문맥 (context)
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 제1 발광층의 도펀트가 적색 도펀트이고, 상기 제2 발광층의 도펀트가 청색 도펀트인유기 전계 발광 소자.
[청구항 6]
제2항 또는 제3항에 있어서,상기 제1 발광층의 도펀트가 적색 도펀트이고, 상기 제2 발광층의 도펀트가 청색 도펀트이며, 상기 제3 발광층의 도펀트가 녹색 도펀트인유기 전계 발광 소자.
[청구항 7]
제1항에 있어서,상기 전하 장벽층이 발광 재료포함하는유기 전계 발광 소자.
[청구항 8]
제7항에 있어서,상기 전하 장벽층의 발광 재료가 녹색 도펀트인유기 전계 발광 소자.
[청구항 9]
제1항에 있어서,상기 양극과 상기 제1 발광층 사이에, 제1 발광층과 인접하는 정공 수송층갖는유기 전계 발광 소자.
[청구항 10]
제9항에 있어서,상기 정공 수송층을 형성하는 재료와 상기 전하 장벽층을 형성하는재료동일한재료인유기 전계 발광 소자.
[청구항 11]
제1항에 있어서,양극에 가까운 유기층인 제1 발광층 또는 제1 유기층이 산화제를 함유하거나, 또는 음극에 가까운 유기층인 제2 발광층 또는 제2 유기층이 환원제를 함유하거나, 또는 상기 제1 발광층 또는 제1 유기층이 산화제를 함유하면서 제2 발광층 또는 제2 유기층이 환원제함유하고 있는유기 전계 발광 소자.
[청구항 12]
제1항에 있어서,상기 제1 발광층의 호스트 재료가 하기 화학식 1로 표시되는 화합물이고, 상기 제1 발광층의 도펀트가 플루오란텐 골격 또는 페릴렌 골격을 갖는 화합물인 유기 전계 발광 소자. 003c#화학식 1003e#x-(y)n(식 중, x는 탄소환 3 이상의 축합 방향족환기이고, y는 치환 또는 비치환의 아릴기, 치환 또는 비치환의 디아릴아미노기, 치환 또는 비치환의 아릴알킬기, 또는 치환 또는 비치환의 알킬기로부터 선택되는 기이며, n은 1 내지 6의 정수이고, n이 2 이상인경우동일하거나상이할 수도 있음)
[청구항 13]
제12항에 있어서,상기 플루오란텐 골격 또는 페릴렌 골격을 갖는 화합물이 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 인데노페릴렌 유도체인 유기 전계 발광 소자. 003c#화학식 2003e#003c#화학식 3003e#(식 중, ar1, ar2 및 ar3은 각각 치환 또는 비치환의 방향환기, 또는 치환 또는 비치환의 방향족 복소환기이고, x1 내지 x18은 각각 수소, 할로겐, 알킬기, 알콕시기, 알킬티오기, 알케닐기, 알케닐옥시기, 알케닐티오기, 방향환 함유 알킬기, 방향환 함유 알킬옥시기, 방향환 함유 알킬티오기, 방향환기, 방향족 복소환기, 방향환 옥시기, 방향환 티오기, 방향환 알케닐기, 알케닐 방향환기, 아미노기, 카르바졸릴기, 시아노기, 수산기, -coor1'(r1'은 수소, 알킬기, 알케닐기, 방향환 함유 알킬기 또는 방향환기임), -cor2'(r2'은 수소, 알킬기, 알케닐기, 방향환 함유 알킬기, 방향환기 또는 아미노기임), 또는 -ocor3'(r3'은 알킬기, 알케닐기, 방향환 함유 알킬기 또는 방향환기임)이며, x1 내지 x18의 인접하는 기는 서로 결합하거나, 또는 치환하고 있는 탄소 원자와 함께 환형성할 수도 있음)
[청구항 14]
제13항에 있어서,상기인데노페릴렌 유도체가 디벤조테트라페닐페리플란텐유도체인유기 전계 발광 소자.
[청구항 15]
제12항에 있어서,제1 발광층의 호스트 재료의 축합환수가 4 이상이고, 제2 발광층의 호스트 재료의 축합환수3 이하인유기 전계 발광 소자.
[청구항 16]
제12항에 있어서,상기 화학식1로 표시되는 화합물이 하기 화학식 4로 표시되는 나프타센 유도체인 유기 전계 발광 소자. 003c#화학식 4003e#(식 중, q1 내지 q12는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환의 핵 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 아미노기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 핵 탄소수 6 내지 20의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 핵 탄소수 6 내지 20의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 20의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 핵 탄소수 7 내지 20의 아랄킬기, 또는 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 20의 복소환기를 나타내고,이들동일하거나상이할 수도 있음)
[청구항 17]
제16항에 있어서,상기 화학식4로표시되는나프타센 유도체에서의 q1, q2, q3 및 q4 중 적어도 1개 이상이 아릴기인 유기 전계 발광 소자.
