고해상 도메인 라이팅을 위한 매체 document_id 1020087001977

[청구항 1] 기록 매체와 상기 기록매체 상에 위치하는 오버코트를 포함하는 매체 상기 매체와 전기적으로 접속 가능한 팁을 포함하는 시스템으로서, 상기 오버코트의 통과 저항보다 상기 오버코트 평면을 가로지르는 저항이 더 크고, 상기 매체와 상기 팁 사이에 전위가 인가될 때, 상기 오버코트는 상기 오버코트를 거의 통과하여 전류가 흐르도록 하여, 상기 팁 아래에 있는 상기 기록 매체의 부분에 인디시움(indicium)이 형성되는 것을 특징으로 하는 시스템 [청구항 2] 제3항에 있어서,상기 오버코트는 전도 부분 및 절연 부분을 가지는 상호증착막(co-deposited film)이며, 상기 전도 부분은 몰리브덴, 이리듐, 및 루테늄 중 적어도 하나로부터 형성된 금속 산화물이며, 상기 절연 부분은 실리콘 이산화물,실리콘 질화물또는알루미늄 산화물중적어도하나인것을특징으로 하는시스템. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 기록 매체는 상 변화 물질이고, 상기 팁이 적어도 하나의 셀 상에 포지셔닝되고 전위가 상기 팁에 인가될 때, 상기 적어도 하나의 셀을 통과하여 전류가 유도됨으로써, 상기 상 변화 물질의 적어도 부분이임계온도이상가열되는것을특징으로 하는시스템. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 기록 매체는 극성의존적(polarity-dependent) 메모리층이고, 상기 매체와 상기 팁 사이에 전위가 인가되면, 전도 구조가 상기 팁과 상기 하부층 사이에 상기 극성 의존적 메모리 층의 부분에 형성되어, 상기 하부층과 상기 팁을 연기적으로연결하는것을특징으로 하는시스템. [청구항 5] 제2항에 있어서,상기 전도 부분은 그래뉼러(granular) 구조를 가지고 상기 절연 부분은 상기 매트릭스 구조를 가지며, 상기 그래뉼러 구조는상기매트릭스 구조내위치하는것을특징으로 하는시스템. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 오버코트는 상기 오버코트의 평면을 가로지르는전류의흐름제한하는것을특징으로 하는시스템. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 시스템은 상기 매체가 상기 팁과 상기 히터 사이에 위치할 수 있도록 배치되는 히터를 더 포함하며, 상기 히터는 상기 기록 매체의 부분으로부터 상기 인디시움이 제거되도록, 상기 매체를 가열하도록구성되는것을특징으로 하는시스템. [청구항 8] 억제 매트릭스와 상기 억제 매트릭스 내에 위치하는 다수의 셀을 포함하는 매체; 그리고 상기 매체에 대하여 포지셔닝되도록 구성되는 팁을 포함하며, 적어도 하나의 상기 셀은 기록 매체를 포함하며, 상기 팁은 상기 매체와 전기적으로 접속하도록 구성되고, 상기 팁이 상기 적어도 하나의 셀 상에 포지셔닝되고 상기 팁에 전위가 인가되면, 상기 기록 매체에 인디시움이 형성되는 것을 특징으로 하는 시스템 [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 매체는 상기 억제 매트릭스 아래에 위치되는하부층과상기다수의셀더포함하는것을특징으로 하는시스템. [청구항 10] 제9항에 있어서,상기 기록 매체는 극성 의존적 메모리층을 포함하고, 상기 인디시움은 상기 팁과 상기 하부층과 상기 팁을 전기적으로 연결하는, 상기 팁과 상기 하부층 사이에 상기 극성 의존적 메모리 층의 부분에 있는전도성구조인것을특징으로 하는시스템. