저압 가스 이송 장치 및 방법 document_id 1020087007585

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 방해 구조물은 비선형 구조인 상기 가스 유동 통로 및 가스 유동 통로 내에 배치된 충돌 구조물로 이루어지는 군으로부터 선택된 구조물포함하는 것인저압 가스 이송 장치. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 방해 구조물은 비선형 구조인 상기 가스 유동 통로포함하는 것인저압 가스 이송 장치. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 가스 유동 통로의 상기 비선형 구조는 루프 구조지그재그 구조인 것인저압 가스 이송 장치. [청구항 5] 제2항에 있어서,상기 방해 구조물은 가스 유동 통로 내에 배치된 충돌 구조물포함하는 것인저압 가스 이송 장치. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 충돌 구조물은 저압 가스가 상기 가스 유동 통로를 통해 유동할 때 상기 저압 가스의 전자의 가속을 차단할 수 있는 크기의 세공 치수를 갖는 다공성 재료 본체포함하는 것인저압 가스 이송 장치. [청구항 7] 제5항에 있어서,상기 충돌 구조물은 저압 가스가 상기 가스 유동 통로를 통해 유동할 때 상기 저압 가스의 전자의 los(line-of-sight) 가속을 방지하기 위해 가스 유동 통로에 위치하는 배플 부재포함하는 것인저압 가스 이송 장치. [청구항 8] 제5항에 있어서,상기 충돌 구조물은 충돌체로 이루어진 베드포함하는 것인저압 가스 이송 장치. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 충돌체는 절연 재료로 된 구형 입자포함하는 것인저압 가스 이송 장치. [청구항 10] 제9항에 있어서,상기 절연 재료는 세라믹, 유리 또는 폴리머 재료포함하는 것인저압 가스 이송 장치. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 베드의 공극 용적은 베드의 총 용적에 기초하여 약 20 내지 약 25 %의범위인 것인저압 가스 이송 장치. [청구항 12] 제5항에 있어서,상기 충돌 구조물은 메인 입구면 및 출구면을 구비하는 다공성 세라믹 디스크를 포함하며, 상기 다공성 세라믹 디스크는 상기 가스 유동 통로를 통과하는 가스의 유동 방향에 대해 메인 입구면 및 출구면이 횡방향으로 배향된 상태로 가스 유동 통로에 배치되어, 가스 유동은 상기 가스 유동 통로를 통과할 때 상기 메인 입구면으로부터 다공성 세라믹 디스크의 메인 출구면까지다공성 세라믹디스크통과하여유동하는 것인저압 가스 이송 장치. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 다공성 세라믹 디스크의 메인 입구면과 입구 플랜지가 인접하고 다공성 세라믹 디스크의 메인 출구면과 출구 플랜지가 인접한 상태로, 다공성 세라믹 디스크는 절연체 본체에 장착되고, 상기 입구 플랜지에는 개구가 마련되며, 가스 주입 튜브는 폐쇄된 가스 유동에 의해 상기 입구 플랜지의 개구와 연통식으로 연결되고, 상기 출구 플랜지에는 개구가 마련되며, 가스 방출 튜브는 폐쇄된 가스 유동에 의해 출구 플랜지의 개구와 연통식으로 연결되고, 전기 접지는 상기 입구 플랜지에 연결되며, 전원(voltage source)은 상기 출구 플랜지연결되는 것인저압 가스 이송 장치. [청구항 14] 제5항에 있어서,상기 충돌 구조물은 소정 간격을 두고 떨어져 있는 디스크의 조립체를 포함하며, 각각의 디스크는 소정 어레이의 구멍을 구비하고, 상기 조립체에서 이웃한 쌍들의 디스크에 있는소정어레이의구멍서로에대해일치되지 않는 것인저압 가스 이송 장치. [청구항 15] 제14항에 있어서,소정 간격을 두고 떨어져 있는 디스크의 상기 조립체는, 일련의 짝수 번째 디스크와 교대로 배치되는 일련의 홀수 번째 디스크를 포함하고, 각각의 상기 홀수 번째 디스크는 동일한 제1 어레이의 구멍을 구비하며, 각각의 상기 짝수 번째 디스크는 동일한 제2 어레이의 구멍구비하는 것인저압 가스 이송 장치. [청구항 16] 제15항에 있어서,소정 간격을 두고 떨어져 있는 디스크의 상기 조립체는, 입구 플랜지가 상기 조립체의 첫 번째 디스크에 대해 소정 간격을 두고 떨어져 있는 관계에 있고 출구 플랜지가 상기 조립체의 마지막 디스크에 대해 소정 간격을 두고 떨어져 있는 관계에 있는 상태로 절연체 본체에 장착되고, 상기 입구 플랜지에는 개구가 마련되며, 가스 주입 튜브는 폐쇄된 가스 유동에 의해 상기 입구 플랜지의 개구와 연통식으로 연결되고, 상기 출구 플랜지에는 개구가 마련되며, 가스 방출 튜브는 폐쇄된 가스 유동에 의해 상기 출구 플랜지의 개구와 연통식으로 연결되고, 전기 접지는 상기 입구 