고전류 밀도 패턴 하전 입자 빔의 생성을 위한 광학계 document_id 1020087026237

[청구항 1] 레지스트 도포된 기판을 패터닝하는 리소그래피 장치에 있어서, 하전 입자 빔을 생성하는 하전 입자 소스(charged particle source), 상기 하전 입자 소스 아래에 위치하고, 상기 하전 입자 빔을 실질적인 층류(laminar)의 하전 입자 빔으로 형성하는 제 1 렌즈, 상기 제 1 렌즈 아래에 위치하고, 상기 레지스트 도포된 기판을 이동시키는 스테이지(stage), 상기 제 1 렌즈 및 상기 스테이지 사이에 위치하고, 상기 실질적인 층류의 하전 입자 빔을 상기 레지스트 도포된 기판의 표면 상에 포커싱시키는 제 2 렌즈 및 상기 제 1 렌즈 및 상기 제 2 렌즈 사이에 위치하고, 상기 레지스트 도포된 기판의 표면에서의 미리 설정된 빔 프로파일 내로 상기 제 2 렌즈에 의해 포커싱될 수 없는 상기 실질적인 층류의 하전 입자 빔 중 대부분의 하전 입자를 차단하는 패턴 빔 한정 어퍼쳐(patterned beam-defining aperture) 를 포함하는 리소그래피 장치 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 렌즈 및 상기 패턴 빔 한정 어퍼쳐 사이에 위치하고, 상기 실질적인 층류의 하전 입자 빔을 블랭킹(blanking)하는 빔 블랭커더 포함하는리소그래피 장치. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 빔 블랭커는 유효 블랭킹 면(effective blanking plane)을 가상 소스의 위치로 되돌려 투사하는 이중 편향(double-deflection) 블랭인 것인리소그래피 장치. [청구항 4] 제 2 항에 있어서,상기 제 1 렌즈 및 상기 빔 블랭커 사이에 위치하는 빔 트리밍 어퍼쳐더 포함하는리소그래피 장치. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기 빔 트리밍 어퍼쳐는 상기 실질적인 층류의 빔이 블랭킹 동안 상기 패턴 빔 한정 어퍼쳐를 가로질러 스위핑(sweeping)할 때 상기 패턴 빔 한정 어퍼쳐의 모든 개구 영역에 대해 동일한 노광 시간을 제공하고, 상기 빔 트리밍 어퍼쳐는 블랭킹 시간을 최소화하는 것인리소그래피 장치. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,상기 빔 트리밍 어퍼쳐는 정방형 형상의 개구부를 포함하고, 상기 패턴 빔 한정 어퍼쳐는 정방형으로부터 도출된 형태의 개구부포함하는 것인리소그래피 장치. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 패턴 빔 한정 어퍼쳐 및 상기 제 2 렌즈 사이에 위치하는 빔 편향기더 포함하는리소그래피 장치. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,상기 빔 편향기는 이중 편향기이고, 상기 빔의 텔렉센트릭(telecentric) 스캐닝허용하는 것인리소그래피 장치. [청구항 9] 제 8 항에 있어서,상기 제 2 렌즈는 상기 제 2 렌즈의 유효 축이 스캐닝동안 상기 빔과 함께 근축이동하게 하는 것인리소그래피 장치. [청구항 10] 제 1 항에 있어서,상기 패턴 빔 한정 어퍼쳐는 상기 제 2 렌즈에 의해 포커싱될 수 있는 상기 실질적인 층류의 빔 중 대부분의 하전 입자를 상기 레지스트 도포된 기판의 상기 표면에서 상기 미리 설정된 빔 