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박막 형성 방법, 컴퓨터 판독가능 매체 및 박막 기상 증착 시스템 document_id 1020087014738

출원번호
1020087014738
분류
화학(C섹션)
문맥 (context)
[청구항 20] 기판 상에서의 박막 기상 증착을 위한 시스템에 있어서, 제1 체적을 갖는 제1 프로세스 공간을 포함하는 프로세싱 챔버 상기 프로세싱 챔버에 결합되고, 기판을 지지하고 상기 기판을 상기 제1 프로세스 공간에 노출시키도록 구성되는 기판 스테이지 상기 프로세싱 챔버에 결합되고, 상기 제1 프로세스 공간의 하나 이상의 부분에서 플라즈마 를 생성하도록 구성되는 플라즈마 생성 시스템 상기 프로세싱 챔버에 결합되고, 상기 제1 프로세스 공간의 하나 이상의 부분을 포함하고 상기 제1 체적 미만의 제2 체적을 가지는 제2 프로세스 공간을 생성하도록 구성되는 프로세스 체적 조정 기구로서, 상기 기판은 상기 제2 프로세스 공간에 노출되는 것인 프로세스 체적 조정 기구; 및 상기 프로세싱 챔버에 결합되고 상기 제1 프로세스 공간의 하나 이상의 부분에서 가스를 배기하도록 구성되는 진공 펌핑 시스템을 포함하는 박막 기상 증착 시스템 [청구항 21] 제20항에 있어서,가스 공급 입구를 갖는 제1 챔버 어셈블리와,상기 기판 스테이지를 지지하고, 상기 프로세싱 챔버의 배기를 위해 구성된 상기 진공 펌핑 시스템을 지지하도록 구성된 제2 챔버 어셈블리더 포함하는박막 기상 증착 시스템. [청구항 22] 제21항에 있어서,상기 제1 프로세스 공간은 상기 기판 스테이지의 최상부로부터 상기 제1 챔버 어셈블리 상의 가스 공급 입구까지 20㎜ 이하의 간격으로 부분적으로 형성되고,상기 제2 프로세스 공간은 상기 기판 스테이지의 최상부로부터 상기 제1 챔버 어셈블리 상의 가스 공급 입구까지 20㎜ 이상의 간격으로 부분적형성되는 것인박막 기상 증착 시스템. [청구항 23] 제20항에 있어서,상기 제2 프로세스 공간은 폭에 대한 높이의 종횡비가 0.1 이상 10 이하인 공간포함하는 것인박막 기상 증착 시스템. [청구항 24] 제20항에 있어서,상기 제2 프로세스 공간은 폭에 대한 높이의 종횡비가 0.5 이상 10 이하인 공간포함하는 것인박막 기상 증착 시스템. [청구항 25] 제20항에 있어서,상기 제1 프로세스 공간의 주위 엣지를 둘러싸도록 구성된 차폐물더 포함하는박막 기상 증착 시스템. [청구항 26] 제25항에 있어서,상기 차폐물은 천공된 차폐물포함하는 것인박막 기상 증착 시스템. [청구항 27] 제25항에 있어서,상기 기판 스테이지는 상기 차폐물의 주위 엣지와 접촉하도록 구성된주위립부를가지는 것인박막 기상 증착 시스템. [청구항 28] 제27항에 있어서,상기 주위 립부는 주위 엣지에 대해밀봉형성하도록구성되는 것인박막 기상 증착 시스템. [청구항 29] 제20항에 있어서,상기 프로세싱 챔버는, 금속막, 금속 산화물막, 금속 질화물막, 금속 규화물막 및 금속 탄소질화물막 중 하나 이상,또는이들막의임의의조합의원자층 증착위해구성되는 것인박막 기상 증착 시스템. [청구항 30] 제20항에 있어서,상기 프로세싱 챔버는, 지르코늄 산화물막, 하프늄 산화물막, 실리콘 산화물막, 실리콘 질화물막, 티타늄 질화물막, 탄탈 질화물막, 탄탈 탄소질화물막, cu막, al막, zn막, ta막, ti막, w막, 텅스텐 질화물막 및 gan막 중 하나 이상,또는이들막의임의의조합의원자층 증착위해구성되는 것인박막 기상 증착 시스템. [청구항 31] 제20항에 있어서,내지100㎒의 주파수의 rf 에너지를 출력하도록 구성된 rf 전원더 포함하는박막 기상 증착 시스템. [청구항 32] 제31항에 있어서,상기rf 전원에 접속되고, 상기 rf 에너지를 상기 제1 프로세스 공간 및 제2 프로세스 공간 중 하나 이상에 공급하도록 구성된 전극더 포함하는박막 기상 증착 시스템. [청구항 33] 제20항에 있어서,내지100㎒의 주파수의 rf 전압과 dc 전압 중 적어도 하나를 출력하도록 구성된 바이어스 공급장치더 포함하는박막 기상 증착 시스템. [청구항 34] 제33항에 있어서,상기 기판에 바이어스를 인가하도록 구성되고, rf 바이어스 공급장치에 접속되며, 상기 rf 전압을 상기 기판 상에 공급하도록 구성된 전극더 포함하는박막 기상 증착 시스템. [청구항 35] 제20항에 있어서,상기 프로세싱 챔버 내에서 프로세스를 제어하도록 구성된 컨트롤러더 포함하는박막 기상 증착 시스템.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
박막 기상 증착 시스템에서 제1 프로세스 공간과 제2 프로세스 공간은 기판 스테이지의 최상부로부터 제1 챔버 어셈블리 상의 가스 공급 입구까지의 간격에 따라 어떻게 구분되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    기판 스테이지 최상부와 제1 챔버 어셈블리 상의 가스 공급 입구 사이의 간격에 따른 제1 및 제2 프로세스 공간의 구분 기준을 파악해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 22에서 제1 프로세스 공간과 제2 프로세스 공간의 간격 기준이 명시되어 있다.