플랜지에 연결되며, 전원은 상기 출구 플랜지연결되는 것인저압 가스 이송 장치. [청구항 17] 제8항에 있어서,충돌체로 된 상기 베드는 상기 가스 유동 통로의 일부를 폐쇄하는 절연 튜브에 배치되며, 입구단 플레이트는 절연 튜브의 제1 단부를 폐쇄하고, 상기 입구단 플레이트에는 개구가 마련되며, 가스 주입 튜브는 폐쇄된 가스 유동에 의해 상기 입구단 플레이트의 개구와 연통식으로 연결되고, 출구단 플레이트는 절연 튜브의 제2 단부를 폐쇄하며, 상기 출구단 플레이트에는 개구가 마련되고, 가스 방출 튜브는 폐쇄된 가스 유동에 의해 상기 출구단 플레이트의 개구와 연통식으로 연결되며, 전기 접지는 상기 입구단 플레이트에 연결되고, 전원은 상기 출구단 플레이트연결되는 것인저압 가스 이송 장치. [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 충돌체는 구체, 섬유, 실, 스트랜드, 펠릿, 및 다공성 웹으로 이루어지는 군으로부터 선택된 형태를 갖는 물품포함하는 것인저압 가스 이송 장치. [청구항 19] 제4항에 있어서,비선형 구조의 상기 가스 유동 통로는, 상기 가스 유동 통로의 일부를 폐쇄하는 루프형 튜브에 의해 형성된 루프 구조이며, 입구단 플레이트는 루프형 튜브의 제1 단부에 마련되고, 상기 입구단 플레이트에는 개구가 마련되며, 이 개구에서 폐쇄된 가스 유동에 의해 루프형 튜브의 상기 제1 단부와 연통식으로 연결되고, 출구단 플레이트는 루프형 튜브의 제2 단부에 마련되며, 상기 출구단 플레이트에는 개구가 마련되고, 이 개구에서 폐쇄된 가스 유동에 의해 루프형 튜브의 상기 제2 단부와 연통식으로 연결되고, 전기 접지는 상기 입구단 플레이트와 연결되며, 전원은 상기 출구단 플레이트연결되는 것인저압 가스 이송 장치. [청구항 20] 제4항에 있어서,비선형 구조의 상기 가스 유동 통로는, 상기 가스 유동 통로의 일부를 폐쇄하는 루프형 튜브에 의해 형성된 루프 구조이며, 입구단 플레이트는 루프형 튜브의 제1 단부에 마련되고, 상기 입구단 플레이트에는 개구가 마련되며, 이 개구에서 폐쇄된 가스 유동에 의해 루프형 튜브의 상기 제1 단부와 연통식으로 연결되고, 출구단 플레이트는 루프형 튜브의 제2 단부에 마련되며, 상기 출구단 플레이트에는 개구가 마련되고, 이 개구에서 폐쇄된 가스 유동에 의해 루프형 튜브의 상기 제2 단부와 연통식으로 연결되며, 전기 접지는 상기 입구단 플레이트와 연결되고, 전원은 상기 출구단 플레이트와 연결되며, 제1 분기 라인(branch line)은 접지, 전원, 및 상기 루프형 튜브 중 제1 세트의 루프와 전기적으로 상호 연결되고, 상기 제1 분기 라인은 상기 제1 세트의 루프 중 각각의 루프와 상호 연결된 분기 라인의 각 측부에 있는 저항기를 포함하며, 제2 분기 라인은 상기 루프형 튜브 중 제2 세트의 루프와 전기적으로 상호 연결되고, 상기 제2 분기 라인은 상기 제2 세트의 루프에서 인접한 각 쌍의 루프 사이에 있는 저항기포함하는 것인저압 가스 이송 장치. [청구항 21] 제20항에 있어서,제1 분기 라인 및 제2 분기 라인에 있는 각각의 저항기는 동일한 저항값갖는 것인저압 가스 이송 장치. [청구항 22] 제20항에 있어서,제1 분기 라인 및 제2 분기 라인에 있는 저항기 중 적어도 일부는 서로 상이한 저항값갖는 것인저압 가스 이송 장치. [청구항 24] 저압 가스의 공급원을 포함하는 이온 주입 시스템, 상기 저압 가스의 공급원으로부터 저압 가스를 수용하고 이온 주입 화학종을 생성하도록 되어 있는 이온 소스, 상기 이온 주입 화학종을 수용하고 반도체 장치 기판에 상기 이온 주입 화학종을 충돌시켜 이온이 주입된 기판 물품을 제작하도록 되어 있는 주입 챔버, 및 상기 저압 가스를 저압 가스의 상기 공급원으로부터 상기 이온 소스까지 전달하도록 되어 있는 저압 가스 이송 장치를 포함하는 반도체 제조 설비로서, 상기 저압 가스 이송 장치는 가스 유동 통로, 전기장을 인가하기 위해 가스 유동 통로의 적어도 일부와 전기적으로 연결되는 전압 발생기, 및 상기 가스 유동 통로 내의 상기 저압 가스의 이온화 포텐셜과 관련하여 상기 저압 가스의 전자의 가속 길이를 조정함으로써 상기 가스 유동 통로 내의 상기 저압 가스의 이온화를 억제하도록 되어 있는 방해 구조물을 포함하는 것인 반도체 제조 설비 [청구항 26] 제25항에 있어서,상기 방해 구조물은 (ⅰ) 충돌체로 이루어진 베드, (ⅱ) 저압 가스가 상기 가스 유동 통로를 통해 유동할 때 상기 저압 가스의 전자의 가속을 차단할 수 있는 크기의 세공 치수를 갖는 다공성 재료 본체, 및 (ⅲ) 저압 가스가 상기 가스 유동 통로를 통해 유동할 때 상기 저압 가스의 전자의 los(line-of-sight) 가속을 방지하기 위해 가스 유동 통로에 위치하는 배플 부재 중 적어도 하나포함하는 것인저압 가스 이송 장치.