[청구항 18]
제17항에 있어서,상기 화학식4로 표시되는 나프타센 유도체가 하기 화학식 5로 표시되는 유기 전계 발광 소자. 003c#화학식 5003e#(식 중, q3 내지 q12, q101 내지 q105, q201 내지 q205는 각각 독립적으로 상기 화학식 1 중 q3 내지 q12와 동일한 기를 나타내고, 이들은 동일하거나 상이할 수도 있고, 이들의 인접하는 2개 이상이 서로 결합하여 환형성할 수도 있음)
[청구항 19]
제18항에 있어서,상기 화학식5로 표시되는 나프타센 유도체에서의 q101, q105, q201 및 q205 중 적어도 1개 이상이 알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알케닐기, 아랄킬기 또는 복소환기이고, 이들은 동일하거나상이할수있는유기 전계 발광 소자.
[청구항 20]
제12항에 있어서,상기 전하 장벽층이 3급 아민 화합물, 카르바졸 유도체, 질소 함유 복소환을 포함하는 화합물 또는 금속 착체포함하는유기 전계 발광 소자.
[청구항 22]
제2항에 있어서,상기 전하 장벽층이 발광 재료포함하는유기 전계 발광 소자.
[청구항 23]
제22항에 있어서,상기 전하 장벽층의 발광 재료가 녹색 도펀트인유기 전계 발광 소자.
[청구항 24]
제2항에 있어서,상기 양극과 상기 제1 발광층 사이에, 제1 발광층과 인접하는 정공 수송층갖는유기 전계 발광 소자.
[청구항 25]
제24항에 있어서,상기 정공 수송층을 형성하는 재료와 상기 전하 장벽층을 형성하는재료동일한재료인유기 전계 발광 소자.
[청구항 26]
제2항에 있어서,양극에 가까운 유기층인 제1 발광층 또는 제1 유기층이 산화제를 함유하거나, 또는 음극에 가까운 유기층인 제2 발광층 또는 제2 유기층이 환원제를 함유하거나, 또는 상기 제1 발광층 또는 제1 유기층이 산화제를 함유하면서 제2 발광층 또는 제2 유기층이 환원제함유하고 있는유기 전계 발광 소자.
[청구항 27]
제2항에 있어서,상기 제1 발광층의 호스트 재료가 하기 화학식 1로 표시되는 화합물이고, 상기 제1 발광층의 도펀트가 플루오란텐 골격 또는 페릴렌 골격을 갖는 화합물인 유기 전계 발광 소자. 003c#화학식 1003e#x-(y)n(식 중, x는 탄소환 3 이상의 축합 방향족환기이고, y는 치환 또는 비치환의 아릴기, 치환 또는 비치환의 디아릴아미노기, 치환 또는 비치환의 아릴알킬기, 또는 치환 또는 비치환의 알킬기로부터 선택되는 기이며, n은 1 내지 6의 정수이고, n이 2 이상인경우동일하거나상이할 수도 있음)
[청구항 28]
제27항에 있어서,상기 플루오란텐 골격 또는 페릴렌 골격을 갖는 화합물이 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 인데노페릴렌 유도체인 유기 전계 발광 소자. 003c#화학식 2003e#003c#화학식 3003e#(식 중, ar1, ar2 및 ar3은 각각 치환 또는 비치환의 방향환기, 또는 치환 또는 비치환의 방향족 복소환기이고, x1 내지 x18은 각각 수소, 할로겐, 알킬기, 알콕시기, 알킬티오기, 알케닐기, 알케닐옥시기, 알케닐티오기, 방향환 함유 알킬기, 방향환 함유 알킬옥시기, 방향환 함유 알킬티오기, 방향환기, 방향족 복소환기, 방향환 옥시기, 방향환 티오기, 방향환 알케닐기, 알케닐 방향환기, 아미노기, 카르바졸릴기, 시아노기, 수산기, -coor1'(r1'은 수소, 알킬기, 알케닐기, 방향환 함유 알킬기 또는 방향환기임), -cor2'(r2'은 수소, 알킬기, 알케닐기, 방향환 함유 알킬기, 방향환기 또는 아미노기임), 또는 -ocor3'(r3'은 알킬기, 알케닐기, 방향환 함유 알킬기 또는 방향환기임)이며, x1 내지 x18의 인접하는 기는 서로 결합하거나, 또는 치환하고 있는 탄소 원자와 함께 환형성할 수도 있음)
[청구항 29]
제28항에 있어서,상기인데노페릴렌 유도체가 디벤조테트라페닐페리플란텐유도체인유기 전계 발광 소자.