프로파일 내투과하는 것인리소그래피 장치. [청구항 11] 제 1 항에 있어서,상기 패턴 빔 한정 어퍼쳐는 패턴 전도성 물질이루어지는 것인리소그래피 장치. [청구항 12] 제 1 항에 있어서,상기 패턴 빔 한정 어퍼쳐는 연속 하전 입자 투명 멤브레인(continuous charged-particle-transparent membrane)에 의해 지지되는 패턴 후막이루어지는 것인리소그래피 장치. [청구항 13] 제 1 항에 있어서,상기 하전 입자는 전자인 것인리소그래피 장치. [청구항 14] 제 1 항에 있어서,상기 패턴 빔 한정 어퍼쳐는 비원형(non-circular)의 성형 빔생성하는 것인리소그래피 장치. [청구항 15] 제 1 항에 있어서,상기 패턴 빔 한정 어퍼쳐는 정방형 성형 빔생성하는 것인리소그래피 장치. [청구항 16] 레지스트 도포된 기판을 패터닝하는 리소그래피 장치에 있어서, 하전 입자 빔을 생성하는 하전 입자 소스(charged particle source), 상기 소스 아래에 위치하고, 상기 하전 입자 빔을 실질적인 층류의 하전 입자 빔으로 형성하는 제 1 렌즈, 상기 제 1 렌즈 아래에 위치하고, 상기 레지스트 도포된 기판을 이동시키는 스테이지(stage), 상기 제 1 렌즈 및 상기 스테이지 사이에 위치하고, 상기 실질적인 층류의 하전 입자 빔을 상기 레지스트 도포된 기판의 표면 상에 포커싱시키는 제 2 렌즈 및 상기 제 1 렌즈 및 상기 제 2 렌즈 사이에 위치하고, 상기 레지스트 도포된 기판의 표면에서 미리 설정된 빔 프로파일 내로 상기 제 2 렌즈에 의해 포커싱될 수 없는 상기 실질적인 층류의 빔 중 대부분의 하전 입자를 차단하는 다수의 패턴 빔 한정 어퍼쳐(patterned beam-defining aperture) 를 포함하는 리소그래피 장치 [청구항 17] 제 16 항에 있어서,상기 다수의 패턴 빔 한정 어퍼쳐는 상기 제 2 렌즈에 의해 포커싱될 수 있는 상기 실질적인 층류의 빔 중 대부분의 하전 입자를 상기 레지스트 도포된 기판의 상기 표면에서 상기 미리 설정된 빔 프로파일투과하는 것인리소그래피 장치. [청구항 18] 제 16 항에 있어서,상기 다수의 패턴 빔 한정 어퍼쳐는 상기 장치의 광 축을 따라 서로 축방향으로 분리되고, 모든 상기 어퍼쳐는 상기 빔에 작용하여 상기 레지스트 도포된 기판의 상기 표면에서 상기 미리 설정된 빔 프로파일생성하는 것인리소그래피 장치. [청구항 19] 제 18 항에 있어서,상기 다수의 패턴 빔 한정 어퍼쳐는 2개의 패턴 빔 한정 어퍼쳐인 것인리소그래피 장치. [청구항 20] 제 16 항에 있어서,상기 다수의 패턴 빔 한정 어퍼쳐는 하나의 어퍼쳐 블레이드 상에 위치하고, 상기 어퍼쳐 블레이드는 상기 다수의 패턴 빔 한정 어퍼쳐 중 어느 하나에 상기 빔의 삽입허용하는 것인리소그래피 장치. [청구항 22] 제 21 항에 있어서,상기 어퍼쳐는 상기 경통의 상기 목표 평면에서 바람직한 빔 프로파일에 기여하지 않는 대부분의 하전 입자제외시키는 것인패턴 빔 한정 어퍼쳐. [청구항 23] 제 21 항에 있어서,상기 어퍼쳐는 상기 경통에서 빔 블랭커(beam blanker) 아래위치하는 것인패턴 빔 한정 어퍼쳐. [청구항 24] 제 23 항에 있어서,상기 패턴 빔 한정 어퍼쳐는 블랭킹(blanking) 어퍼쳐기능하는 것인패턴 빔 한정 어퍼쳐. [청구항 25] 제 21 항에 있어서,상기 패턴 빔 한정 어퍼쳐는 상기 목표 평면에서 정방형 성형 빔생성하는 것인패턴 빔 한정 어퍼쳐.