단일 다이 ＭＥＭＳ 음향 전환기 및 그 제조 방법 document_id 1020087023362

[청구항 2] 제1 항에 있어서,램은 상기 백 플레이트 위에 배치되고 적어도 부분적으로상기백플레이트가로질러신장되는음향 변환기. [청구항 3] 제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 다이의 상기 후면 부분으로부터 상기 공동 바닥까지 신장되는 후면 개구부가 상기 다이 안형성되어 있는음향 변환기. [청구항 4] 제3 항에 있어서,상기 후면 개구부의 적어도 일부 또는 전부가 밀봉 물질에 의하여 음향적밀봉되어 있는음향 변환기. [청구항 5] 제1 항 내지 제4 항의 임의의 어느 한 항에 있어서,상기 공동의 상기 바닥으로부터 상기 상부 또는 상기 개구부까지의 거리는 약 300㎛와 같은 100-500㎛ 의범위에 있는음향 변환기. [청구항 6] 제1 항 내지 제5 항의 임의의 어느 한 항에 있어서,집적 회로가 상기 다이의 상기 전면 부분 안에 형성되어 있고, 상기 다이아프램 및 상기 백 플레이트는 상기 다이의 안에 또는 상기 전면 부분 위에 형성된 전기적 연결부분들을 통하여 상기 집적 회로에 전기적연결되는음향 변환기. [청구항 7] 제6 항에 있어서,하나 이상의 콘택 패드들이 상기 다이의 안에 또는 상기 전면 부분 위에 형성되어 있고, 상기 콘택 패드(들)은 상기 다이의 안에 또는 상기 다이의 상기 전면 부분 위에 형성된 하나 이상의 전기적 연결부분을 통하여 상기 집적 회로에 전기적연결되는음향 변환기. [청구항 8] 제7 항에 있어서,상기 콘택 패드들의 적어도 일부가 smd 공정 기술과 양립가능하고 상기 다이의 상기 전면 부분의 실질적으로 편평한 부분 위형성되는음향 변환기. [청구항 9] 제6 항에 있어서,하나 이상의 콘택 패드들이 상기 다이의 안에 또는 상기 다이의 상기 후면 부분 위에 형성되어 있고, 상기 콘택 패드(들)은 상기 다이의 상기 전면 부분으로부터 상기 다이의 상기 후면 부분까지로의 하나 이상의 전기적 피드쓰루(feedthrough)들을 통하여 상기 집적 회로에 전기적연결되는음향 변환기. [청구항 10] 제1 항 내지 제5 항의 임의의 어느 한 항에 있어서,집적 회로가 상기 다이의 상기 후면 부분 내에 형성되어 있고, 상기 다이아프램 및 상기 백 플레이트는 상기 다이의 상기 전면 부분으로부터 상기 다이의 상기 후면 부분까지로의 전기적 피드쓰루들을 통하여 상기 집적 회로에 전기적연결되는음향 변환기. [청구항 11] 제10 항에 있어서,하나 이상의 콘택 패드들이 상기 다이의 안에 또는 상기 다이의 상기 후면 부분 위에 형성되어 있고, 상기 콘택 패드(들)은 상기 다이의 안에 또는 상기 다이의 상기 후면 부분 위에 형성된 하나 이상의 전기적 연결부분들을 통하여 상기 집적 회로에 전기적연결되는음향 변환기. [청구항 12] 제9 항 또는 제11 항에 있어서,상기 다이의 상기 후면 부분은 실질적으로 편평하고 적어도 일부의 상기 콘택 패드들이 smd 공정 기술들과 양립가능한음향 변환기. [청구항 13] 제1 항 내지 제12 항의 임의의 어느 한 항에 있어서,다이는 si 계 물질포함하는음향 변환기. [청구항 14] 제1 항 내지 제13 항의 임의의 어느 한 항에 있어서,상기 백 플레이트및/또는 상기 다이아프램은 전기적으로 도전성인 si 계 물질형성되는음향 변환기.