[청구항 30]
제27항에 있어서,제1 발광층의 호스트 재료의 축합환수가 4 이상이고, 제2 발광층의 호스트 재료의 축합환수3 이하인유기 전계 발광 소자.
[청구항 31]
제27항에 있어서,상기 화학식1로 표시되는 화합물이 하기 화학식 4로 표시되는 나프타센 유도체인 유기 전계 발광 소자. 003c#화학식 4003e#(식 중, q1 내지 q12는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환의 핵 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 아미노기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 핵 탄소수 6 내지 20의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 핵 탄소수 6 내지 20의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 20의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 핵 탄소수 7 내지 20의 아랄킬기, 또는 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 20의 복소환기를 나타내고,이들동일하거나상이할 수도 있음)
[청구항 32]
제31항에 있어서,상기 화학식4로표시되는나프타센 유도체에서의 q1, q2, q3 및 q4 중 적어도 1개 이상이 아릴기인 유기 전계 발광 소자.
[청구항 33]
제32항에 있어서,상기 화학식4로 표시되는 나프타센 유도체가 하기 화학식 5로 표시되는 유기 전계 발광 소자. 003c#화학식 5003e#(식 중, q3 내지 q12, q101 내지 q105, q201 내지 q205는 각각 독립적으로 상기 화학식 1 중 q3 내지 q12와 동일한 기를 나타내고, 이들은 동일하거나 상이할 수도 있고, 이들의 인접하는 2개 이상이 서로 결합하여 환형성할 수도 있음)
[청구항 34]
제33항에 있어서,상기 화학식5로 표시되는 나프타센 유도체에서의 q101, q105, q201 및 q205 중 적어도 1개 이상이 알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알케닐기, 아랄킬기 또는 복소환기이고, 이들은 동일하거나상이할수있는유기 전계 발광 소자.
[청구항 35]
제27항에 있어서,상기 전하 장벽층이 3급 아민 화합물, 카르바졸 유도체, 질소 함유 복소환을 포함하는 화합물 또는 금속 착체포함하는유기 전계 발광 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
제12항에 따른 유기 전계 발광 소자에서 제1 발광층의 호스트 재료의 축합환수와 제2 발광층의 호스트 재료의 축합환수 사이에는 어떠한 관계가 정의되어 있는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제12항을 인용하는 청구항 중에서 제1 발광층 호스트 재료의 축합환수와 제2 발광층 호스트 재료의 축합환수 사이의 관계를 찾아야 한다.
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2정보 추출
information_extraction제12항을 인용하며 호스트 재료의 축합환수 관계를 명시한 청구항 15를 확인한다.
- 제12항에 있어서,제1 발광층의 호스트 재료의 축합환수가 4 이상이고, 제2 발광층의 호스트 재료의 축합환수3 이하인유기 전계 발광 소자.
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3근거 선택
evidence_selection제1 발광층 호스트의 축합환수는 4 이상, 제2 발광층 호스트의 축합환수는 3 이하라는 구절을 선택한다.
- 제1 발광층의 호스트 재료의 축합환수가 4 이상이고, 제2 발광층의 호스트 재료의 축합환수3 이하인
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4논리 통합
logical_integration제1 발광층 호스트의 축합환수는 4 이상으로 정의되어 있고, 제2 발광층 호스트의 축합환수는 3 이하로 정의되어 있어 두 값 사이에 차이가 있음을 알 수 있다.
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5결론 도출
conclusion_formulation제1 발광층의 호스트 재료의 축합환수는 4 이상이고, 제2 발광층의 호스트 재료의 축합환수는 3 이하이다.
- 제1 발광층의 호스트 재료의 축합환수가 4 이상이고, 제2 발광층의 호스트 재료의 축합환수3 이하인
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 최종 답변을 작성한다.
- 제1 발광층의 호스트 재료의 축합환수가 4 이상이고, 제2 발광층의 호스트 재료의 축합환수3 이하인
최종 답변 (final_answer)
제1 발광층의 호스트 재료의 축합환수가 4 이상이고, 제2 발광층의 호스트 재료의 축합환수가 3 이하이다.
핵심 해석 (core_interpretation)
유기 전계 발광 소자에서 제1 발광층과 제2 발광층의 호스트 재료 간 축합환수 차이를 통해 소자의 특성을 조절하는 기술적 구성을 정의하고 있다.