은 적어도 0.5㎛간격분리된것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 101] 제 99 항에 있어서,상기 축적기들 사이의 상기 간격은 상기 애벌랜치 영역을 구성하는 반도체 물질로충진된것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 102] 제 99 항에 있어서,상기 축적기들 사이의 상기 간격은 상기 축적기와 동일한 전도성 타입을 갖는 저농도로 도핑된 반도체 물질로충진된것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 103] 제 99 항에 있어서,상기 축적기들 사이의 상기 간격은 상기 조절기들로부터 상기 축적기들을 분리하는 유전 물질로충진된것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 104] 제 99 항에 있어서,상기 애벌랜치 증폭 구조는 기하학상,치수상동일한것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 105] 제 99 항에 있어서,상기 애벌랜치 증폭 구조는 삼각형, 직사각형, 사각형,다각형또는원형태인것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 106] 제 99 항에 있어서,상기 제 1 전극들nan은단일연속요소들제공되는것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 107] 제 106 항에 있어서,상기 단일 연속 요소는투명한것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 108] 제 99 항에 있어서,각각의 상기 애벌랜치 증폭 구조 내에유전층더포함하는것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 109] 제 99 항에 있어서,상기 기판층들nan은단일연속요소제공되는것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 110] 제 99 항에 있어서,상기 제 2 전극들nan은단일연속요소들제공되는것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 111] 제 110 항에 있어서,상기 단일 연속 요소는투명한것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 112] 제 99 항에 있어서,상기 애벌랜치 증폭 구조 내에제3전극더포함하는것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 113] 제 99 항에 있어서,상기 제 3 전극들nan은단일연속요소제공되는것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 114] 제 113 항에 있어서,상기 단일 연속 요소는투명한것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 115] 제 99 항에 있어서,상기 제 1 전극들은투명한것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 116] 제 99 항에 있어서,상기 제 2 전극들은투명한것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 117] 제 99 항에 있어서,상기 제 3 전극들은투명한것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 118] 제 99 항에 있어서,각각의 상기 애벌랜치 증폭 구조 내에차단층더포함하는것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 119] 제 99 항에 있어서,각각의 상기 애벌랜치 증폭 구조 내에신호 전송층더포함하는것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 120] 제 99 항에 있어서,각각의 상기 애벌랜치 증폭 구조 내에컨택영역더포함하는것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 122] 제 121 항에 있어서,상기 애벌랜치 증폭 구조들의 인접 쌍들은 적어도 0.5㎛간격분리된것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 123] 제 121 항에 있어서,상기 축적기들 사이의 간격은 상기 애벌랜치 영역을 구성하는 반도체 물질로충진된것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 124] 제 121 항에 있어서,상기 축적기들 사이의 간격은 상기 축적기와 동일한 전도성 타입을 가지는 저농도로 도핑된 반도체 물질로충진된것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 125] 제 121 항에 있어서,상기 축적기들 사이의 간격은 상기 조절기들로부터 상기 축적기들을 분리하는 유전 물질로충되는것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 126] 제 121 항에 있어서,상기 애벌랜치 증폭 구조들은 기하학상,치수상동일한것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 127] 제 121 항에 있어서,상기 애벌랜치 증폭 구조들은 삼각형, 직사각형, 사각형, 다각형,또는원형태인것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 128] 제 121 항에 있어서,상기 제 1 전극들nan은단일연속요소제공되는것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 129] 제 128 항에 있어서,상기 단일 연속 요소는투명한것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 130] 제 121 항에 있어서,각각의 상기 애벌랜치 증폭 구조 내에유전층더포함하는것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 131] 제 121 항에 있어서,상기 기판층들nan은단일연속요소제공되는것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 132] 제 121 항에 있어서,상기 제 2 전극들nan은단일연속요소들제공되는것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 133] 제 132 항에 있어서,상기 단일 연속 요소는투명한것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 134] 제 121 항에 있어서,각각의 상기 애벌랜치 증폭 구조 내에제3전극더포함하는것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 135] 제 121 항에 있어서,상기 제 3 전극들nan은단일연속요소제공되는것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 136] 제 135 항에 있어서,상기 단일 연속 요소는투명한것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 137] 제 121 항에 있어서,상기 제 1 전극들은투명한것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 138] 제 121 항에 있어서,상기 제 2 전극들은투명한것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 139] 제 121 항에 있어서,상기 제 3 전극들은투명한것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 140] 제 121 항에 있어서,각각의 상기 애벌랜치 증폭 구조 내에차단층더포함하는것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 141] 제 121 항에 있어서,각각의 상기 애벌랜치 증폭 구조 내에신호 전송층더포함하는것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 142] 제 121 항에 있어서,각각의 상기 애벌랜치 증폭 구조 내에컨택영역더포함하는것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 144] 제 143 항에 있어서,상기 애벌랜치 증폭 구조들의 인접 쌍들은 적어도 0.5㎛간격분리된것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 145] 제 143 항에 있어서,상기 축적기들 사이의 간격은 상기 애벌랜치 영역을 구성하는 반도체 물질로충진된것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 146] 제 143 항에 있어서,상기 축적기들 사이의 간격은 상기 축적기와 동일한 전도성 타입을 가지는 저농도로 도핑된 반도체 물질로충진된것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 147] 제 143 항에 있어서,상기 축적기들 사이의 간격은 상기 조절기들로부터 상기 축적기들을 분리하는 유전 물질로충되는것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 148] 제 143 항에 있어서,상기 애벌랜치 증폭 구조들은 기하학상으로치수상동일한것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 149] 제 143 항에 있어서,상기 애벌랜치 증폭 구조들은 삼각형, 직사각형, 사각형, 다각형,또는원형태인것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 150] 제 143 항에 있어서,상기 제 1 전극들nan은단일연속요소제공되는것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 151] 제 143 항에 있어서,상기 단일 연속 요소는투명한것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 152] 제 143 항에 있어서,각각의 상기 애벌랜치 증폭 구조 내에유전층더포함하는것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 153] 제 143 항에 있어서,상기 기판층들nan은단일연속요소제공되는것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 154] 제 143 항에 있어서,상기 제 2 전극들nan은단일연속요소들제공되는것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 155] 제 143 항에 있어서,상기 단일 연속 요소는투명한것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 156] 제 143 항에 있어서,각각의 상기 애벌랜치 증폭 구조 내에제3전극더포함하는것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 157] 제 143 항에 있어서,상기 제 3 전극들nan은단일연속요소제공되는것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 158] 제 157 항에 있어서,상기 단일 연속 요소는투명한것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 159] 제 143 항에 있어서,상기 제 1 전극들은투명한것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 160] 제 143 항에 있어서,상기 제 2 전극들은투명한것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 161] 제 143 항에 있어서,상기 제 3 전극들은투명한것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 162] 제 143 항에 있어서,각각의 상기 애벌랜치 증폭 구조 내에차단층더포함하는것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 163] 제 143 항에 있어서,각각의 상기 애벌랜치 증폭 구조 내에신호 전송층더포함하는것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 164] 제 143 항에 있어서,각각의 상기 애벌랜치 증폭 구조 내에컨택영역더포함하는것을특징으로 하는멀티 채널 구조. [청구항 165] 제 143 항에 있어서,상기 멀티 채널 구조는 대-테러 용도에 있어서 향상된 감지 성능을 위한 야간 시야 장비(night vision equipment)에 적용될 수있는것을특징으로 하는멀티 채널 구조.