이온 소스, 시스템 및 방법 document_id 1020087016065

[청구항 2] 제1 항에 있어서,상기 이온 광학계는 상기 이온 빔이 상기 샘플을 가로질러 래스터링하는(raster)것허용하도록구성되는시스템. [청구항 3] 제1 항에 있어서,상기 제2 위치는 상기 제1 위치와 관련하여 적어도 200 pm이내판정될수있는시스템. [청구항 4] 제1 항에 있어서,상기 시스템의 fov(field of view)는 200 nm 이상이고, 상기 시스템의 픽셀 사이즈이상인시스템. [청구항 5] 제1 항에 있어서,상기 가스 필드 이온 소스는 추출기포함하는시스템. [청구항 6] 제1 항에 있어서,상기 이온 광학계는 전극구비하는시스템. [청구항 7] 제6 항에 있어서,상기 샘플에 대한 상기 이온 빔의 위치는 상기 전극의 전위의존하는시스템. [청구항 8] 제7 항에 있어서,상기 이온 광학계는 간극더 구비하는시스템. [청구항 9] 제8 항에 있어서,상기 간극은 상기 가스 필드 이온 소스에서 상기 샘플에 이르는 상기 이온 빔의 경로를 따라 상기 가스 필드 이온 소스와 상기 전극 사이위치하는시스템. [청구항 10] 제1 항에 있어서,상기 샘플을 이동시킬 수 있는 샘플더 구비하는시스템. [청구항 11] 제10 항에 있어서,상기 이온 광학계의 상기 조정 가능 설정은 상기 샘플의 위치에 기초선택되는시스템. [청구항 12] 제11 항에 있어서,상기 이온 광학계의 상기 조정 가능 설정은 상기 샘플에서의 상기 이온 빔의 위치에 기초선택되는시스템. [청구항 13] 제10 항에 있어서,상기 샘플의 상기 표면을 가로지르는 상기 이온 빔의 이동 패턴은 샘플 경사 및 원근 효과(sample tilt and perspective effects)로 인한 왜곡을 보상하도록조정될수있는시스템. [청구항 14] 제10 항에 있어서,상기 샘플매니퓰레이터는상기샘플기울일수있는시스템. [청구항 15] 제10 항에 있어서,상기 샘플매니퓰레이터는상기샘플병진시킬수있는시스템. [청구항 16] 제10 항에 있어서,상기 이온 광학계의 상기 조정 가능 설정은 상기 샘플의 위치의존하는시스템. [청구항 17] 제1 항에 있어서,상기 이온 빔은 1x10-16 cm2srv 이하의 감소된 에텐듀갖는시스템. [청구항 18] 제1 항에 있어서,상기 이온 빔은 5x10-21 cm2sr 이하의 에텐듀갖는시스템. [청구항 19] 제1 항에 있어서,상기 이온 빔은 상기 샘플의 상기 표면에서 5x108 a/m2srv 이상의 감소된 밝기갖는시스템. [청구항 20] 제1 항에 있어서,상기 이온 빔은 상기 샘플의 상기 표면에서 1x109 a/cm2sr 이상의 밝기갖는시스템. [청구항 21] 제1 항에 있어서,상기 이온 빔은 상기 샘플의 상기 표면에서 치수가 10 nm 이하인 스폿 사이즈갖는시스템. [청구항 22] 제1 항에 있어서,상기 시스템은 가스 필드 이온현미경인시스템. [청구항 23] 제1 항에 있어서,상기 시스템은헬륨 이온 현미경인시스템. [청구항 24] 제1 항에 있어서,상기 시스템은 스캔 이온현미경인시스템. [청구항 25] 제1 항에 있어서,상기 시스템은 스캔헬륨 이온 현미경인시스템. [청구항 26] 제1 항에 있어서,상기 가스 필드 이온 소스는 원자가 20개 이하인 터미널 셸프(shelf)의 전기 전도성 팁구비하는시스템. [청구항 28] 제27 항에 있어서,상기 하전 입자 소스에 의해 제공되는 상기 하전 입자전자인시스템. [청구항 29] 제27 항에 있어서,상기 하전 입자 소스에 의해 제공되는 상기 하전 입자이온인시스템. [청구항 30] 제29 항에 있어서,상기 하전 입자 소스는 상기 샘플의 표면으로부터 원치않는구성물제거하도록구성되는시스템. [청구항 31] 제30 항에 있어서,상기 이온은 ar 이온, ne 이온, kr 이온, xe 이온 및 금속 이온으로 