    • 상기 제1 프로세스 공간은 상기 기판 스테이지의 최상부로부터 상기 제1 챔버 어셈블리 상의 가스 공급 입구까지 20㎜ 이하의 간격으로 부분적으로 형성되고,상기 제2 프로세스 공간은 상기 기판 스테이지의 최상부로부터 상기 제1 챔버 어셈블리 상의 가스 공급 입구까지 20㎜ 이상의 간격으로 부분적형성되는
  3. 3근거 선택evidence_selection

    제1 프로세스 공간은 20㎜ 이하, 제2 프로세스 공간은 20㎜ 이상이라는 구절을 선택한다.

    • 상기 제1 프로세스 공간은 상기 기판 스테이지의 최상부로부터 상기 제1 챔버 어셈블리 상의 가스 공급 입구까지 20㎜ 이하의 간격으로 부분적으로 형성되고,상기 제2 프로세스 공간은 상기 기판 스테이지의 최상부로부터 상기 제1 챔버 어셈블리 상의 가스 공급 입구까지 20㎜ 이상의 간격으로 부분적형성되는
  4. 4논리 통합logical_integration

    간격이 20㎜ 이하이면 제1 프로세스 공간이고, 20㎜ 이상이면 제2 프로세스 공간으로 구분됨을 알 수 있다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    질문에 대해 간격 수치를 포함하여 명확하게 답변을 구성한다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    최종 답변을 추출 형식으로 작성한다.

최종 답변 (final_answer)
제1 프로세스 공간은 기판 스테이지의 최상부로부터 제1 챔버 어셈블리 상의 가스 공급 입구까지 20㎜ 이하의 간격으로 형성되고, 제2 프로세스 공간은 기판 스테이지의 최상부로부터 제1 챔버 어셈블리 상의 가스 공급 입구까지 20㎜ 이상의 간격으로 형성된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
박막 기상 증착 시스템에서 기판 스테이지와 가스 공급 입구 사이의 수직 간격(20㎜ 기준)을 통해 제1 프로세스 공간과 제2 프로세스 공간을 물리적으로 구분한다.