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 인디시움은 다수의 저항 상태 중 하나 내에 있는 저항이고, 상기 인디시움의 상기 저항은 상기 전도 구조의 폭과함께가변적인것을특징으로 하는시스템. [청구항 12] 제10항에 있어서,상기 극성 의존적 메모리 층nan은 이온소스층및고체 전해질층포함하는것을특징으로 하는시스템. [청구항 13] 제8항에 있어서,상기 기록 매체는 상 변화 물질이고, 상기 인디시움은 상기 상 변화 물질의 구조에 있어서의변화인것을특징으로 하는시스템. [청구항 14] 제8항에 있어서,적어도 하나의 셀은 셀 포커싱 구조를 가지며, 상기 셀 포커싱 구조는, 상기 팁에 가장 가까운 셀 부분의 폭이 상기 팁으로부터 가장 먼 셀 부분의 폭보다 더 넓도록 테이퍼(taper)하는측벽 프로파일포함하는것을특징으로 하는시스템. [청구항 15] 제8항에 있어서,상기 다수의 셀은 상기 팁의 접촉 표면에 비해 충분히 커서, 읽기 및 쓰기 중 적어도 하나 동안 상기 팁의 이동이 상기 셀 폭에 한정되는(confined) 것특징으로 하는시스템. [청구항 26] 매체; 캔틸레버;그리고 상기 캔틸레버와 동작가능하게 연결되는 팁을 포함하며, 상기 팁은 접촉 표면과 상기 접촉 표면을 전체적으로 보완하는 후면을 포함하며, 상기 팁은 상기 매 체와 접촉하도록 구성되고, 상기 인디시아는 상기 매체의 적어도 부분을 통해 상기 팁으로부터 전류를 통과함으로써 상기 매체 내에 형성되는 것을 특징으로 하는 시스템 [청구항 27] 제26항에 있어서,상기 캔틸레버는 제1 금속 물질로 형성되고, 상기 팁은제2금속물질형성되는것을특징으로 하는시스템. [청구항 28] 제26항에 있어서,상기 팁은 등방성 식각과 그 후의 적어도 하나의 열적 산화 단계 및 적어도 하나의 열적 산화물 식각 단계에 의해 근사하게 정의되는형상가지는것을특징으로 하는시스템. [청구항 29] 제26항에 있어서,상기 팁은 거의 원뿔모양인것을특징으로 하는시스템. [청구항 30] 제26항에 있어서,상기 매체는 상 변화 물질,극성의존적메모리물질및전하 저장물질중하나포함하는것을특징으로 하는시스템. [청구항 31] 제27항에 있어서,상기 제1 금속 물질과 상기 제2 금속 물질 중 적어도 하나는 접착층과 기능층을 포함하며, 상기 접착층은 순수 금속과 금속 합금 중 어느 하나로 형성되고, 상기 기능층은 순수 금속 또는 금속 합금 중 어느하나형성되는것을특징으로 하는시스템. [청구항 32] 제27항에 있어서,제1 부재와 제2 부재;상기 제1 부재와 상기 제2 부재는 갭에 의해 분리되며 시스템 동작 동안 서로 이동가능한 것을 특징으로 하고, 상기 캔틸레버는 상기 제1 이동가능 부재와 상기 제2 부재 중 하나와 동작가능하게 연결되고, 상기 매체는 상기 제1 이동가능 부재와 상기 제2 부재 이외의 것과 동작가능하게연결되는것을특징으로 하는시스템. [청구항 33] 제32항에 있어서,상기 캔틸레버는 거의 아크 모양이고, 상기 캔틸레버는 상기 제1 이동가능 부재와 상기 제2 부재 사이의 갭이, 상기 팁과 상기 매체 간 전기적 통신을 유지하는 동안 변할 수 있도록 상기 매체를 향해 상기 팁의 바이어스를 유도하는스트레스그라디언트포함하는것을특징으로 하는시스템. [청구항 34] 제26항에 있어서,상기 후면 위에 적어도 부분적으로 위치한보강물질의부분더포함하는것을특징으로 하는시스템. [청구항 