이루어진 그룹선택되는시스템. [청구항 32] 제27 항에 있어서,상기 하전 입자 소스에 의해 제공되는 상기 하전 입자의 에너지를, 상기 하전 입자가 상기 샘플로 입사하기 이전에, 증가시키도록 구성된 디바이스더 구비하는시스템. [청구항 33] 제27 항에 있어서,상기 하전 입자의 이동을 상기 하전 입자 소스로부터 상기 샘플쪽으로 조작하기 위한 디바이스더 구비하는시스템. [청구항 34] 제27 항에 있어서,상기 하전 입자를 상기 샘플을 향해 포커싱하기 위한 디바이스더 구비하는시스템. [청구항 35] 제27 항에 있어서,상기 하전 입자 빔에서의 상기 하전 입자는, 상기 샘플로 입사할 때, 500 ev 이상의 에너지갖는시스템. [청구항 36] 제27 항에 있어서,상기 하전 입자 빔에서의 상기 하전 입자는, 상기 샘플로 입사할 때, 1 kev 이상의 에너지갖는시스템. [청구항 37] 제27 항에 있어서,상기 샘플로 입사할 때, 상기 하전 입자는, 상기 하전 입자가 상기 샘플쪽으로 침투하는 것을 허용하기에 충분한 에너지갖는시스템. [청구항 38] 제27 항에 있어서,상기 하전 입자는, 상기 샘플의 목표 영역(target region)이 +10 v 이상의 이온 빔 유도 바이어스를 갖지 않고 상기 하전 입자가 전자가 아니면, 상기 샘플의 상기 목표 영역을 때리기에 충분한 에너지않는시스템. [청구항 39] 제27 항에 있어서,상기 하전 입자는, 상기 샘플의 목표 영역이 -10 v 이상의 이온 빔 유도 바이어스를 갖지 않고 상기 하전 입자가 양 이온이 아니면, 상기 샘플의 상기 목표 영역을 때리기에 충분한 에너지않는시스템. [청구항 40] 제27 항에 있어서,상기 하전 입자는상기샘플쪽침투할수있는시스템. [청구항 41] 제27 항에 있어서,상기 하전 입자는상기샘플쪽침투할수있는시스템. [청구항 42] 제27 항에 있어서,상기 가스 필드 이온 소스 및 상기 하전 입자 소스는동시동작될수있는시스템. [청구항 43] 제27 항에 있어서,상기 가스 필드 이온 소스 및 상기 하전 입자 소스는 상이한시점동작될수있는시스템. [청구항 44] 제27 항에 있어서,상기 하전 입자 빔에서의 상기 하전 입자 중 적어도 일부는, 상기 이온 빔이 상기 샘플로 입사하기 이전에, 상기 이온 빔과 상호작용하는시스템. [청구항 45] 제27 항에 있어서,상기 가스 필드 이온 소스와 상기 샘플 사이에 이온 광학계더 구비하는시스템. [청구항 46] 제27 항에 있어서,상기 이온 빔은 1x10-16 cm2srv 이하의 감소된 에텐듀갖는시스템. [청구항 47] 제27 항에 있어서,상기 이온 빔은 5x10-21 cm2sr 이하의 에텐듀갖는시스템. [청구항 48] 제27 항에 있어서,상기 이온 빔은 상기 샘플의 표면에서 5x108 a/m2srv 이상의 감소된 밝기갖는시스템. [청구항 49] 제27 항에 있어서,상기 이온 빔은 상기 샘플의 표면에서 1x109 a/cm2sr 이상의 밝기갖는시스템. [청구항 50] 제27 항에 있어서,상기 이온 빔은 상기 샘플의 표면에서 치수가 10 nm 이하인 스폿 사이즈갖는시스템. [청구항 51] 제27 항에 있어서,상기 시스템은 가스 필드 이온현미경인시스템. [청구항 52] 제27 항에 있어서,상기 시스템은헬륨 이온 현미경인시스템. [청구항 53] 제27 항에 있어서,상기 시스템은 스캔 이온현미경인시스템. [청구항 54] 제27 항에 있어서,상기 시스템은 스캔헬륨 이온 현미경인시스템. [청구항 55] 제27 항에 있어서,상기 가스 필드 이온 소스는 원자가 20개 이하인 터미널 셸프의 전기 전도성 팁구비하는시스템. [청구항 81] 제80 항에 있어서,상기 하전 입자 소스에 의해 제공되는 상기 하전 입자전자인시스템. [청구항 82] 제80 항에 있어서,상기 하전 입자 소스에 의해 제공되는 상기 하전 입자이온인시스템.