인광 유기 발광 소자 document_id 1020087021550

[청구항 1] 애노드; 캐쏘드; 및 상기 캐쏘드와 애노드사이의 유기 발광층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 캐쏘드가 알칼리 토금속의 산화물을 포함하는 전자 주입층을 포함하고, 상기 유기 발광층이 유기 인광 물질을 포함하는, 유기 발광 소자 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 알칼리 토금속이바륨인유기 발광 소자. [청구항 3] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 전자 주입층이 3nm 내지 20nm 범위의 두께갖는유기 발광 소자. [청구항 4] 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전자 주입층이 95% 이상의 소자내 투명도갖는유기 발광 소자. [청구항 5] 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,쏘드가 상기 유기 발광층과 반대쪽 면에서 전자 주입층 상에 배치된 전도성 구조물을 추가포함하는유기 발광 소자. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,상기 전도성 구조물이 하나 이상의 전도성 물질층포함하는유기 발광 소자. [청구항 7] 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,상기 전도성 구조물이 반사성인유기 발광 소자. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,상기 전도성 구조물이 70% 이상의 반사도갖는유기 발광 소자. [청구항 9] 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 전도성 구조물이 금속층포함하는유기 발광 소자. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,상기 금속층이 50nm 이상의 두께갖는유기 발광 소자. [청구항 11] 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 전도성 금속층이 al 및 ag 중 하나 이상포함하는유기 발광 소자. [청구항 12] 제 11 항에 있어서,상기 전도성 금속층이 al을포함하는유기 발광 소자. [청구항 13] 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,상기 전도성 구조물이투명한유기 발광 소자. [청구항 14] 제 13 항에 있어서,상기 전도성 구조물이 95% 이상의 투명도갖는유기 발광 소자. [청구항 15] 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,상기 전도성 구조물이 투명 금속 박층 또는 투명 전도성 산화물층포함하는유기 발광 소자. [청구항 16] 제 6 항에 있어서,상기 전도성 구조물이, 전자 주입층 상에 배치되고 3.5 ev 미만의 일함수를 갖는 제 1 전도층 및 제 1 전도층 상에 배치되고 3.5 ev 초과의 일함수를 갖는 제 2 전도층의 2층포함하는유기 발광 소자. [청구항 17] 제 16 항에 있어서,제 1 전도층이 ba 또는 ca층인유기 발광 소자. [청구항 18] 제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,제 2 전도층이 al층인유기 발광 소자. [청구항 19] 제 1 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유기 발광층이 상기 전자 주입층직접 접촉되는유기 발광 소자. [청구항 20] 제 1 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유기 발광층이, 유기 인광 물질이 배치되어 있는 유기 반도체 호스트 물질포함하는유기 발광 소자. [청구항 21] 제 20 항에 있어서,상기 유기 반도체 호스트 물질이청색발광할수있는유기 발광 소자. [청구항 22] 제 20 항 또는 제 21 항에 있어서,상기 유기 반도체 호스트 물질이 0 내지갖는유기 발광 소자. [청구항 23] 제 20 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유기 반도체 호스트 물질이 공액 중합체포함하는유기 발광 소자. [청구항 24] 제 23 항에 있어서,상기 중합체가 50% 이하의 아민 반복 단위를 포함하는 공중합체인유기 발광 소자. [청구항 25] 제 24 항에 있어서,상기 공중합체가 1 내지 15%의 아민 반복 단위를 포함하는 공중합체인유기 발광 소자. [청구항 26] 제 25 항에 있어서,상기 공중합체가 1 내지 10%의 아민 반복 단위를 포함하는 공중합체인유기 발광 소자. [청구항 27] 제 23 항 내지 제 26 항에 있어서,상기 중합체가 플루오렌 반복 단위포함하는유기 발광 소자. [청구항 28] 제 1 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유기 인광 물질이적색 발광 물질인유기 발광 소자. [청구항 29] 제 1 항 내지 제 28 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유기 인광 물질이금속 착물인유기 발광 소자. [청구항 30] 제 29 항에 있어서,상기 금속 착물이 이리듐포함하는유기 발광 소자. [청구항 31] 제 29 항 또는 제 30 항에 있어서,상기 유기 인광 물질이 하기 화학식 a 또는 화학식 b의 금속 착물인 유기 발광 소자:화학식 a화학식 b상기 식에서, m은 금속을 나타내고, r은 h, 치환체 또는 표면기포함하는덴드론을 나타낸다. [청구항 32] 제 1 항 내지 제 31 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유기 인광 물질이 덴드리머포함하는유기 발광 소자. [청구항 33] 제 32 항에 있어서,드리머가 하기 화학식 c 또는 화학식 d의 구조를 갖는 유기 발광 소자:화학식 c화학식 d상기 식에서, m은 금속을 나타내고, r은 h, 치환체 또는 표면기포함하는덴드론을 나타내고,r'는 h 또는 표면기를 나타낸다. [청구항 35] 제 34 항에 있어서,상기 가용화 기가 알킬 또는 알콕시기포함하는유기 발광 소자. [청구항 36] 제 1 항 내지 제 35 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유기 발광 소자가 하부 발광소자인유기 발광 소자. [청구항 37] 제 1 항 내지 제 36 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유기 발광 소자가, 애노드가 배치되어 있으며 활성 매트릭스를 포함하는 기재를 추가포함하는유기 발광 소자. [청구항 38] 제 1 항 내지 제 37 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유기 발광층이 적색, 녹색 및 청색 발광 물질의 서브화소를 포함하고, 상기 캐쏘드가 각 서브화소로 전자주입하는유기 발광 소자. [청구항 39] 제 38 항에 있어서,물질이 청색 발광 물질로서 청색 서브화소에 제공되면서, 호스트 물질로서 적색 및 녹색 서브화소 중 하나 이상제공되는유기 발광 소자. [청구항 40] 제 1 항 내지 제 39 항 중 어느 한 항에 있어서,정공 주입 물질층이 상기 애노드와 유기 발광층 사이제공되는유기 발광 소자. [청구항 41] 제 40 항에 있어서,상기 정공 주입 물질이 전도성 유기 물질포함하는유기 발광 소자. [청구항 42] 제 41 항에 있어서,상기 전도성 유기 물질이 전도성 중합체포함하는유기 발광 소자. [청구항 43] 제 40 항 내지 제 42 항 중 어느 한 항에 있어서,정공 수송 물질층이 상기 정공 주입 물질층과 상기 유기 발광층 사이제공되는유기 발광 소자. [청구항 44] 제 43 항에 있어서,상기 정공 수송 물질이 반도체 유기 물질포함하는유기 발광 소자. [청구항 45] 제 44 항에 있어서,상기 반도체 유기 물질이 공액 중합체포함하는유기 발광 소자. [청구항 46] 제 1 항 내지 제 45 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전자 주입층이 3.5 ev 이하의 일함수를 갖는 금속 원소포함하지 않는유기 발광 소자. [청구항 47] 제 1 항 내지 제 46 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전자 주입층이 알칼리 토금속 산화물로 필수적구성된유기 발광 소자.