35] 제34항에 있어서,상기 보강 물질은실리콘인것을특징으로 하는시스템. [청구항 36] 제34항에 있어서,상기 팁은 상기 후면과 상기 보강 물질 부분 사이에 위치하는절연물질더포함하는것을특징으로 하는시스템. [청구항 48] 인디시아 형성 시스템으로써, 하부층과 상기 하부층 상에 위치되는 극성 의존적 메모리층을 포함하는 매체 상기 매체와 전기적으로 접속 가능한 팁을 포함하며, 상기 매체와 상기 팁 사이에 전위가 인가되면, 전도 구조는 상기 팁과 상기 하부층 사이의 극성 의존적 메모리 층의 부분에 형성되어, 상기 하부층과 상기 팁을 전기적으로 연결(bridging)하는 것을 특징으로 하는 인디시아 형성 시스템 [청구항 49] 제48항에 있어서,상기 극성 의존적 메모리 층 위에 배치된상부층더포함하는것을특징으로 하는인디시아 형성 시스템. [청구항 50] 제48항에 있어서,상기 극성 의존적 메모리 층nan은 이온소스층과고체 전해질층포함하는것을특징으로 하는인디시아 형성 시스템. [청구항 51] 제50항에 있어서,상기 이온 소스층은 실버 중 하나이고, 상기 고체 전해질 층은 aggese, agges, ag2se 및 agwo3중하나인것을특징으로 하는인디시아 형성 시스템. [청구항 52] 제50항에 있어서,상기 이온 소스 층은 구리이고, 상기 고체 전해질 층은 cu2s와 cuwo3중하나인것을특징으로 하는인디시아 형성 시스템. [청구항 53] 제48항에 있어서,상기 전도성 구조를 포함하는 상기 극성 의존적 메모리 층의 부분은인디시움인것을특징으로 하는인디시아 형성 시스템. [청구항 54] 제53항에 있어서,상기 인디시움은 두저항상태들중하나의저항가지는것을특징으로 하는인디시아 형성 시스템. [청구항 55] 제53항에 있어서,상기 전도성 구조의 폭nan은전위함께변하는것을특징으로 하는인디시아 형성 시스템. [청구항 56] 제55항에 있어서,상기 인디시움은 다수의 저항 상태 중 하나의 저항을 가지며, 상기 인디시움의 저항은상기전도성구조의폭함께변하는것을특징으로 하는인디시아 형성 시스템. [청구항 57] 제56항에 있어서,상기 인디시움은 네개의저항상태중하나의저항가지는것을특징으로 하는인디시아 형성 시스템. [청구항 58] 제48항에 있어서,팁 플랫폼;그리고상기 팁 플랫폼과 동작가능하게 연결된 캔틸레버를 더 포함하며, 상기 팁은상기캔틸레버연결되는것을특징으로 하는인디시아 형성 시스템. [청구항 65] 제64항에 있어서,상기 폴리머 체인의 적어도 하나는상기기록매체결합되는것을특징으로 하는시스템. [청구항 66] 제64항에 있어서,상기 매체는 상기 기록 매체와 상기 루브리컨트 사이에 위치한오버코트더포함하는것을특징으로 하는시스템. [청구항 67] 제66항에 있어서,상기 폴리머 체인의 적어도 하나는상기오버코트결합되는것을특징으로 하는시스템. [청구항 68] 제64항에 있어서,상기 다수의 폴리머 체인은 바운드 및 모바일 상태를 포함하는단일층인것을특징으로 하는시스템. [청구항 69] 제64항에 있어서,상기 루브리컨트는포블린포함하는것을특징으로 하는시스템. [청구항 70] 제64항에 있어서,팁 플랫폼; 그리고상기 팁 플랫폼으로부터 확장되는 캔틸레버를 더 포함하며, 상기 팁은 상기 팁 플랫폼으로부터 상기 매체를 향해연장되는것을특징으로 하는시스템. [청구항 71] 제70항에 있어서,상기 매체는 매체 플랫폼과 연결되며, 상기 팁 플랫폼과 상기 매체 플랫폼 중 적어도 하나는 상기 팁 플랫폼과 상기 매체 플랫폼 이외의 것들에 대해 이동할 수있는것을특징으로 하는시스템.